公开(公告)号：CN105102201A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201480018392.2

申请日：2014-03-20

Applicant: 大赛璐塑料株式会社 ,  株式会社大赛璐

Inventor： 池田大次

IPC: B29C45/14 ,  B23K26/00 ,  B29L9/00

CPC classification number: B23K26/0622 ,  B23K26/0093 ,  B23K26/082 ,  B23K26/364 ,  B23K26/40 ,  B23K2103/05 ,  B23K2103/10 ,  B23K2103/12 ,  B23K2103/15 ,  B23K2103/16 ,  B23K2103/18 ,  B23K2103/42 ,  B23K2103/50 ,  B29C45/14311 ,  B29C2045/14868 ,  B29K2705/00

Abstract: 本发明提供可以提高接合强度的复合成型体的制造方法。本发明的复合成型体制造方法是金属成型体和树脂成型体接合而成的复合成型体的制造方法，该方法包括：第1工序，该工序是对所述金属成型体10的接合面照射激光光斑径为10～200μm范围的激光而形成槽，形成直径为20～1000μm的圆形或与其同面积范围的一个区域的工序，所述第1工序以通过一次扫描连接激光照射的起始点和终点的方式形成槽，并将其进行反复多次扫描来形成被槽包围的一个区域；第2工序，重复所述第1工序，形成被槽包围的多个区域；第3工序，将含有形成有被所述槽包围的区域的金属成型体接合面的部分配置在模具内，并将待形成所述树脂成型体的树脂进行嵌入成型。

公开(公告)号：CN104602889A

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201380046151.4

申请日：2013-09-04

Applicant: 大赛璐塑料株式会社 ,  株式会社大赛璐

Inventor： 池田大次 ,  北川友纪 ,  朝见芳弘 ,  板仓雅彦

IPC: B29C45/14 ,  B23K26/36

CPC classification number: B29C45/14311 ,  B29K2305/00 ,  B29C45/14008 ,  B29C2045/14868

Abstract: 本发明提供接合强度高的复合成型体的制造方法。该复合成型体的制造方法是制造由金属成型体和树脂成型体接合而成的复合成型体的方法，其中，该方法包括下述工序：在所述金属成型体的与所述树脂成型体的接合面形成开口部的平均直径(Db)为1.0～1000μm、最大深度为10～1000μm的凹部、或开口部的平均宽度(Wb)为1.0～1000μm、最大深度为10～1000μm的槽的第1工序；在形成了所述凹部或槽的金属成型体的接合面形成开口部的平均直径(Ds)为0.01～50μm的凹部、或开口部的平均宽度(Ws)为0.01～50μm的槽的第2工序；其后，将金属成型体的包含接合面的部分配置在模具内，使用将要形成树脂成型体的树脂进行嵌件成型而得到复合成型体的第3工序。

公开(公告)号：CN104602889B

公开(公告)日：2017-07-18

申请号：CN201380046151.4

申请日：2013-09-04

Applicant: 大赛璐塑料株式会社 ,  株式会社大赛璐

Inventor： 池田大次 ,  北川友纪 ,  朝见芳弘 ,  板仓雅彦

IPC: B29C45/14 ,  B23K26/36

CPC classification number: B29C45/14311 ,  B29K2305/00

Abstract: 本发明提供接合强度高的复合成型体的制造方法。该复合成型体的制造方法是制造由金属成型体和树脂成型体接合而成的复合成型体的方法，其中，该方法包括下述工序：在所述金属成型体的与所述树脂成型体的接合面形成开口部的平均直径(Db)为1.0～1000μm、最大深度为10～1000μm的凹部、或开口部的平均宽度(Wb)为1.0～1000μm、最大深度为10～1000μm的槽的第1工序；在形成了所述凹部或槽的金属成型体的接合面形成开口部的平均直径(Ds)为0.01～50μm的凹部、或开口部的平均宽度(Ws)为0.01～50μm的槽的第2工序；其后，将金属成型体的包含接合面的部分配置在模具内，使用将要形成树脂成型体的树脂进行嵌件成型而得到复合成型体的第3工序。

公开(公告)号：CN116941019A

公开(公告)日：2023-10-24

申请号：CN202280016616.0

申请日：2022-02-24

Applicant: 国立大学法人东京大学 ,  株式会社大赛璐

Inventor： 竹谷纯一 ,  渡边峻一郎 ,  熊谷翔平 ,  韦潇竹 ,  池田大次 ,  佐藤弘树 ,  赤井泰之

IPC: H01L21/312

Abstract: 本公开提供一种适合于具有非化学计量组成的化合物的密封件。本公开涉及一种具有非化学计量组成的化合物用密封件，其包括：聚合物层和无机氧化物绝缘体层，所述聚合物层包括：包含有机溶剂可溶性聚合物的第一聚合物层。

公开(公告)号：CN114341104B

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN202080059299.1

申请日：2020-08-17

Applicant: 国立大学法人东京大学 ,  株式会社大赛璐

Inventor： 冈本敏宏 ,  黑泽忠法 ,  竹谷纯一 ,  池田大次 ,  赤井泰之

IPC: C07C311/48 ,  C07C211/64 ,  H01B1/12

Abstract: 本公开的新型掺杂物包含下述式(1)所示的阴离子和抗衡阳离子。在该式(1)中，R1和R2可以为选自硝基、氰基、酰基、羧基、烷氧基羰基、卤代烷基、磺基、烷基磺酰基、卤代磺酰基、卤代烷基磺酰基中的至少一种基团，或者也可以为R1与R2彼此键合而形成的基团[‑SO2‑L‑SO2‑](式中，L表示卤代亚烷基)。该抗衡阳离子也可以为下述式(2)所示的自由基阳离子。(式中，R1和R2为任选地彼此键合而形成杂环的吸电子性基团，R3～R5表示氢原子氢原子、任选地具有取代基的烃基或任选地具有取代基的杂环基)。该掺杂物能形成显现高传导率的导电性组合物。#imgabs0#

