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公开(公告)号：CN119706250A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411811393.4
申请日：2024-12-10
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明涉及晶圆检测技术领域，具体涉及一种半导体缺陷检测多工位转移系统，本发明通过设置了晶圆上料区、等待区、检测区和下料区四个功能区域，并配备传送装置与抓取组件，优势显著；其一，上料区的第一传送装置可自动送待检晶圆盒至等待区，无需人工干预，节省时间，提高生产效率；其二，检测区抓取组件能高效在等待区与检测区转移晶圆，减少等待时间，提升检测设备利用率；其三，下料区的第二传送装置及时移走已检晶圆盒，优化工艺流程。各功能区的划分让晶圆转移有序，使整个流程顺畅。总之，该系统在提高生产效率、优化工艺流程等方面效果显著。
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公开(公告)号：CN119575691A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411763211.0
申请日：2024-12-03
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明公开了一种激光通信系统光轴平行度对准装置，涉及激光通信技术领域，包括三脚架和安装平台，所述三脚架的顶面上固定安装有相机支撑轴，所述相机支撑轴的两侧分别固定安装有第一通信相机和第二通信相机，所述第一通信相机的后端固定连接有第一像面探测器，所述第二通信相机的后端固定连接有第二像面探测器，所述安装平台的顶面上设置有移动板，所述移动板的顶面上安装有可转动的转动盘；本发明中，仅需要光电经纬仪和五棱镜来完成两次光轴基准转移，方法简单，可快速调节实现两光轴的平行同时，不需要大口径平行光管，能够在室外进行对准，应用场景广泛。
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公开(公告)号：CN114460732B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202210102696.3
申请日：2022-01-27
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请提供了一种大视场水下显微成像光学系统，涉及光学技术领域，其技术方案要点是：包括：沿光轴从物侧到像侧依次排列的：平面窗口；具有负光焦度的第一透镜；具有正光焦度的第二透镜；具有负光焦度的第三透镜；具有正光焦度的第四透镜；具有负光焦度的第五透镜；具有正光焦度的第六透镜；具有负光焦度的第七透镜；具有正光焦度的第八透镜；所述第一透镜的光焦度为φ1，整个光学系统的光焦度为φ，满足：‑0.95≤φ1/φ≤‑0.75；所述平面窗口到物面的距离L与光学系统焦距f满足：L≥0.6f。本申请提供的一种大视场水下显微成像光学系统具有在深水环境进行大视场微型生物或颗粒的显微成像观测的优点。
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公开(公告)号：CN115648036A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211206520.9
申请日：2022-09-29
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明公开一种用于抛光双面曲面单晶碳化硅的抛光装置及抛光方法，该用于抛光双面曲面单晶碳化硅的抛光装置包括：夹具，两个机器人和两个磨盘，所述夹具用于固定所述双面曲面单晶碳化硅；两个所述机器人均具有移动部；两个所述磨盘分别与两个所述移动部一一连接，所述移动部带动所述磨盘移动，用于对所述双面曲面单晶碳化硅的曲面进行打磨。本发明技术方案中，两个移动部带动两个所述磨盘分别移动，用于对所述双面曲面单晶碳化硅的曲面同时进行打磨，不仅能够满足对双面曲面单晶碳化硅的打磨条件，还能够双面抛光，提高对双面曲面单晶碳化硅的打磨效率。
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公开(公告)号：CN119644611A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411618941.1
申请日：2024-11-13
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请公开了一种偏轴反射系统主次镜装调方法、装置、设备及存储介质，所述方法包括：根据干涉仪和第一全息图检具位置的设置，将主镜放置于检测光路中并进行位置确定；根据位置确定的结果，将第二全息图检具放置于检测光路中以使第二全息图检具与主镜的定位基准保持一致；利用第二全息图检具对次镜进行定位，并通过检测光路调整次镜的位置和姿态，以使次镜与主镜位置达到要求。本申请旨在解决现有技术中主次镜装调需要补偿器，使得成本高且装调过程中容易积累误差，装调效果不佳，影响装调周期的技术难题，通过使用CGH技术，降低了补偿器的加工制作成本，提高检测和对准精度，整个过程操作简单，提高装调周期。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115609450B
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202211206757.7
