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公开(公告)号:CN110138248A
公开(公告)日:2019-08-16
申请号:CN201811644677.3
申请日:2018-12-29
Applicant: 富士电机株式会社
Abstract: 提供一种不用对应用条件设置详细的制约、或选择容许过大的电流的电阻就能够抑制浪涌电压的浪涌电压抑制装置、使用该浪涌电压抑制装置的电力变换装置以及多相电动机驱动装置。浪涌抑制装置具备:多相电抗器(31u~31w),其插入于将多相电动机(14)与对该多相电动机进行驱动的多相逆变器(23)之间连接起来的多相线缆(Lu~Lw);以及二极管桥电路(32),其是将二极管臂(33u~33w)并联连接而成的,所述二极管臂(33u~33w)各自的中间点连接于多相电抗器与多相电动机之间的多相线缆,二极管桥电路的直流高电位侧及低电位侧与多相逆变器的直流高电位侧及直流低电位侧分别连接。
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公开(公告)号:CN109729751A
公开(公告)日:2019-05-07
申请号:CN201880003019.8
申请日:2018-02-08
Applicant: 富士电机株式会社
CPC classification number: G01R29/0814 , G01R29/00 , G01R29/08 , G01R29/0871 , G01R29/26 , H02M1/00 , H02M7/217 , H02M7/537
Abstract: 本发明提供一种评价方法、综合评价方法、评价装置及综合评价装置,对半导体器件的辐射噪声进行简便评价,并推定搭载了半导体器件的装置的辐射噪声。该评价方法具备:使通过负载电缆与负载并联连接的半导体器件进行开关动作的阶段;在开关动作过程中测定流过负载电缆的共模电流的阶段;以及基于共模电流输出辐射噪声的评价指标的阶段。
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公开(公告)号:CN102570626A
公开(公告)日:2012-07-11
申请号:CN201110369253.2
申请日:2011-11-18
Applicant: 富士电机株式会社
Abstract: 一种非接触供电装置和其控制方法,该非接触供电装置能实现电路的小型化、低成本化,使电路元件产生的损失降低而进行高效率且稳定的非接触供电。其具备通过与初级侧供电线(110)的磁耦合以非接触的方式授受电力的受电线圈(120)、经由谐振电容器C与受电线圈(120)连接的受电电路(310)。受电电路(310)具备由半导体开关Qu、Qx、Qv、Qy和二极管Du、Dx、Dv、Dy构成的电桥电路和平滑电容器C0,例如在下臂的半导体开关Qx、Qy分别并联连接电容器Cx、Cy而构成。
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