公开(公告)号：CN115461415B

公开(公告)日：2023-11-14

申请号：CN202180031352.1

申请日：2021-04-27

Applicant: 国立大学法人东京大学 ,  株式会社大赛璐

Inventor： 冈本敏宏 ,  黑泽忠法 ,  山下侑 ,  竹谷纯一 ,  池田大次 ,  横尾健 ,  赤井泰之

IPC: C08L101/12 ,  H01B1/12

Abstract: 本申请提供一种具有高导电性的导体材料。本公开的导体材料具有将掺杂剂掺杂进在侧链具有含杂原子的电子供给性基团的共轭高分子化合物而成的构成，该掺杂剂包含选自氮阴离子、硼阴离子、磷阴离子、以及锑阴离子中的阴离子和抗衡阳离子。作为所述阴离子，优选下述式(1)所示的阴离子。下述式(1)中，R1、R2相同或不同，表示电子吸引性基团。R1、R2任选地彼此键合而与邻接的氮原子共同形成环。#imgabs0#

公开(公告)号：CN116057058B

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN202180054043.6

申请日：2021-09-01

Applicant: 国立大学法人东京大学 ,  株式会社大赛璐

Inventor： 冈本敏宏 ,  黑泽忠法 ,  C·P·余 ,  竹谷纯一 ,  山元明人 ,  池田大次

IPC: C07D471/22 ,  H10K85/60 ,  H10K71/12

Abstract: 本发明提供一种能够通过印刷工艺形成体现高电荷迁移率的有机半导体的化合物。本公开的化合物如下述式(1)所示。下述式(1)中，X1、X2相同或不同，表示‑O‑、‑NR1‑或‑PR2‑。Y1、Y2相同或不同，表示氧原子或硫原子。Z1～Z8相同或不同，表示＝N‑或＝CR3‑。所述R1、R2、R3相同或不同，表示氢原子或有机基团。n表示0以上的整数。#imgabs0#

公开(公告)号：CN115397803A

公开(公告)日：2022-11-25

申请号：CN202180028713.7

申请日：2021-04-15

Applicant: 国立大学法人东京大学 ,  株式会社大赛璐

Inventor： 冈本敏宏 ,  黑泽忠法 ,  竹谷纯一 ,  池田大次 ,  横尾健 ,  赤井泰之

IPC: C07C211/56 ,  C08G61/12 ,  H01B1/12

Abstract: 本发明提供一种能形成具有高导电性的导体材料的掺杂剂。本公开涉及一种包含下述式(1)所示的自由基阳离子和抗衡阴离子的掺杂剂。下述式(1)中，R1～R3相同或不同，表示一价芳香族基团或下述式(r)所示的基团。需要说明的是，R1～R3中的至少一个为下述式(r)所示的基团。n表示自由基阳离子的价数，等于式中的氮原子的个数(n)。下述式(r)中，Ar1、Ar2、Ar3相同或不同，表示二价芳香族基团，Ar4、Ar5、Ar6、Ar7相同或不同，表示任选地具有下述式(sb)所示的取代基的一价芳香族基团。m、n相同或不同，表示0以上的整数。

公开(公告)号：CN115135640B

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202080096972.9

申请日：2020-02-19

Applicant: 株式会社大赛璐 ,  国立大学法人东京大学

Inventor： 池田大次 ,  横尾健 ,  赤井泰之 ,  冈本敏宏 ,  黑泽忠法 ,  竹谷纯一 ,  岑鼎海

IPC: C07D307/77 ,  C07D333/50 ,  C07D409/14 ,  C07D417/14 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H10K85/60 ,  H10K10/46 ,  H10K101/30

Abstract: 本发明提供化学稳定性优异、对溶剂具有高溶解性、且显示出优异的载流子迁移率的化合物。所述化合物为下述式(1)表示的化合物。[式(1)中，X1、X2、X3、R1～R10如说明书中所定义。]#imgabs0#

公开(公告)号：CN116918074A

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202280016632.X

申请日：2022-02-24

Applicant: 国立大学法人东京大学 ,  株式会社大赛璐

Inventor： 竹谷纯一 ,  渡边峻一郎 ,  熊谷翔平 ,  韦潇竹 ,  池田大次 ,  佐藤弘树 ,  赤井泰之

IPC: H01L29/786

Abstract: 本发明提供一种能廉价地制造，长期稳定性优异，p型晶体管与n型晶体管的动作的平衡良好，以高速进行动作的无机/有机混合互补型半导体器件。本公开涉及一种无机/有机混合互补型半导体器件，其包括：基板；p型有机半导体单晶层；所述基板与所述单晶层之间的n型非晶态金属氧化物无机半导体层；以及所述单晶层与所述无机半导体层之间的保护层，所述单晶层配置为：从与所述单晶层的主面垂直的方向观察时，所述单晶层的至少一部分与所述无机半导体层重叠，或所述单晶层不与所述无机半导体层重叠，所述单晶层与所述无机半导体层之间的距离为1mm以下，所述无机半导体层具有所述单晶层侧的氧缺陷量比所述基板侧的氧缺陷量多的、厚度方向的氧缺陷量的分布。