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公开(公告)号:CN117098744A
公开(公告)日:2023-11-21
申请号:CN202280024808.6
申请日:2022-03-23
Applicant: 大金工业株式会社
IPC: C07C17/093
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够高度地去除含硫物质的有机氟化合物的制造方法,或者提供一种含硫物质的含量低的、含有有机氟化合物的组合物。本发明涉及有机氟化合物(pf)的制造方法等,该方法包括:[A]利用氟化剂将有机硫化合物(ss)氟化,得到含有有机氟化合物(pf)的组合物(α)的反应工序A;和[B]以40℃以上的温度使亲核试剂与上述组合物(α)反应的后处理工序B。
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公开(公告)号:CN106132915A
公开(公告)日:2016-11-16
申请号:CN201580014736.7
申请日:2015-03-19
Applicant: 大金工业株式会社
IPC: C07C41/22 , C07C41/30 , C07C43/225 , C07C327/26 , C07B61/00
Abstract: 本发明的课题在于提供一种不使用二溴二氟甲烷等毒性高的原料、通过简便的工序、几乎不生成难以分离的杂质地以高收率制造具有氧二氟亚甲基骨架的化合物的方法。通过使硫代羧酸酯(它能够根据需要通过使卤化硫代羰基化合物与特定的化合物反应得到)与式XFn(式中,X表示氯、溴或碘,n表示1~5的自然数)所示的化合物反应,能够高效地得到具有氧二氟亚甲基骨架的化合物。进一步根据需要使其与硼酸化合物等反应,能够高效地导入芳环基等各种基团。
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公开(公告)号:CN100595893C
公开(公告)日:2010-03-24
申请号:CN99813592.5
申请日:1999-11-22
Applicant: 大金工业株式会社
IPC: H01L21/306 , H01L21/308 , C09K13/08
CPC classification number: C09K13/08 , C03C15/00 , H01L21/31111
Abstract: 一种含氢氟酸的蚀刻溶液,其特征在于该蚀刻溶液蚀刻硅酸硼玻璃膜(BSG)或磷硅酸硼玻璃膜(BPSG)的蚀刻速率/蚀刻热氧化物膜(THOX)的蚀刻速率的比值在25℃为10以上。本发明还提供对需要蚀刻的物品进行蚀刻而生产蚀刻制品的方法及由此得到的产品。
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