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公开(公告)号：CN117412661A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202310820361.X
申请日：2023-07-05
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H10N30/853 , H10N30/50 , H10N30/30
Abstract: 本发明涉及压电层叠体及压电元件，所述压电层叠体及压电元件具有高压电特性且具备长期稳定性高的压电膜。所述压电层叠体在基板上依次具备下部电极层及压电膜，其中，在下部电极层与压电膜之间具备由导电性氧化物构成的种子层，压电膜包含由下述通式I表示的钙钛矿型氧化物，其中，A为A位元素，且为至少包括La的1个以上的元素，B1为B位元素，且为二价或三价的1个以上的元素，O为氧元素，x、y1、y2、α满足0.05＜x≤0.3，0.2x≤y1+y2≤0.5x，0≤y1≤0.15，0≤y2≤0.15，0≤α≤0.2。Pb1‑y2+αAy2{(Ti，Zr)1‑x‑y1NbxB1y1}O3通式I。
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公开(公告)号：CN115884657A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211004492.2
申请日：2022-08-22
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H10N30/87 , H10N30/50 , H10N30/853
Abstract: 本申请涉及压电层叠体及压电元件。本发明获得一种无需增加工艺负荷便可提高压电特性及驱动稳定性的压电层叠体及压电元件。压电层叠体及压电元件在基板上依次具备下部电极层、以及包含钙钛矿型氧化物的压电膜。下部电极层包括：第1层，以与基板相接的状态配置；及第2层，以与压电膜相接的状态配置，第1层以Ti或TiW为主成分，第2层是以Ir为主成分且(111)面取向的单轴取向膜，第2层的来自(111)面的X射线衍射峰的半峰半宽为0.3°以上。
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公开(公告)号：CN111902739B
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN201880091646.1
申请日：2018-12-20
Applicant: 富士胶片株式会社
Abstract: 本发明提供一种环境耐久性优异的防反射膜及光学部件。防反射膜具备配置于基材侧的电介质多层膜及层叠设置于电介质多层膜的以水合氧化铝为主要成分的微细凹凸层。电介质多层膜由具有相对高的折射率的高折射率层和具有相对低的折射率的低折射率层的交替层构成，电介质多层膜作为高折射率层及低折射率层中的1个层而包含由氮化硅构成的阻挡层，阻挡层的密度为2.7g/cm3以上且厚度为15nm以上且150nm以下。
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公开(公告)号：CN110476088B
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN201880021859.7
申请日：2018-02-01
Applicant: 富士胶片株式会社
Abstract: 本发明提供一种具备平坦的超薄膜的含银金属层的光学薄膜及其制造方法、及具备光学薄膜的光学元件、以及具备该光学元件的光学系统。设为如下光学薄膜：从基材侧依次层叠中间层、含有银的含银金属层及电介质层而成，在中间层与含银金属层之间具备Hamaker常数为7.3×10‑20J以上的锚金属扩散控制层，在锚金属扩散控制层与含银金属层之间具备包含锚金属的氧化物的锚区域，该锚金属具有小于含银金属层的表面能且比锚金属扩散控制层的表面能大的表面能，在含银金属层与电介质层之间具备包含锚金属的氧化物的罩体区域，含银金属层、锚区域及罩体区域的总计膜厚为6nm以下。
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公开(公告)号：CN110476088A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201880021859.7
申请日：2018-02-01
Applicant: 富士胶片株式会社
Abstract: 本发明提供一种具备平坦的超薄膜的含银金属层的光学薄膜及其制造方法、及具备光学薄膜的光学元件、以及具备该光学元件的光学系统。设为如下光学薄膜：从基材侧依次层叠中间层、含有银的含银金属层及电介质层而成，在中间层与含银金属层之间具备Hamaker常数为7.3×10-20J以上的锚金属扩散控制层，在锚金属扩散控制层与含银金属层之间具备包含锚金属的氧化物的锚区域，该锚金属具有小于含银金属层的表面能且比锚金属扩散控制层的表面能大的表面能，在含银金属层与电介质层之间具备包含锚金属的氧化物的罩体区域，含银金属层、锚区域及罩体区域的总计膜厚为6nm以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106132691B
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201580013441.8
