公开(公告)号：CN112236855A

公开(公告)日：2021-01-15

申请号：CN201980037057.X

申请日：2019-11-01

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 泷泽直树

IPC: H01L23/12 ,  H01L23/36 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

Abstract: 兼顾散热性和耐久性。半导体装置(1)包括：绝缘电路基板(2)，其具有绝缘板(20)、形成于绝缘板的上表面的第1金属层(21)、以及形成于绝缘板的下表面的第2金属层(22)；散热器(10)，在该散热器(10)的上表面配置绝缘电路基板；半导体元件(3)，其借助接合材料配置于第1金属层的上表面；以及外壳(11)，其包围绝缘电路基板和半导体元件的周围。第1金属层具有与半导体元件电连接的电路层(23、24、25)和相对于电路层空开间隙并形成为包围电路层的周围的环状层(26)。第2金属层配置于与环状层相对的部位。壳体部借助粘接剂(B)固定于环状层。

公开(公告)号：CN105655318B

公开(公告)日：2020-02-28

申请号：CN201510764946.X

申请日：2015-11-10

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 泷泽直树

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/31 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明提供一种在具备由外部端子(12)和与该外部端子的连接部(40)连接的内部端子(11)构成的外部输出端子的半导体装置中，在切开该内部端子和端子连结部时，抑制了在内部端子下产生间隙的半导体装置及其制造方法。通过在内部端子(11)的前端(11a)附近形成与水平树脂部(14)相连的树脂固定部(18)，在切断内部端子(11)和端子连结部(21)时，能够抑制在内部端子(11)下方产生间隙。

公开(公告)号：CN105655318A

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201510764946.X

申请日：2015-11-10

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 泷泽直树

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/31 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明提供一种在具备由外部端子(12)和与该外部端子的连接部(40)连接的内部端子(11)构成的外部输出端子的半导体装置中，在切开该内部端子和端子连结部时，抑制了在内部端子下产生间隙的半导体装置及其制造方法。通过在内部端子(11)的前端(11a)附近形成与水平树脂部(14)相连的树脂固定部(18)，在切断内部端子(11)和端子连结部(21)时，能够抑制在内部端子(11)下方产生间隙。

公开(公告)号：CN217444349U

公开(公告)日：2022-09-16

申请号：CN202220895813.1

申请日：2022-04-18

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 佐野真二 ,  泷泽直树 ,  关知则 ,  横山岳 ,  宫泽阳介

IPC: H01L21/677 ,  H01L21/67 ,  B23K37/00

Abstract: 本实用新型提供一种输送托盘及半导体装置的制造装置，抑制使用输送托盘而制造的产品组的品质的不均一。输送托盘包括单片托盘组和框。各单片托盘具有托盘部以及下端处于比托盘部的背面高的位置的耳部。框具有上表面和下表面、以及在托盘部配置于开口部的内部的状态下能够与耳部的下端抵接的抵接部。框的从下表面起算到抵接部为止的高度比从托盘部的背面起算到耳部的下端为止的高度低。即使在框的下表面与冷却板的设置面之间存在间隙，托盘部也进行位移，且背面与设置面接触。抑制搭载于输送托盘的处理对象组的接合层、的焊料的冷却速度的不均一、缩孔的产生，并抑制得到的产品组的品质的不均一。