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公开(公告)号:CN104053813B
公开(公告)日:2015-11-25
申请号:CN201380005292.1
申请日:2013-01-11
Applicant: 大日本印刷株式会社
CPC classification number: B05B15/0437 , B05B12/22 , B05C21/005 , B32B37/182 , B32B38/0008 , B32B2310/0843 , B32B2311/00 , B32B2398/00 , C23C14/042 , H01L51/0011 , H01L51/5012 , H01L51/56
Abstract: 本发明是一种蒸镀掩模、蒸镀掩模装置的制造方法及有机半导体元件的制造方法,其课题为提供即使作为大型化也可同时满足高精细化与轻量化的蒸镀掩模、可将此蒸镀掩模高精度地调整位置于框体的蒸镀掩模装置的制造方法及可制造高精细的有机半导体元件的有机半导体元件的制造方法。层积而构成设置有缝隙的金属掩模和树脂掩模,所述树脂掩模位于所述金属掩模表面,并且纵横配置有两列以上与蒸镀制作的图案相对应的开口部。
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公开(公告)号:CN105336855B
公开(公告)日:2020-08-04
申请号:CN201510639737.2
申请日:2013-01-11
Applicant: 大日本印刷株式会社
Abstract: 本发明是一种蒸镀掩模、蒸镀掩模装置的制造方法及有机半导体元件的制造方法,其课题为提供即使作为大型化也可同时满足高精细化与轻量化的蒸镀掩模、可将此蒸镀掩模高精度地调整位置于框体的蒸镀掩模装置的制造方法及可制造高精细的有机半导体元件的有机半导体元件的制造方法。层积而构成设置有缝隙的金属掩模和树脂掩模,所述树脂掩模位于所述金属掩模表面,并且纵横配置有两列以上与蒸镀制作的图案相对应的开口部。
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公开(公告)号:CN109913802A
公开(公告)日:2019-06-21
申请号:CN201910052563.8
申请日:2014-03-24
Applicant: 大日本印刷株式会社
IPC: C23C14/04 , C23C14/12 , C23C14/24 , H01L21/673 , H01L51/50
Abstract: 本发明提供一种即使在大型化的情况下,也能够同时满足高精细化和轻质化二者,且可以在保持强度的同时形成高精细的蒸镀图案的蒸镀掩模;及可简便制造该蒸镀掩模的蒸镀掩模准备体或蒸镀掩模的制造方法;以及可制造高精细的有机半导体元件的有机半导体元件的制造方法。将设有缝隙(15)的金属掩模(10)、和在与缝隙(15)重合的位置设有与要蒸镀制作的图案相对应的开口部(25)的树脂掩模(20)叠层,金属掩模(10)具有设有缝隙(15)的一般区域(10a)、和壁厚厚于该一般区域的厚壁区域(10b)。
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公开(公告)号:CN109554663A
公开(公告)日:2019-04-02
申请号:CN201811201328.4
申请日:2014-03-24
Applicant: 大日本印刷株式会社
Abstract: 本发明提供一种即使在大型化的情况下,也能够同时满足高精细化和轻质化二者,且可以在保持强度的同时形成高精细的蒸镀图案的蒸镀掩模;及可简便制造该蒸镀掩模的蒸镀掩模准备体或蒸镀掩模的制造方法;以及可制造高精细的有机半导体元件的有机半导体元件的制造方法。将设有缝隙(15)的金属掩模(10)、和在与缝隙(15)重合的位置设有与要蒸镀制作的图案相对应的开口部(25)的树脂掩模(20)叠层,金属掩模(10)具有设有缝隙(15)的一般区域(10a)、和壁厚厚于该一般区域的厚壁区域(10b)。
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公开(公告)号:CN105322103B
公开(公告)日:2019-01-25
申请号:CN201510639578.6
申请日:2013-01-11
Applicant: 大日本印刷株式会社
Abstract: 本发明是一种蒸镀掩模、蒸镀掩模装置的制造方法及有机半导体元件的制造方法,其课题为提供即使作为大型化也可同时满足高精细化与轻量化的蒸镀掩模、可将此蒸镀掩模高精度地调整位置于框体的蒸镀掩模装置的制造方法及可制造高精细的有机半导体元件的有机半导体元件的制造方法。层积而构成设置有缝隙的金属掩模和树脂掩模,所述树脂掩模位于所述金属掩模表面,并且纵横配置有两列以上与蒸镀制作的图案相对应的开口部。
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公开(公告)号:CN105349946A
公开(公告)日:2016-02-24
申请号:CN201510639565.9
申请日:2013-01-11
Applicant: 大日本印刷株式会社