申请日：2015-01-23
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: B32B9/00 , C23C16/42 , C23C16/505
CPC classification number: C23C16/401 , C23C16/308 , C23C16/345 , C23C16/505
Abstract: 本发明涉及一种阻气膜及阻气膜的制造方法。本发明的阻气膜为包含基材膜及无机层的阻气膜，其中，无机层含有Si、N、H及O，在膜厚方向中央部中，以大于5nm的膜厚包含Si、N、H及O的比均匀且O的比率较低的均匀区域，与任意一个以上的界面接触的区域为由O比率：(O的数量/Si、N及O的总数)×100％表示的O比率从均匀区域侧向界面方向增加，且O比率的每单位膜厚的变化量为2％/nm～8％/nm的含氧区域。阻气膜的制造方法包含通过等离子体CVD法形成无机层，且包含调整供给用于形成等离子体的功率从0kW达到最大值的时间及从供给高频率的功率的最大值达到0kW的时间。
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公开(公告)号：CN104203563B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201380017358.9
申请日：2013-02-28
Applicant: 富士胶片株式会社
CPC classification number: C23C16/345 , B05D7/04 , B05D7/54 , C23C16/401 , Y10T428/2495 , Y10T428/24975
Abstract: 通过本发明，作为基材与阻挡性层叠体的粘附性得到改善的阻气膜，提供一种阻气膜，其是依次包含塑料膜、有机层及无机层的阻气膜，在上述塑料膜及上述有机层之间，具有包含选自由硅氧化物、硅氮化物及硅碳化物组成的组中的1种以上的化合物的硅化合物层，上述塑料膜及上述的硅化合物层、以及上述的硅化合物层及上述有机层分别彼此邻接，上述的硅化合物层的膜厚为40nm以下，上述有机层为由包含聚合性化合物及硅烷偶联剂的组合物形成的层。
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公开(公告)号：CN104203563A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201380017358.9
申请日：2013-02-28
Applicant: 富士胶片株式会社
CPC classification number: C23C16/345 , B05D7/04 , B05D7/54 , C23C16/401 , Y10T428/2495 , Y10T428/24975
Abstract: 通过本发明，作为基材与阻挡性层叠体的粘附性得到改善的阻气膜，提供一种阻气膜，其是依次包含塑料膜、有机层及无机层的阻气膜，在上述塑料膜及上述有机层之间，具有包含选自由硅氧化物、硅氮化物及硅碳化物组成的组中的1种以上的化合物的硅化合物层，上述塑料膜及上述的硅化合物层、以及上述的硅化合物层及上述有机层分别彼此邻接，上述的硅化合物层的膜厚为40nm以下，上述有机层为由包含聚合性化合物及硅烷偶联剂的组合物形成的层。
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公开(公告)号：CN119730697A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411329804.6
申请日：2024-09-24
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H10N30/853 , H10N30/87
Abstract: 本发明涉及一种压电元件及致动器。本发明的课题在于以低成本提供可获得大驱动力、响应性良好且可获得长期可靠性的压电元件及压电致动器。在压电元件及致动器中，压电元件在基板上依次具备第1电极、第1压电膜、第2电极、第2压电膜及第3电极，第1压电膜及第2压电膜分别以钙钛矿型氧化物为主成分，第1压电膜及第2压电膜中的一个为外延膜，另一个为单轴取向膜。
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公开(公告)号：CN119630261A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411255598.9
申请日：2024-09-09
Applicant: 富士胶片株式会社
Abstract: 本发明提供一种压电层叠体及压电元件，具备晶种层时压电性能高且具有比以往更高的可靠性。压电层叠体及压电元件在基板上依次具备下部电极层、晶种层及压电膜，压电膜以包含Pb、Zr、Ti及Nb的第1钙钛矿型氧化物为主成分，晶种层以与第1钙钛矿型氧化物晶格匹配的第2钙钛矿型氧化物为主成分，压电膜在通过电子背散射衍射法获取的晶体粒径分布中粒径100nm以下的晶粒的比例为15％以下，并且在将极化‑电场特性中的正侧矫顽场设定为Ec+，将负侧矫顽场设定为Ec‑时满足|Ec++Ec‑|＜|Ec+‑Ec‑|55kV/cm≤Ec+≤75kV/cm75kV/cm≤Ec+‑Ec‑≤100kV/cm。
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