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公开(公告)号:CN105590898A
公开(公告)日:2016-05-18
申请号:CN201510764757.2
申请日:2015-11-10
Applicant: 富士施乐株式会社
IPC: H01L21/78
CPC classification number: H01L33/0095 , B28D5/022 , B28D5/029 , H01L21/78 , H01S5/0202
Abstract: 本发明提供了一种制造半导体芯片的方法,所述方法包括步骤:形成位于衬底正面一侧的沟槽;以及利用旋转切割件从衬底背面一侧形成位于所述衬底背面一侧的与所述位于正面一侧的沟槽连通的沟槽并将所述衬底划片为多个半导体芯片,所述旋转切割件具有比所述位于正面一侧的沟槽的入口部分的宽度更厚的厚度,其中在具有不含顶面的锥形末端形状的所述切割件的顶部在沟槽宽度方向上的变化范围随着所述切割件的磨损而从被包括在所述位于正面一侧的沟槽中的范围变为离开所述位于正面一侧的沟槽的范围的制造条件下,在所述变化范围从被包括在所述位于正面一侧的沟槽中的范围变为离开所述位于正面一侧的沟槽的范围之前,停止使用所述切割件。
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公开(公告)号:CN105308724A
公开(公告)日:2016-02-03
申请号:CN201480035012.6
申请日:2014-06-25
Applicant: 富士施乐株式会社
IPC: H01L21/301
CPC classification number: H01L21/78 , B23D65/00 , B28D5/0011 , B28D5/022 , H01L21/3043 , H01L33/0095
Abstract: 切割部件的末端形状的设计方法包括如下各工序:在基板的正面上形成正面侧的沟槽;以及利用具有比正面侧的沟槽的宽度大的厚度的旋转切割部件来从基板的背面形成与正面侧的沟槽连通的背面侧的沟槽,从而将基板划片为半导体芯片。该设计方法包括如下各工序:准备末端部具有不同锥度的多个切割部件;准备具有相同形状的多个正面侧的沟槽;对于多个切割部件中的每一者,确认利用切割部件形成背面侧的沟槽获得的破裂状况;以及如果确认多个切割部件包含引起破裂的切割部件和不引起破裂的切割部件这两种,则将不引起破裂的切割部件的锥度作为用于批量制造工艺的切割部件的末端形状。
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公开(公告)号:CN112688167A
公开(公告)日:2021-04-20
申请号:CN202011580811.5
申请日:2017-11-08
Applicant: 富士施乐株式会社
IPC: H01S5/183 , H01S5/042 , H01S5/068 , H01S5/0683 , H01S5/42 , H01S5/02345
Abstract: 发光元件阵列。一种发光元件阵列包括通过连接至被配置为供应电流的端子的布线彼此并联连接的多个发光元件。在从端子沿着电流的路径到各个发光元件的布线上的路径长度当中具有最短路径长度的发光元件的数量为一。
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