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公开(公告)号:CN114189636B
公开(公告)日:2024-03-05
申请号:CN202111497481.8
申请日:2021-12-09
Applicant: 大连理工大学人工智能大连研究院 , 大连理工大学
IPC: H04N25/20 , H04N25/70 , H04N25/50 , H04N25/616 , H04N25/78
Abstract: 一种多模式数字像素结构与逻辑控制方法,多模式数字像素结构集成了包括高增益运放、逻辑开关管、积分电容和多用电容的多模式CTIA像素单元和包括比较器、逻辑模块和静态存储器的兼容多模式的像素级模数转换结构。模拟像素通过多用电容的连接方式,实现多模式CTIA像素功能,模拟输出与比较器同相端连接,与斜波信号VRAMP进行比较,输出COMP_OUT经过逻辑结构控制静态存储器的写使能端。利用脉冲宽度调制方式,将全局计数器的数据控制写入静态存储器。通过选择器与逻辑信号H_CTRL和L_CTRL,实现可兼容多模式的像素级模数转换结构。本发明实现数字像素的多模式工作与转换,并保证转换数据的完整性。
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公开(公告)号:CN114189636A
公开(公告)日:2022-03-15
申请号:CN202111497481.8
申请日:2021-12-09
Applicant: 大连理工大学人工智能大连研究院 , 大连理工大学
Abstract: 一种多模式数字像素结构与逻辑控制方法,多模式数字像素结构集成了包括高增益运放、逻辑开关管、积分电容和多用电容的多模式CTIA像素单元和包括比较器、逻辑模块和静态存储器的兼容多模式的像素级模数转换结构。模拟像素通过多用电容的连接方式,实现多模式CTIA像素功能,模拟输出与比较器同相端连接,与斜波信号VRAMP进行比较,输出COMP_OUT经过逻辑结构控制静态存储器的写使能端。利用脉冲宽度调制方式,将全局计数器的数据控制写入静态存储器。通过选择器与逻辑信号H_CTRL和L_CTRL,实现可兼容多模式的像素级模数转换结构。本发明实现数字像素的多模式工作与转换,并保证转换数据的完整性。
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公开(公告)号:CN115134541B
公开(公告)日:2025-05-13
申请号:CN202210699481.4
申请日:2022-06-20
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 一种同时具有高低增益和对数响应的高动态CMOS图像传感器及时序控制方法和读取方式,属于半导体光电方向图像传感器领域。本发明利用了在不同光强下电荷补偿元件分别工作在截止区和亚阈值区的原理:弱光和强光下电荷补偿元件处于截止区,无导通电流,此时本发明的像素结构与具有高低增益结构的高动态像素技术功能相同,因此在弱光下具有很强的探测能力;在超强光或者长积分时间下电荷补偿元件工作在亚阈值区,利用亚阈值区晶体管电流电压为对数关系的特性实现对过溢光生电荷的补偿,因此可在超高光强下成像。本发明在一次曝光下可以获得多幅相同积分时间的图像,对应弱光、强光和超强光,多幅图像即可合成一幅具有超高动态范围的图像。
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公开(公告)号:CN115134541A
公开(公告)日:2022-09-30
申请号:CN202210699481.4
申请日:2022-06-20
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 一种同时具有高低增益和对数响应的高动态CMOS图像传感器及时序控制方法和读取方式,属于半导体光电方向图像传感器领域。本发明利用了在不同光强下电荷补偿元件分别工作在截止区和亚阈值区的原理:弱光和强光下电荷补偿元件处于截止区,无导通电流,此时本发明的像素结构与具有高低增益结构的高动态像素技术功能相同,因此在弱光下具有很强的探测能力;在超强光或者长积分时间下电荷补偿元件工作在亚阈值区,利用亚阈值区晶体管电流电压为对数关系的特性实现对过溢光生电荷的补偿,因此可在超高光强下成像。本发明在一次曝光下可以获得多幅相同积分时间的图像,对应弱光、强光和超强光,多幅图像即可合成一幅具有超高动态范围的图像。
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公开(公告)号:CN114567738B
公开(公告)日:2023-07-28
申请号:CN202210226033.2
申请日:2022-03-08
Applicant: 大连理工大学
IPC: H04N25/76 , H04N25/772
Abstract: 本发明涉及模数转换器技术领域,提供一种应用于CMOS图像传感器的两步式单斜模数转换器,包括:存储模块、模数转换器模块和全局模块;所述模数转换器模块,包括:比较器、计数器、静态存储器和锁存器;所述全局模块,包括:斜坡产生模块和偏置产生模块;所述存储模块,包括:第二电容CS、第三电容CR、第一存储模块开关SS、第二存储模块开关RS、第三存储模块开关SR和第四存储模块开关RR。本发明能够提高单斜模数转换器的转换速度,以实现高帧频的图像传感器。
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公开(公告)号:CN114567738A
公开(公告)日:2022-05-31
申请号:CN202210226033.2
申请日:2022-03-08
Applicant: 大连理工大学
IPC: H04N5/374 , H04N5/3745
Abstract: 本发明涉及模数转换器技术领域,提供一种应用于CMOS图像传感器的两步式单斜模数转换器,包括:存储模块、模数转换器模块和全局模块;所述模数转换器模块,包括:比较器、计数器、静态存储器和锁存器;所述全局模块,包括:斜坡产生模块和偏置产生模块;所述存储模块,包括:第二电容CS、第三电容CR、第一存储模块开关SS、第二存储模块开关RS、第三存储模块开关SR和第四存储模块开关RR。本发明能够提高单斜模数转换器的转换速度,以实现高帧频的图像传感器。
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