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公开(公告)号:CN111868951B
公开(公告)日:2025-01-17
申请号:CN201980020313.4
申请日:2019-03-26
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H10K30/00 , C07D209/12 , C07D209/60 , C07D209/96 , C07D401/06 , C07D403/06 , C07D417/06 , H10F39/12
Abstract: 本发明提供一种光电转换元件、成像元件、光传感器及化合物,该光电转换元件具有吸收峰的半宽度窄的光电转换膜且光电转换效率优异。本发明的光电转换元件依次具有导电性膜、光电转换膜及透明导电性膜,其中,光电转换膜包含式(1)所表示的化合物。#imgabs0#
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公开(公告)号:CN112154549A
公开(公告)日:2020-12-29
申请号:CN201980034216.0
申请日:2019-05-23
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L51/42 , C07D495/04 , H01L27/30
Abstract: 本发明的第1课题在于提供一种具有吸收峰的半宽度窄的光电转换膜且耐热性优异的光电转换元件。并且,本发明的第2课题在于提供一种成像元件及光传感器。并且,本发明的第3课题在于提供一种新化合物。本发明的光电转换元件依次具有导电性膜、光电转换膜及透明导电性膜,其中,上述光电转换膜包含式(1)所表示的化合物。
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公开(公告)号:CN111868951A
公开(公告)日:2020-10-30
申请号:CN201980020313.4
申请日:2019-03-26
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L51/42 , C07D209/12 , C07D209/60 , C07D209/96 , C07D401/06 , C07D403/06 , C07D417/06 , H01L27/146
Abstract: 本发明提供一种光电转换元件、成像元件、光传感器及化合物,该光电转换元件具有吸收峰的半宽度窄的光电转换膜且光电转换效率优异。本发明的光电转换元件依次具有导电性膜、光电转换膜及透明导电性膜,其中,光电转换膜包含式(1)所表示的化合物。
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公开(公告)号:CN111316451A
公开(公告)日:2020-06-19
申请号:CN201880072270.X
申请日:2018-11-13
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L31/10 , C07D495/04 , C07D495/14 , H01L27/146 , H01L27/30 , H01L51/42 , H01L51/44 , H01L51/46
Abstract: 本发明提供一种具有优异的耐热性的光电转换元件。并且,提供一种包括上述光电转换元件的光传感器及成像元件。提供一种适用于上述光电转换元件的化合物。本发明的光电转换元件依次具有导电性膜、光电转换膜及透明导电性膜,其中光电转换膜包含式(1)或(2)所表示的化合物。
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