公开(公告)号：CN104898038A

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201510274627.0

申请日：2015-05-26

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 陈晓明 ,  刘洋 ,  李松松 ,  张建伟 ,  朱慧超

IPC: G01R31/28 ,  G06F21/56

Abstract: 本发明提供的一种利用扫描链获取芯片逻辑结构方法，充分利用了芯片的固有扫描链结构，将时序逻辑电路分割成以寄存器为边界的组合逻辑块，采集真值；用Q-M化简法或其他的化简方法化简后，按照芯片输出和D触发器输入的逻辑表达式，构建整个芯片的逻辑结构。该方法在不需要破坏芯片的前提下反向分析出芯片的逻辑结构，使被植入硬件木马的芯片在应用前被检出，避免电子系统受到硬件木马的威胁，保证系统安全。

公开(公告)号：CN107169185B

公开(公告)日：2019-08-09

申请号：CN201710316927.X

申请日：2017-05-09

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 陈晓明 ,  赵智 ,  李松松 ,  张建伟

IPC: G06F17/50

Abstract: 一种基于窗口的双重图形版图配色方法，属于集成电路可靠性设计领域。本发明利用窗口作为最基础单元，将跨窗口图形设为最高优先级，进行预处理，在窗口内部使用奇数环理论，通过窗口的迭代进行版图的配色。采用本发明所述的版图颜色分配方法，可以有效地对版图进行颜色分配，减少缝合点和光刻热点数目，提高版图的可制造性。

公开(公告)号：CN105845664B

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201610341770.1

申请日：2016-05-20

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 陈晓明 ,  耿保林 ,  李松松 ,  张建伟

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明涉及一种基于冗余金属的过孔结构及电迁移修正方法。本发明的一种基于冗余金属的过孔结构，包括过孔和导线，过孔与导线连接处的侧面和末端分别设置有侧面冗余金属和末端冗余金属。其有益效果是：本发明的基于冗余金属的过孔结构无需增加导线的线宽，只需增加小块冗余金属，相对于传统修正方法能避免占用过多布线资源。虽然仅仅是小小的改动，但大大的提高了芯片的集成度。能够突破传统末端冗余金属的限制，在末端冗余达到关键长度后能进一步减小电迁移影响，提高互连线寿命。在电流不会流经的区域增加了较小的冗余金属，不会对时序造成过大影响。还具有制备工艺简单、制备成本低廉和使用寿命长的优点。

公开(公告)号：CN104849648B

公开(公告)日：2017-11-07

申请号：CN201510273862.6

申请日：2015-05-26

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 陈晓明 ,  刘洋 ,  李松松 ,  张建伟 ,  朱慧超

IPC: G01R31/28

Abstract: 本发明属于芯片安全检测技术领域，涉及一种提高木马活性的测试向量生成方法。统计芯片内部各节点出现逻辑0/1的概率，概率小于预设阈值的节点作为备选节点；收集能够使备选节点出现稀有逻辑值的向量，作为备选向量。消除备选向量中的重复项，按照每个向量同时触发备选节点个数降序排列，得到最终用于检测木马的向量。本发明的测试向量生成方法，充分利用了硬件木马与稀有节点相关联的特点，优先输入能够触发更多稀有节点出现稀有逻辑值的测试向量，可以提高硬件木马活性，缩短检测时间，提高木马检测覆盖率，使被植入硬件木马的芯片进入应用前被检出，避免电子系统受到硬件木马的威胁，保证系统安全。

公开(公告)号：CN104951600A

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201510304216.1

申请日：2015-06-04

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 陈晓明 ,  武文琦 ,  李松松 ,  朱慧超 ,  张建伟

IPC: G06F17/50

Abstract: 本发明提供了一种光刻友好型冗余金属填充方法，属于集成电路可制造性设计及电子设计自动化领域。本发明利用冗余金属作为可印性辅助图形，提供了针对T字型、L字型过孔和普通线端光刻畸变问题的预填充模型，并给出了相应的冗余金属预填充方案。在此基础上，本发明还提供了一种光刻友好型冗余金属填充流程，对原始版图分别进行预填充、常规填充和去掉预填充步骤，通过对比去掉预填充前后的光刻畸变情况，修正预填充方案。采用本发明所述的冗余金属填充方法，可以实现局部光刻畸变校正，改善局部金属密度，平衡冗余金属对光刻和平坦度的影响。