公开(公告)号：CN116015305A

公开(公告)日：2023-04-25

申请号：CN202211610490.8

申请日：2022-12-12

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 申人升 ,  周义喆 ,  常玉春 ,  曲杨 ,  娄珊珊

IPC: H03M1/56 ,  H03M1/54

Abstract: 本发明提供一种基于时钟锁定的低功耗单斜坡ADC电路，属于模拟集成电路领域。包括：斜坡产生电路，采样保持电路，比较器，三个寄存器，反相器以及开关。输入信号VPIXEL作为比较器的同相输入端，VRAMP作为比较器的反相输入端。根据比较器的基本性质可知，若输入信号VPIXEL大于VRAMP，则比较器的输出VCOMP_out为高电平；若输入信号VPIXEL小于比较信号，则比较器的输出VCOMP_out为低电平。本发明采用二分法的方式，确定输入电压所对应的范围，缩短并锁定计数器的工作区间，降低计数器的开关功耗，进而降低单斜坡ADC的功耗。

公开(公告)号：CN115833837A

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202211598509.1

申请日：2022-12-12

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 徐姣 ,  刘旭东 ,  常玉春 ,  程禹 ,  娄珊珊 ,  曲杨 ,  钟国强

IPC: H03M1/12 ,  H03M1/36 ,  H03M1/46

Abstract: 本发明提出一种高速Flash‑SAR混合式模数转换器，属于芯片技术领域。本发明包括采样开关、Flash ADC、比较器、电容式数模转换器、逐次逼近寄存器和数字纠错电路。本发明采用了全差分的结构，输入信号经过Flash ADC快速完成3位数字码的转换，同时控制电容式数模转换器的高三位电容对应开关的转换，并通过比较器完成后面位数的转换。本发明将电容阵列分为两段，每一段电容都采用基于二进制误差补偿的电容架构设计，减小了比较器的失调、顶板电压的不完全建立和转换开关本身的热噪声给系统带来的误差；且由于Flash ADC中编码电路的存在，实现从温度计码到二进制码的转换，节省了芯片的面积，降低了功耗。

公开(公告)号：CN115134541A

公开(公告)日：2022-09-30

申请号：CN202210699481.4

申请日：2022-06-20

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 常玉春 ,  娄珊珊 ,  曲杨 ,  钟国强 ,  程禹 ,  张为森 ,  孔祥和 ,  孙汉蔚 ,  周义喆 ,  李技烨 ,  牛仕泽

IPC: H04N5/355 ,  H04N5/374 ,  H04N5/378

Abstract: 一种同时具有高低增益和对数响应的高动态CMOS图像传感器及时序控制方法和读取方式，属于半导体光电方向图像传感器领域。本发明利用了在不同光强下电荷补偿元件分别工作在截止区和亚阈值区的原理：弱光和强光下电荷补偿元件处于截止区，无导通电流，此时本发明的像素结构与具有高低增益结构的高动态像素技术功能相同，因此在弱光下具有很强的探测能力；在超强光或者长积分时间下电荷补偿元件工作在亚阈值区，利用亚阈值区晶体管电流电压为对数关系的特性实现对过溢光生电荷的补偿，因此可在超高光强下成像。本发明在一次曝光下可以获得多幅相同积分时间的图像，对应弱光、强光和超强光，多幅图像即可合成一幅具有超高动态范围的图像。

公开(公告)号：CN113162613A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN202110581803.0

申请日：2021-05-24

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 常玉春 ,  周滔 ,  申人升 ,  冯国林 ,  王志硕 ,  刘岩 ,  娄珊珊 ,  钟国强 ,  曲杨 ,  程禹

IPC: H03L7/085 ,  H03L7/099

Abstract: 本发明涉及模拟集成电路技术领域，提供一种应用于图像传感器锁相环的线性相位误差比较器，包括：斜坡发生器和控制信号生成电路；所述控制信号生成电路，用于对输入参考时钟信号和输出时钟信号进行采样和比较，生成包含有相位差信息的控制信号，用于斜坡发生器的充放电控制；所述斜坡发生器，包括：基准电流源、电压跟随器、第一电容、基准电压源、第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第三PMOS晶体管、第四PMOS晶体管、第五PMOS晶体管、第六PMOS晶体管、第七PMOS晶体管、第八PMOS晶体管、第九PMOS晶体管、第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管。本发明能够实现线性的，连续的相位误差比较，降低相位误差比较器的量化噪声，实现低噪声锁相环。

