公开(公告)号：CN102522427A

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN201110414104.3

申请日：2009-01-28

Applicant: 富士电机株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 百田圣自 ,  阿部和 ,  椎木崇 ,  藤井岳志 ,  吉川功 ,  今川铁太郎 ,  小山雅纪 ,  浅井诚

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L27/0629 ,  H01L27/0658 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7815 ,  H01L29/7827

Abstract: 一种半导体装置，在第1导电型基板的第1主面上形成：主电流流过的主活性区域以及第1主电极；和对流过上述主活性区域的上述主电流的变动进行检测的电流检测结构区域以及与上述第1主电极分离的第2主电极。在上述基板的第2主面上形成第3主电极，上述主活性区域具有第1沟槽栅极结构部，在上述第1沟槽栅极结构部之间，形成对元件的控制不起作用的第1虚拟沟槽结构部，上述电流检测结构区域具有第2沟槽栅极结构部，在上述第2沟槽栅极结构部之间，形成对元件的控制不起作用的第2虚拟沟槽结构部。上述主活性区域，在上述第1沟槽栅极结构部和上述第1虚拟沟槽结构部之间、以及在上述第1虚拟沟槽结构部彼此之间，形成与上述第1主电极电绝缘的第1个第2导电型的层，且上述第1沟槽栅极结构部相互连接。上述电流检测结构区域，在上述第2沟槽栅极结构部和上述第2虚拟沟槽结构部之间、以及在上述第2虚拟沟槽结构部彼此之间，形成与上述第2主电极电连接的第2个第2导电型的层，且上述第2沟槽栅极结构部和上述第1沟槽栅极结构部相互连接。

公开(公告)号：CN110692140B

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN201880036426.9

申请日：2018-10-05

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 小幡智幸 ,  吉田崇一 ,  今川铁太郎 ,  百田圣自

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 提供一种半导体装置，其是具有晶体管部和二极管部的半导体装置，该半导体装置具备：栅极金属层，其设置于半导体基板的上表面的上方；发射电极，其设置于半导体基板的上表面的上方；第一导电型的发射区，其在晶体管部设置于半导体基板的上表面侧；栅极沟槽部，其在晶体管部设置于半导体基板的上表面侧，与栅极金属层电连接并且与发射区接触；发射极沟槽部，其在二极管部设置于半导体基板的上表面侧，并与发射电极电连接；以及虚设沟槽部，其设置于半导体基板的上表面侧，与栅极金属层电连接并且不与发射区接触。

公开(公告)号：CN103426911B

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201310173163.5

申请日：2013-05-10

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 小山弘美 ,  椎木崇 ,  福知辉洋 ,  百田圣自 ,  松井俊之

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/861 ,  H01L29/78 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/7393 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/404 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/8611

Abstract: 本发明提供一种尽可能地提高隔着表面的绝缘膜与金属电极接触的p型扩散区域的周边部的薄层电阻，且尽可能地减少成本上升，从而能够实现高反向恢复容量的半导体装置。半导体装置在n型的半导体基板（10）的一个主表面的表面层上具有p型扩散区域（1）和包围该p型扩散区域（1）的耐压区域（40），所述p型扩散区域（1）具有在表面覆盖有与表面进行欧姆接触的金属电极（7）的活性区域（30）和包围该活性区域（30）且在表面具备绝缘膜（3）的环状的周边部（2），并具有选择性地扩散的p型扩散区域延伸部（60），以提高该环状的周边部（2）的内周端与外周端之间的薄层电阻。

公开(公告)号：CN102163552B

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201110045509.4

申请日：2011-02-22

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 百田圣自

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/0856 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734

Abstract: 本发明提供一种半导体元件的制造方法，该制造方法能够消除寄生元件的影响并防止导通电压增大。在半导体基板的正面形成贯通基极区域而到达漂移区域(1)的沟槽(3)。接着，隔着栅极绝缘膜(4)在沟槽(3)的内部以未到达与基极区域(2)的表面相同的高度的方式将栅电极(5)埋入，而形成第二凹部。接着，以在第二凹部的内部埋入的方式形成层间绝缘膜(7)。接着，进行深腐蚀，仅在栅电极(5)的表面残留层间绝缘膜(7)。然而，通过蚀刻，将基极区域(2)的表面层除去，直至基极区域(2)的表面位于比栅电极(5)和层间绝缘膜(7)的界面低的位置，而形成第一凹部(6)。接着，在第一凹部(6)的内部埋入源电极(8)。

公开(公告)号：CN115207113A

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202210186669.9

申请日：2022-02-28

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 佐藤茂树 ,  吉田崇一 ,  旭兴治 ,  百田圣自

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其具备：预先设定的第一沟槽长度的第一沟槽部；第二沟槽长度的第二沟槽部，所述第二沟槽长度比第一沟槽长度长；第一栅极布线部，其与第一沟槽部的端部电连接；以及第二栅极布线部，其与第一栅极布线部电连接，并且与第二沟槽部的端部电连接，第一栅极布线部的每单位长度的电阻率大于第二栅极布线部的每单位长度的电阻率。

