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公开(公告)号：CN105027205A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201480012971.6
申请日：2014-01-22
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: G11B7/244 , B41M5/26 , G11B7/24 , G11B7/24035 , G11B7/24038
CPC classification number: G11B7/246 , C08F220/18 , C08F226/06 , C09D4/00 , G11B7/24038 , G11B7/2405 , G11B7/245 , G11B7/256 , C08F2220/185 , C08F220/34
Abstract: 本发明提供一种保存性等长期稳定性优异、且可利用峰值功率小的激光器进行记录的光学信息记录介质。光学信息记录介质10具有1个以上的记录层14。记录层14包含单光子吸收染料结合至高分子化合物而形成的记录材料，与单光子吸收染料分散于高分子化合物中的状态相比，该记录材料中高分子化合物与单光子吸收染料的耦合强度较大。
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公开(公告)号：CN106104833B
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201580014491.8
申请日：2015-03-26
Applicant: 富士胶片株式会社 , 国立大学法人东京大学
IPC: H01L51/30 , C07D493/14 , C07D495/14 , C07D497/14 , C07D513/14 , C07D517/14 , C07D519/00 , H01L21/336 , H01L21/368 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/40
Abstract: 一种有机晶体管，其具有半导体有源层，该半导体有源层含有由下式表示且分子量为3000以下的化合物(X为氧、硫、硒、碲原子或NR5；Y和Z为CR6、氧、硫、硒、氮原子或NR7；含有Y和Z的环为芳香族杂环；R1和R2中的任意一个与含有Y和Z的芳香族杂环、或者、R3和R4中的任意一个与苯环可以经由特定的二价连接基团而键合；R1、R2、R5～R8为氢原子、烷基、烯基、炔基、芳基或杂芳基；R3和R4为烷基、烯基、炔基、芳基或杂芳基；m和n为0～2的整数)，该有机晶体管的载流子迁移率高。本发明提供化合物、非发光性有机半导体器件用有机半导体材料、有机晶体管用材料、非发光性有机半导体器件用涂布液、有机晶体管的制造方法、有机半导体膜的制造方法、非发光性有机半导体器件用有机半导体膜、有机半导体材料的合成方法。
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公开(公告)号：CN108780844A
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201780017060.6
申请日：2017-03-14
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L51/30 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/40
CPC classification number: H01L29/786 , H01L51/05
Abstract: 本发明提供一种含有下述(a)～(c)的有机半导体组合物、使用了该组合物的有机薄膜晶体管的制造方法以及在有机半导体层具有上述(a)及(b)的有机薄膜晶体管：(a)特定分子量且特定结构的有机半导体聚合物；(b)特定分子量的绝缘性聚合物；(c)溶剂，上述有机半导体聚合物的重均分子量Mw1和上述绝缘性聚合物的重均分子量Mw2满足下述关系式：0.1≤Mw1/Mw2≤10，上述有机半导体组合物中的上述有机半导体聚合物的含量C1质量％和上述绝缘性聚合物的含量C2质量％满足下述关系式：0.1≤C1/C2≤10。
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公开(公告)号：CN105246699B
公开(公告)日：2018-07-24
申请号：CN201480030296.X
申请日：2014-05-12
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: B41M5/50 , B41M5/52 , G11B7/24 , G11B7/24038 , G11B7/245
CPC classification number: G11B7/246 , C09B5/347 , C09B57/00 , C09B69/10 , C09B69/105 , C09B69/109 , G11B7/24038 , G11B7/245
Abstract: 记录材料含有在高分子化合物上键合单光子吸收色素而成的色素键合高分子化合物，玻璃化转变温度高于200℃。此外，光信息记录介质(10)具备记录层(14)和与该记录层(14)邻接的中间层(15)，记录层(14)含有上述记录材料。
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公开(公告)号：CN104685567B
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201380050448.8
申请日：2013-09-02
Applicant: 富士胶片株式会社
CPC classification number: G11B7/24035 , G11B7/24038 , G11B7/245 , G11B7/246 , G11B7/256 , G11B7/26
Abstract: 本发明的目的是提供一种保存性等长期稳定性优异、并且可由峰值功率小的激光进行记录的光学信息记录介质、以及光学信息记录介质的制造方法。在具有记录层14以及与该记录层14相邻的中间层15(粘合剂层15A和记录层支持层15B)的光学信息记录介质10中，记录层14含有单光子吸收染料结合在高分子粘接剂(高分子化合物)上而成的记录材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106165105A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201580015681.1
申请日：2015-03-26
Applicant: 富士胶片株式会社 , 国立大学法人东京大学
IPC: H01L29/786 , C07D495/14 , H01L21/336 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/40
