公开(公告)号：CN104951600A

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201510304216.1

申请日：2015-06-04

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 陈晓明 ,  武文琦 ,  李松松 ,  朱慧超 ,  张建伟

IPC: G06F17/50

Abstract: 本发明提供了一种光刻友好型冗余金属填充方法，属于集成电路可制造性设计及电子设计自动化领域。本发明利用冗余金属作为可印性辅助图形，提供了针对T字型、L字型过孔和普通线端光刻畸变问题的预填充模型，并给出了相应的冗余金属预填充方案。在此基础上，本发明还提供了一种光刻友好型冗余金属填充流程，对原始版图分别进行预填充、常规填充和去掉预填充步骤，通过对比去掉预填充前后的光刻畸变情况，修正预填充方案。采用本发明所述的冗余金属填充方法，可以实现局部光刻畸变校正，改善局部金属密度，平衡冗余金属对光刻和平坦度的影响。

公开(公告)号：CN104951600B

公开(公告)日：2017-12-26

申请号：CN201510304216.1

申请日：2015-06-04

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 陈晓明 ,  武文琦 ,  李松松 ,  朱慧超 ,  张建伟

IPC: G06F17/50

Abstract: 本发明提供了一种光刻友好型冗余金属填充方法，属于集成电路可制造性设计及电子设计自动化领域。本发明利用冗余金属作为可印性辅助图形，提供了针对T字型、L字型过孔和普通线端光刻畸变问题的预填充模型，并给出了相应的冗余金属预填充方案。在此基础上，本发明还提供了一种光刻友好型冗余金属填充流程，对原始版图分别进行预填充、常规填充和去掉预填充步骤，通过对比去掉预填充前后的光刻畸变情况，修正预填充方案。采用本发明所述的冗余金属填充方法，可以实现局部光刻畸变校正，改善局部金属密度，平衡冗余金属对光刻和平坦度的影响。