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公开(公告)号：CN118275850B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410704907.X
申请日：2024-06-03
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明公开了一种消除负载干扰的功率半导体器件结温监测模型建立方法，该方法采用多元线性回归与矩阵运算相结合的方式，建立一个仅反映温敏电参数与结温之间映射关系的数学模型，消除了负载条件对结温测量的影响，避免了传统方法中因负载变化带来的测量误差。此外，本发明提供的结温模型结合了多个温敏电参数实现对于结温的监测，多个参数综合反应了功率半导体器件在不同工作条件下的热特性，进一步提高了结温监测的准确性。
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公开(公告)号：CN116165504B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202310186120.4
申请日：2023-03-01
Applicant: 安徽大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓晶体管阈值电压漂移检测及修正方法。通过对氮化镓晶体管进行脉冲测试，模拟其在电路中动态开关的工作情况，根据脉冲测试得到的动态转移曲线，标定出氮化镓晶体管阈值电压随着驱动电压应力值、应力时间等条件的漂移情况；定量分析出阈值电压漂移导致的动态电阻、栅极电荷等关键物理量的变化；在驱动端动态调整栅极驱动电压，修正氮化镓晶体管导通电阻、栅极电荷等物理量因阈值漂移导致的退化，提升氮化镓晶体管导通电阻稳定性。该发明方法可以有效抑制氮化镓晶体管性能在动态开关过程中的阈值电压漂移，提升氮化镓晶体管在高速开关工作中的稳定性和可靠性。
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公开(公告)号：CN116435417A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310692124.X
申请日：2023-06-13
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明公开了一种具有栅极自发光功能的氮化镓器件、制备方法和测试方法，氮化镓器件的栅极结构自上而下包括：半透明金属层，P型层，势垒层和沟道层。当对栅极施加正向驱动电压时，电子与空穴分别从沟道和栅极金属双向注入到异质结中，部分电子与空穴发生复合并产生光子，并穿过半透明金属电极发射出栅极。器件栅极结构在制备过程中采用半透明栅极金属技术，利用耐等离子体刻蚀的金属层保护栅极结构不受等离子体的刻蚀，并且保持良好的透光性。本发明使得相关测试仪器能够捕捉分析透过半透明栅极产生的电致发光，从而实现光学测试与电学测试同步分析。
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公开(公告)号：CN119051457A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411216193.4
申请日：2024-09-02
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明公开了一种双向CLLC谐振变换拓扑集成电感‑变压器及设计方法，属于电力电子变换器技术领域。在CLLC谐振变换器中，通过将电感和变压器集成在一起，以最大限度的降低绕组损耗和磁芯损耗。通过磁芯的特殊设计，使得电感磁通与变压器磁通互不耦合，准确计算激磁电感值和谐振电感值，有利于工业自动化生产。为减少谐振电感匝数以降低绕组损耗，通过变压器绕组不均衡设计分担谐振电感的感值。进一步的通过谐振电感绕组的部分交错设计，降低谐振电感的磁动势以减少电流的不均衡度。该磁芯结构能够满足CLLC双向运行的需求，具有高效率、高功率密度和高可靠性等优势。
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公开(公告)号：CN118385569B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410841005.0
申请日：2024-06-27
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明提供一种多组元金属纳米复合粉末和粉末制备工艺，在得到均匀分散的复合粉末浆料后，通过冷冻干燥法制备多组元基体和高含量纳米粒子的金属复合粉末。通过冷冻条件下产生的冰晶将复合粉末浆料的均匀分散状态保留下来，随着冰晶升华，利用粉末之间的范德华力，制备分散度高、包覆均匀的纳米修饰金属复合粉末。上述制备方法操作简单，绿色环保，成本低廉，适合大规模制备，且在制备过程中不会引入杂质，保护了浆料原始的化学特性。该粉末制备工艺制备出的复合粉末能够面向3D打印，实现增材制造过程中新相的原位形成，从而通过合金设计提高3D打印产品性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118444122B
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202410903381.8
申请日：2024-07-08