CPC classification number: B05B15/0437 , B05B12/22 , B05C21/005 , B32B37/182 , B32B38/0008 , B32B2310/0843 , B32B2311/00 , B32B2398/00 , C23C14/042 , H01L51/0011 , H01L51/5012 , H01L51/56
Abstract: 本发明是一种蒸镀掩模、蒸镀掩模装置的制造方法及有机半导体元件的制造方法,其课题为提供即使作为大型化也可同时满足高精细化与轻量化的蒸镀掩模、可将此蒸镀掩模高精度地调整位置于框体的蒸镀掩模装置的制造方法及可制造高精细的有机半导体元件的制造方法。层积而构成设置有缝隙的金属掩模和树脂掩模,所述树脂掩模位于所述金属掩模表面,并且纵横配置有两列以上与蒸镀制作的图案相对应的开口部。
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公开(公告)号:CN105322103A
公开(公告)日:2016-02-10
申请号:CN201510639578.6
申请日:2013-01-11
Applicant: 大日本印刷株式会社
CPC classification number: B05B12/20 , B05B12/22 , B05C21/005 , B32B37/182 , B32B38/0008 , B32B2310/0843 , B32B2311/00 , B32B2398/00 , C23C14/042 , H01L51/0011 , H01L51/5012 , H01L51/56 , H01L51/50
Abstract: 本发明是一种蒸镀掩模、蒸镀掩模装置的制造方法及有机半导体元件的制造方法,其课题为提供即使作为大型化也可同时满足高精细化与轻量化的蒸镀掩模、可将此蒸镀掩模高精度地调整位置于框体的蒸镀掩模装置的制造方法及可制造高精细的有机半导体元件的有机半导体元件的制造方法。层积而构成设置有缝隙的金属掩模和树脂掩模,所述树脂掩模位于所述金属掩模表面,并且纵横配置有两列以上与蒸镀制作的图案相对应的开口部。
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公开(公告)号:CN105274472A
公开(公告)日:2016-01-27
申请号:CN201510679326.6
申请日:2013-01-11
Applicant: 大日本印刷株式会社
CPC classification number: H01L51/0011 , C23C14/042 , C23C14/24 , C23C16/042 , H01L51/56 , Y10T29/49826
Abstract: 本发明提供一种即使在大型化的情况下也能够满足高精细化和轻量化二者的拼版蒸镀掩模的制造方法。配置于框体内的开口空间的多个掩模分别由设有缝隙的金属掩模、和位于该金属掩模的表面且纵横配置多列与要蒸镀制作的图案对应的开口部的树脂掩模构成,在其形成上,在所述框体上安装了各金属掩模及用于制作所述树脂掩模的树脂薄膜材料之后,通过对所述树脂薄膜材料进行加工,纵横地形成多个与要蒸镀制作的图案对应的开口部,制造上述构成的拼版蒸镀掩模。
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公开(公告)号:CN105102668A
公开(公告)日:2015-11-25
申请号:CN201480017634.6
申请日:2014-03-24
Applicant: 大日本印刷株式会社
CPC classification number: C23C14/042 , C23C14/048 , H01L51/0011 , H01L51/56
Abstract: 本发明提供一种即使在大型化的情况下,也能够同时满足高精细化和轻质化二者,且可以在保持强度的同时形成高精细的蒸镀图案的蒸镀掩模;及可简便制造该蒸镀掩模的蒸镀掩模准备体或蒸镀掩模的制造方法;以及可制造高精细的有机半导体元件的制造方法。将设有缝隙(15)的金属掩模(10)、和在与缝隙(15)重合的位置设有与要蒸镀制作的图案相对应的开口部(25)的树脂掩模(20)叠层,金属掩模(10)具有设有缝隙(15)的一般区域(10a)、和壁厚厚于该一般区域的厚壁区域(10b)。
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公开(公告)号:CN104053812B
公开(公告)日:2015-11-25
申请号:CN201380005281.3
申请日:2013-01-11
Applicant: 大日本印刷株式会社
CPC classification number: H01L51/0011 , C23C14/042 , C23C14/24 , C23C16/042 , H01L51/56 , Y10T29/49826
Abstract: 本发明提供一种即使在大型化的情况下也能够满足高精细化和轻量化二者的拼版蒸镀掩模的制造方法。配置于框体内的开口空间的多个掩模分别由设有缝隙的金属掩模、和位于该金属掩模的表面且纵横配置多列与要蒸镀制作的图案对应的开口部的树脂掩模构成,在其形成上,在所述框体上安装了各金属掩模及用于制作所述树脂掩模的树脂薄膜材料之后,通过对所述树脂薄膜材料进行加工,纵横地形成多个与要蒸镀制作的图案对应的开口部,制造上述构成的拼版蒸镀掩模。
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