CPC classification number: H01L51/0074 , C07D495/14 , C09B57/00 , C09D5/24 , H01L51/0007 , H01L51/0558 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 一种非发光性有机半导体器件用涂布液，其含有通式(2)表示的化合物和沸点为100℃以上的溶剂(通式(2)中，R11和R12各自独立地表示氢原子、烷基、烯基、炔基或烷氧基，也可以具有取代基，通式(2)中的芳香族部分可以取代有卤原子)，该涂布液的载流子迁移率高。本发明提供有机晶体管、化合物、非发光性有机半导体器件用有机半导体材料、有机晶体管用材料、有机晶体管的制造方法和有机半导体膜的制造方法。
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公开(公告)号：CN101855740A
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN200880115752.5
申请日：2008-09-09
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L51/30 , C09B47/24 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/40
CPC classification number: H01L51/0078 , B82Y10/00 , C09B5/62 , C09B47/00 , C09B47/04 , C09B47/045 , C09B68/44 , C09B68/441 , C09B68/46 , C09B69/08 , H01L51/0047 , H01L51/0053 , H01L51/0068 , H01L51/0545
Abstract: 本发明公开一种制造脱取代的化合物的方法，其包括向具有溶剂可溶性基团B的化合物A-(B)m施加外部刺激(其中A代表溶剂不溶性化合物的残基，B代表特定的溶剂可溶性基团，m代表自然数，所述溶剂可溶性基团B与溶剂不溶性化合物的残基A的碳原子键合)，使所述溶剂可溶性基团B脱取代，和将所述化合物转化成由氢原子代替所述溶剂可溶性基团B而键合的溶剂不溶性化合物。本发明还公开一种制造有机半导体膜的方法，其包括在基板上形成具有式(2-I)代表的取代基的π-共轭化合物的膜，和使所述取代基从所述化合物脱取代；本发明还公开了通过这些方法得到的有机半导体膜和有机电子器件：式(2-I)其中R11代表氢原子之外的取代基。
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公开(公告)号：CN101675117A
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：CN200880007061.3
申请日：2008-03-05
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: C09B23/00 , C09B29/48 , C09B45/14 , C09B45/18 , C09B45/20 , C09B45/48 , C09B47/12 , C09B47/18 , C09B47/20 , G03F7/004
CPC classification number: C09B69/06 , C09B23/0008 , C09B23/0016 , C09B23/005 , C09B23/0066 , C09B23/0091 , C09B23/04 , C09B23/06 , C09B23/083 , C09B23/086 , C09B23/102 , C09B23/107 , C09B29/0033 , C09B29/0037 , C09B29/004 , C09B29/0048 , C09B29/0066 , C09B29/0081 , C09B29/0088 , C09B29/0092 , C09B29/0803 , C09B29/081 , C09B29/083 , C09B29/12 , C09B29/26 , C09B29/325 , C09B29/337 , C09B29/338 , C09B29/3604 , C09B29/3608 , C09B29/3634 , C09B29/3652 , C09B29/366 , C09B29/3673 , C09B47/14 , C09B47/18 , C09B47/20 , C09B47/22 , C09B47/24 , C09B47/26 , C09B69/04 , G03F7/091 , G03F7/36
Abstract: 本发明涉及从具有氧杂菁色素骨架的化合物，具有花青色素、苯乙烯基色素、部花青色素骨架的化合物，具有酞菁色素骨架的化合物，偶氮化合物，以及偶氮化合物与金属离子的络合物选择的光致抗蚀用化合物。另外，本发明提供了使用含有至少一种上述光致抗蚀用化合物的光致抗蚀液，以及使用上述光致抗蚀液的被加工表面的蚀刻方法。
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公开(公告)号：CN101189133A
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200680019831.7
申请日：2006-06-29
Applicant: 富士胶片株式会社
Abstract: 本发明提供了一种光学信息记录介质和一种记录信息的方法，所述光学信息记录介质包含在衬底上或在衬底上方的能够通过辐照波长为440nm或更短的激光束来记录信息的记录层，所述记录层包含分子中具有两个或更多个独立染料部分的染料，所述两个或更多个独立染料部分以除形成共轭键至所述染料部分之外的方式相互结合，所述记录信息的方法包括在根据上述本发明的光学信息记录介质之上或以上辐照波长为440nm或更短的激光束来记录信息。
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公开(公告)号：CN101146687A
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：CN200680009590.8
申请日：2006-03-23
Applicant: 富士胶片株式会社
CPC classification number: G11B7/249 , G11B7/245 , G11B7/246 , G11B7/2467 , G11B7/2478 , G11B7/2492 , G11B7/2495 , G11B7/2498 , G11B7/2531 , G11B7/2532 , G11B7/2533 , G11B7/2534 , G11B7/2535 , G11B7/256 , G11B7/259 , G11B2007/24612
Abstract: 本发明提供一种光学信息记录介质，所述光学信息记录介质具有记录层，能够通过使用440nm或更短的激光束辐照设置在衬底上的所述记录层记录信息。在所述光学信息记录介质中，所述记录层包含由式(1)表示的氧杂菁染料，并且这种染料的抗衡阳离子(Yt+)是吸收最大值与所述氧杂菁染料的阴离子部分的吸收最大值相比在更长的波长范围内的阳离子染料。在所述式中，A、B、C和D各自表示吸电子基团。A和B或C和D可以相互结合以形成环。如果这些基团不相互结合，则这些基团是其中A和B的哈米特σρ之和以及C和D的哈米特σρ之和各自大于0.6的吸电子基团。R表示次甲基碳上的取代基，并且m表示0至1的整数。n表示0至2m+1的整数。如果n为2或更大，则多个R可以彼此相同或不同，并且R和R可以结合在一起以形成环。Yt+表示t价阳离子，并且t表示1至4的整数。
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