公开(公告)号：CN110692140A

公开(公告)日：2020-01-14

申请号：CN201880036426.9

申请日：2018-10-05

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 小幡智幸 ,  吉田崇一 ,  今川铁太郎 ,  百田圣自

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 提供一种半导体装置，其是具有晶体管部和二极管部的半导体装置，该半导体装置具备：栅极金属层，其设置于半导体基板的上表面的上方；发射电极，其设置于半导体基板的上表面的上方；第一导电型的发射区，其在晶体管部设置于半导体基板的上表面侧；栅极沟槽部，其在晶体管部设置于半导体基板的上表面侧，与栅极金属层电连接并且与发射区接触；发射极沟槽部，其在二极管部设置于半导体基板的上表面侧，并与发射电极电连接；以及虚设沟槽部，其设置于半导体基板的上表面侧，与栅极金属层电连接并且不与发射区接触。

公开(公告)号：CN103022115B

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201210441210.5

申请日：2009-01-28

Applicant: 富士电机株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 百田圣自 ,  阿部和 ,  椎木崇 ,  藤井岳志 ,  吉川功 ,  今川铁太郎 ,  小山雅纪 ,  浅井诚

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/0629 ,  H01L27/0658 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7815 ,  H01L29/7827

Abstract: 本发明提供一种半导体装置。在主元件(24)的源电极(25)和电流检测元件(21)的电流感应电极(22)之间连接电流检测用的电阻。栅极绝缘膜(36)的绝缘耐压比反向偏压时可流过电流检测元件(21)的最大电流与上述电阻之积大。主元件(24)的p主体区域(32)的扩散深度比电流检测元件(21)的p主体区域(31)的扩散深度浅，主元件(24)的p主体区域(32)的端部的曲率比电流检测元件(21)的p主体区域(31)的端部的曲率小。因此，在外加反向偏压时，主元件(24)的p主体区域(32)的端部的电场变得比电流检测元件(21)的p主体区域(31)的端部的电场高，主元件(24)变得易于在电流检测元件(21)之前发生雪崩击穿。

公开(公告)号：CN102522427B

公开(公告)日：2014-07-30

申请号：CN201110414104.3

申请日：2009-01-28

Applicant: 富士电机株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 百田圣自 ,  阿部和 ,  椎木崇 ,  藤井岳志 ,  吉川功 ,  今川铁太郎 ,  小山雅纪 ,  浅井诚

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L27/0629 ,  H01L27/0658 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7815 ,  H01L29/7827

Abstract: 一种半导体装置，在第1导电型基板的第1主面上形成：主电流流过的主活性区域以及第1主电极；和对流过上述主活性区域的上述主电流的变动进行检测的电流检测结构区域以及与上述第1主电极分离的第2主电极。在上述基板的第2主面上形成第3主电极，上述主活性区域具有第1沟槽栅极结构部，在上述第1沟槽栅极结构部之间，形成对元件的控制不起作用的第1虚拟沟槽结构部，上述电流检测结构区域具有第2沟槽栅极结构部，在上述第2沟槽栅极结构部之间，形成对元件的控制不起作用的第2虚拟沟槽结构部。上述主活性区域，在上述第1沟槽栅极结构部和上述第1虚拟沟槽结构部之间、以及在上述第1虚拟沟槽结构部彼此之间，形成与上述第1主电极电绝缘的第1个第2导电型的层，且上述第1沟槽栅极结构部相互连接。上述电流检测结构区域，在上述第2沟槽栅极结构部和上述第2虚拟沟槽结构部之间、以及在上述第2虚拟沟槽结构部彼此之间，形成与上述第2主电极电连接的第2个第2导电型的层，且上述第2沟槽栅极结构部和上述第1沟槽栅极结构部相互连接。

公开(公告)号：CN103426911A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201310173163.5

申请日：2013-05-10

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 小山弘美 ,  椎木崇 ,  福知辉洋 ,  百田圣自 ,  松井俊之

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/861 ,  H01L29/78 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/7393 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/404 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/8611

Abstract: 本发明提供一种尽可能地提高隔着表面的绝缘膜与金属电极接触的p型扩散区域的周边部的薄层电阻，且尽可能地减少成本上升，从而能够实现高反向恢复容量的半导体装置。半导体装置在n型的半导体基板（10）的一个主表面的表面层上具有p型扩散区域（1）和包围该p型扩散区域（1）的耐压区域（40），所述p型扩散区域（1）具有在表面覆盖有与表面进行欧姆接触的金属电极（7）的活性区域（30）和包围该活性区域（30）且在表面具备绝缘膜（3）的环状的周边部（2），并具有选择性地扩散的p型扩散区域延伸部（60），以提高该环状的周边部（2）的内周端与外周端之间的薄层电阻。