申请日：2022-09-29
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明公开一种用于抛光大口径的单晶碳化硅的抛光装置，该抛光装置包括：夹具、机器人，磨盘和抛光部；夹具用于固定大口径的单晶碳化硅；机器人具有移动部；磨盘与移动部连接，移动部带动磨盘移动，用于对大口径的单晶碳化硅的曲面进行打磨；抛光部对应于大口径的单晶碳化硅的平面设置，抛光部能够转动用于对大口径的单晶碳化硅的平面进行打磨，且抛光部的面积大于大口径的单晶碳化硅的平面的面积。本发明技术方案中，机器人带动磨盘对大口径的单晶碳化硅的曲面打磨，抛光部转动对大口径的单晶碳化硅的平面打磨，能够满足双面抛光；同时抛光部的面积大于大口径的单晶碳化硅的平面的面积能够满足对大口径的单晶碳化硅的打磨条件。
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公开(公告)号：CN119246023A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202411767249.5
申请日：2024-12-04
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明公开了一种非球面反射镜的光轴检测装置及方法，涉及光学测量技术领域，所述非球面反射镜光轴的检测装置包括固定座、干涉仪、激光跟踪仪以及信息处理设备；固定座用以固定待检测的非球面反射镜，固定座固定非球面反射镜时，非球面反射镜的轴线沿左右向延伸；干涉仪设置于固定座的侧方，且沿上下向、左右向以及前后向活动设置，干涉仪的光源件朝向固定座设置，以朝非球面反射镜发出测量波；激光跟踪仪包括靶球，靶球能够在干涉仪与固定座之间沿上下向、左右向以及前后向活动，并能与非球面反射镜的周侧面相抵；本发明的技术方案能在不损伤镜面的前提下快速方便地确定大口径非球面反射镜的光轴位置。
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公开(公告)号：CN114002808B
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202111252108.6
申请日：2021-10-25
Applicant: 季华实验室
IPC: G02B13/00
Abstract: 本申请提供了一种红外成像光学系统，涉及光学技术领域，其技术方案要点是：包括沿光轴从物侧到像侧依次排列的：具有正光焦度的第一透镜；具有负光焦度的第二透镜；具有负光焦度的第三透镜；具有正光焦度的第四透镜；第一透镜的光焦度为Φ1，整个光学系统的光焦度为Φ，满足：0.40≤Φ1/Φ≤0.90；第一透镜与第二透镜的组合光焦度为Φ12，整个光学系统光焦度为Φ，满足：0.35≤Φ12/Φ≤0.52；第三透镜与第四透镜的组合光焦度为Φ34，整个光学系统光焦度为Φ，满足：1.02≤Φ34/Φ≤1.42。本申请提供的一种红外成像光学系统具有实现中波红外与长波红外的完全共光路设计、降低光学系统的空间尺寸以及具备大相对孔径成像能力、聚光能力强、成像质量优异的优点。
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公开(公告)号：CN113376821B
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202110302046.9
申请日：2021-03-22
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请提供了一种高分辨率显微成像光学系统，其技术方案要点是：包括：沿光轴从物到像依次排列的：第一镜组，沿光轴从物到像依次排列有正光焦度或光焦度为零第一透镜、正光焦度的第二透镜、正光焦度的第三透镜、正光焦度的第四透镜、负光焦度的第五透镜、正光焦度的第六透镜、正光焦度的第七透镜、负光焦度的第八透镜；第二镜组，沿光轴从物到像依次排列有正光焦度的第九透镜以及负光焦度的第十透镜；第一透镜组的光焦度φA与整个光学系统的光焦度φ的比值满足：0.45≤φA/φ≤0.65；第二镜组的光焦度φB与整个光学系统的光焦度φ的比值满足：‑0.05≤φB/φ≤‑0.025。本申请提供的高分辨率显微成像光学系统具有在长工作距离下实现高分辨率观测的优点。
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公开(公告)号：CN113376820B
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202110302023.8
申请日：2021-03-22
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请提供了一种大倍率显微成像光学系统及光学装置，其技术方案要点是：包括沿光轴从物侧到像侧依次排列的：第一镜组，第一镜组沿光轴从物侧到像侧依次排列有具有正光焦度的第一透镜、具有正光焦度的第二透镜、具有正光焦度的第三透镜、具有正光焦度的第四透镜、具有正光焦度的第五透镜、具有负光焦度的第六透镜、具有正光焦度的第七透镜；第二镜组，第二镜组包括具有负光焦度的第八透镜；第一镜组的光焦度φA与整个光学系统的光焦度φ的比值满足：0.055≤φA/φ≤0.075；第二镜组的光焦度φB与整个光学系统的光焦度φ的比值满足：‑0.5≤φB/φ≤‑0.3。本申请提供的一种大倍率显微成像光学系统及光学装置具有大倍率、分辨率高、工作距离长的优点。
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