Applicant: 安徽大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提供一种SiC MOSFET栅氧老化状态在线监测电路与方法，通过漏源电压检测单元和信号判定单元实时监测栅极电压和漏源电压的变化，得到关于栅极电压变化的第二比较信号和关于漏源电压变化的第一比较信号，并将两个比较信号进行逻辑运算，根据逻辑运算结果的高电平持续时间得出两个能够体现SiC MOSFET栅氧层状况的参数，准确评估SiC MOSFET栅氧层的健康状况，有效提高SiC MOSFET的可靠性和使用寿命。且仅需一个电路即可实现两个时间参数的检测，具备电路结构简单，制备成本低的优点。
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公开(公告)号：CN118444121B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410881384.6
申请日：2024-07-03
Applicant: 安徽大学
IPC: G01R31/26 , G05B19/042
Abstract: 本发明涉及功率半导体器件结温检测技术领域，特别涉及一种基于开关延时的功率器件结温检测方法及电路。本发明的基于开关延时的功率器件结温检测方法，构建了分别基于功率器件的开通延时和关断延时的两个线性结温估算模型；计算多种工况下两个线性结温估算模型的估算结温与实际结温之间的平均绝对误差，并建立误差查找表；检测功率器件的实时数据，根据误差查找表选择平均绝对误差较小的模型估算出实时的结温。本发明通过基于开通延时和关断延时的检测数据分别构建了两个线性结温估算模型，利用平均绝对误差动态选择最佳测温参数，能够提高测温精度，另通过动态模型选择策略，有效避免不同负载条件下单一模型的误差过大问题，确保实时、准确估算功率器件的结温。
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公开(公告)号：CN118444121A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410881384.6
申请日：2024-07-03
Applicant: 安徽大学
IPC: G01R31/26 , G05B19/042
Abstract: 本发明涉及功率半导体器件结温检测技术领域，特别涉及一种基于开关延时的功率器件结温检测方法及电路。本发明的基于开关延时的功率器件结温检测方法，构建了分别基于功率器件的开通延时和关断延时的两个线性结温估算模型；计算多种工况下两个线性结温估算模型的估算结温与实际结温之间的平均绝对误差，并建立误差查找表；检测功率器件的实时数据，根据误差查找表选择平均绝对误差较小的模型估算出实时的结温。本发明通过基于开通延时和关断延时的检测数据分别构建了两个线性结温估算模型，利用平均绝对误差动态选择最佳测温参数，能够提高测温精度，另通过动态模型选择策略，有效避免不同负载条件下单一模型的误差过大问题，确保实时、准确估算功率器件的结温。
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公开(公告)号：CN118352422A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410445289.1
申请日：2024-04-12
Applicant: 中国科学技术大学 , 安徽大学 , 台达电子企业管理(上海)有限公司
IPC: H01L31/101 , H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L29/66 , H01L29/778 , H01L29/423 , H01L29/772 , H01L29/40
Abstract: 本发明公开一种Ⅲ族氮化物器件及其制备方法，岛状电极包括互联金属层和岛状结构层，通过感应耦合等离子体反应离子刻蚀技术和自对准技术制备。岛状电极结构可应用于光电探测器的正极和负极、高电子迁移率晶体管(HEMT)的栅极和横向场效应整流器(L‑FER)的阳极。岛状电极结构在偏压下，耗尽区域扩展到岛状电极四周，提高电场对载流子的耗尽效果，增强性能和可靠性，同时通过半透明互联金属层解决挡光问题，应用在光电探测器的正极和负极中增加光子吸收，提升光电流，应用在HEMT的栅极中降低漏电流和阻断状态下的穿通几率，应用在L‑FER的阳极中降低漏电流和正向导通电阻。
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公开(公告)号：CN116760302A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202311013642.0
申请日：2023-08-14
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明公开了一种同步整流控制系统与方法，采样电路用于采集所述变换器的输出电流信号和输出电压信号；根据输出电流信号和输出电压信号计算出变换器中储存的电荷值和负载的阻值；输出电压信号与比较模块内的参考电压进行比较，得到一误差信号；误差信号经过比例‑积分控制器计算后得到一脉冲频率调制信号；根据脉冲频率调制信号、电荷值和负载的阻值计算出所述同步整流导通时间。算法简单且计算时间更短，缩短了同步整流流过MOSFET二极管的时间，降低了导通损耗，提高了转换器的效率。
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