公开(公告)号：CN116013858A

公开(公告)日：2023-04-25

申请号：CN202211599448.0

申请日：2022-12-12

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 常玉春 ,  程禹 ,  申人升 ,  娄珊珊 ,  钟国强 ,  曲杨 ,  潘冲

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 本发明提出一种垂直型CMOS电路结构及其制作方法，属于集成电路领域。制作步骤如下：在P型掺杂衬底上制作NMOS器件；在N型掺杂衬底上制作PMOS器件；分别制作与PMOS、NMOS中源、漏、栅相连接的金属接触点；利用键合设备对两片晶圆进行键合；对键合后晶圆进行减薄，并完成后续工艺；键合时，1个NMOS器件与多个PMOS器件形成垂直型CMOS结构，或者1个PMOS器件与两个以上NMOS器件形成垂直型CMOS结构。本发明的垂直型CMOS电路结构可以提高载流子迁移率；可以降低MOS管噪声；电路结构中将不存在闩锁效应；能提高单位面积内的晶体管数量；将省略部分光刻、刻蚀、注入和沉积工艺，提高生产效率。

公开(公告)号：CN115940953A

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202211598488.3

申请日：2022-12-12

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 张克雄 ,  潘旭辉 ,  常玉春 ,  刘宇帆 ,  曲杨 ,  曹伉

IPC: H03M1/12 ,  H04N25/00

Abstract: 本发明提出一种在模拟域实现CDS差值量化操作的SAR/SS ADC，属于模拟集成电路技术领域。本发明采用了在模拟域进行CDS差值量化操作，减少了一次量化过程，提升了读出链的工作速度；本发明采用SAR ADC和SS ADC混合结构的方式，减少了SAR ADC的面积消耗，面积上减少了约85％，同时采用了单调切换开关逻辑，相比传统SAR ADC功耗上减少了约97％；本发明采用了异步时钟模块为SS ADC转换部分的计数器提供时钟，避免了额外高频时钟信号的输入，简化了设计难度。本发明的实施解决了为CMOS图像传感器读出链设计一个面积小、结构简单、同时能完成CDS差值的量化操作的列级ADC的难题。

公开(公告)号：CN114567738A

公开(公告)日：2022-05-31

申请号：CN202210226033.2

申请日：2022-03-08

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 常玉春 ,  孙汉蔚 ,  孔祥和 ,  娄珊珊 ,  曲杨 ,  刘岩

IPC: H04N5/374 ,  H04N5/3745

Abstract: 本发明涉及模数转换器技术领域，提供一种应用于CMOS图像传感器的两步式单斜模数转换器，包括：存储模块、模数转换器模块和全局模块；所述模数转换器模块，包括：比较器、计数器、静态存储器和锁存器；所述全局模块，包括：斜坡产生模块和偏置产生模块；所述存储模块，包括：第二电容CS、第三电容CR、第一存储模块开关SS、第二存储模块开关RS、第三存储模块开关SR和第四存储模块开关RR。本发明能够提高单斜模数转换器的转换速度，以实现高帧频的图像传感器。

公开(公告)号：CN112420759A

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN202011243957.0

申请日：2020-11-10

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 曲杨 ,  常玉春 ,  梁红伟 ,  刘岩 ,  娄珊珊 ,  钟国强 ,  程禹 ,  宋辰昱 ,  曹伉

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/374

Abstract: 本发明涉及CMOS图像传感器技术领域，提供一种基于仿生视觉的CMOS图像传感器像素结构，包括：彩色信号收集单元、黑白信号收集单元、第三转移晶体管TG3、复位晶体管RST、源极跟随器SF和行选择晶体管RS；所述黑白信号收集单元，包括：第一钳位光电二极管PPD1、第一转移晶体管TG1和第一浮置扩散电容FD1；所述彩色信号收集单元，包括：第二钳位光电二极管PPD2、第二转移晶体管TG2和第二浮置扩散电容FD2。本发明能够在同一CMOS图像传感器中分别获得高灵敏度的黑白图像信号和彩色图像信号。