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公开(公告)号：CN105845664A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201610341770.1
申请日：2016-05-20
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L23/538 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/5386 , H01L21/76883
Abstract: 本发明涉及一种基于冗余金属的过孔结构及电迁移修正方法。本发明的一种基于冗余金属的过孔结构，包括过孔和导线，过孔与导线连接处的侧面和末端分别设置有侧面冗余金属和末端冗余金属。其有益效果是：本发明的基于冗余金属的过孔结构无需增加导线的线宽，只需增加小块冗余金属，相对于传统修正方法能避免占用过多布线资源。虽然仅仅是小小的改动，但大大的提高了芯片的集成度。能够突破传统末端冗余金属的限制，在末端冗余达到关键长度后能进一步减小电迁移影响，提高互连线寿命。在电流不会流经的区域增加了较小的冗余金属，不会对时序造成过大影响。还具有制备工艺简单、制备成本低廉和使用寿命长的优点。
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公开(公告)号：CN106055744A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610340954.6
申请日：2016-05-20
Applicant: 大连理工大学
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5081
Abstract: 本发明涉及一种基于格点的单元级的三维集成电路的电压降分析方法。本发明的一种基于格点的单元级的三维集成电路的电压降分析方法，首先，将三维集成电路的电源传输网络格点化，三维集成电路的每一个电流源或者电路交叉点均作为格点，并将电源网络等效为等效互连电路；然后，将高斯‑赛德尔迭代法应用于三维集成电路的电压降分析，逐层逐点计算电源传输网络的格点电压，根据格点电压计算得到全局电压降。其有益效果是：本发明的电压降分析方法将三维集成电路的电源传输网络格点化；然后运用高斯‑赛德尔迭代法(基于格点)应用于三维集成电路电源传输网络分析，逐层逐点计算全局电压降值；逐层逐点计算全局电压降，节省了内存空间。
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公开(公告)号：CN106055744B
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201610340954.6
申请日：2016-05-20
Applicant: 大连理工大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明涉及一种基于格点的单元级的三维集成电路的电压降分析方法。本发明的一种基于格点的单元级的三维集成电路的电压降分析方法，首先，将三维集成电路的电源传输网络格点化，三维集成电路的每一个电流源或者电路交叉点均作为格点，并将电源网络等效为等效互连电路；然后，将高斯‑赛德尔迭代法应用于三维集成电路的电压降分析，逐层逐点计算电源传输网络的格点电压，根据格点电压计算得到全局电压降。其有益效果是：本发明的电压降分析方法将三维集成电路的电源传输网络格点化；然后运用高斯‑赛德尔迭代法(基于格点)应用于三维集成电路电源传输网络分析，逐层逐点计算全局电压降值；逐层逐点计算全局电压降，节省了内存空间。
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公开(公告)号：CN105845664B
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201610341770.1
申请日：2016-05-20
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L23/538 , H01L21/768
Abstract: 本发明涉及一种基于冗余金属的过孔结构及电迁移修正方法。本发明的一种基于冗余金属的过孔结构，包括过孔和导线，过孔与导线连接处的侧面和末端分别设置有侧面冗余金属和末端冗余金属。其有益效果是：本发明的基于冗余金属的过孔结构无需增加导线的线宽，只需增加小块冗余金属，相对于传统修正方法能避免占用过多布线资源。虽然仅仅是小小的改动，但大大的提高了芯片的集成度。能够突破传统末端冗余金属的限制，在末端冗余达到关键长度后能进一步减小电迁移影响，提高互连线寿命。在电流不会流经的区域增加了较小的冗余金属，不会对时序造成过大影响。还具有制备工艺简单、制备成本低廉和使用寿命长的优点。
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