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公开(公告)号：CN102956769B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201210286901.2
申请日：2012-08-13
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 一种氮化物半导体发光器件，包括按以下顺序设置的n型氮化物半导体层、V表面坑产生层、中间层、多量子阱发光层和p型氮化物半导体层。该多量子阱发光层是通过交替堆叠势垒层和具有低于势垒层的带隙能量的阱层所形成的层。V表面坑部分地形成于多量子阱发光层中，且V表面坑的开始点的平均位置位于中间层中。
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公开(公告)号：CN102299481B
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201110173888.5
申请日：2011-06-27
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/0014 , H01S5/0655 , H01S5/22 , H01S5/3063 , H01S5/3211 , H01S2301/176
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体激光器芯片及其制造方法，该氮化物半导体激光器芯片以降低的电功耗运行且有助于实现成本降低，且具有：有源层，由氮化物半导体形成；氮化物半导体层，形成在有源层之上；脊部，形成在氮化物半导体层的一部分中；以及导电膜，具有光吸收特性，并且在氮化物半导体层之上至少形成脊部的外侧区域中。脊部的脊宽度为2μm以上且6μm以下。
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公开(公告)号：CN1589503A
公开(公告)日：2005-03-02
申请号：CN02822978.9
申请日：2002-11-29
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L31/101 , H01L27/14
CPC classification number: H01L31/02161 , H01L31/103 , H01L31/1035
Abstract: 一层第一P型扩散层(101)和一层P型半导体层(102)设置在一个硅衬底(100)上，并且两层N型扩散层(103、103)设置在该P型半导体层(102)的正面上，以便形成两个光接收装置。三层透光性膜、一层第一二氧化硅膜(105)、一层氮化硅膜(106)、以及一层第二二氧化硅膜(107)设置在N型扩散层(103、103)上以及两扩散层(103、103)之间的P型半导体层(102)上。在制造工艺期间产生且分散和俘获到三层透光性膜之间的两个界面中的空穴可将P型半导体层(102)表面附近的场强减小到传统水平之下，并减少了导电型的反转，以便因此减小光接收装置之间的漏泄电流。
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公开(公告)号：CN111490455B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN201911208715.5
申请日：2019-11-30
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 提供一种改善动作电压且可靠性高的氮化物半导体激光元件。氮化物半导体激光元件至少包括：设置在第二导电型半导体层的脊部、覆盖所述脊部的上表面与所述脊部的两个侧面的一部分的导电性氧化物层、覆盖所述导电性氧化物层的一部分的电介质层、以及覆盖所述导电性氧化物层与所述电介质层的第一金属层，所述导电性氧化物层中的层叠于所述脊部的上表面的部分自所述电介质层露出，同时被所述第一金属层覆盖。
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公开(公告)号：CN111435782B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202010023097.3
申请日：2020-01-09
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 亚力克斯约丁 , 谷本佳美 , 谷善彦 , 瓦莱里·贝里曼-博斯奎特
Abstract: 本发明提供发光元件(半导体激光元件1)，其具有依次层叠基板(21)、半导体层(22～27)、绝缘层(28)以及金属层(29)的层叠结构，具备多个放射激光的发光部(11)，多个发光部(11)具有脊(脊形波导路12)，至少一个发光部(11)中的从活性区域(24)的特定的位置至金属层(29)的内表面为止的距离与其他发光部(11)不同。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111525391A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN202010072729.5
申请日：2020-01-21
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本发明提供可得到获得良好的FFP且可靠性高的FFP的半导体激光元件。半导体激光元件(1)在半导体层(20)中具有：一对第2凹部(130)，其相对于在脊部(110)的两侧形成的第1槽部(120)而在光出射面(170)侧，夹着脊部(110)对置；和一对第3槽部(140)，其从光出射面(170)与第1槽部(120)平行并且夹着脊部(110)。
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公开(公告)号：CN109428264A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201810962554.8
申请日：2018-08-22
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 亚力克斯 , 约丁 , 谷善彦 , 瓦莱里·贝里曼-博斯奎特 , 伊藤茂稔
Abstract: 一种III族氮化物基激光发光装置包括：n侧III族氮化物基半导体区域；p侧III族氮化物基半导体区域；以及位于所述p侧III族氮化物基半导体区域和所述n侧III族氮化物基半导体区域之间的III族氮化物基有源区。所述III族氮化物基有源区包括第一量子阱层和第二量子阱层，以及位于第一量子阱层和第二量子阱层之间的势垒层，第一量子阱层和第二量子阱层各自的组分包括各自不同的铟含量。所述第一量子阱比所述第二量子阱更靠近n侧III族氮化物基半导体区域，所述第二量子阱比所述第一量子阱更靠近p侧III族氮化物基半导体区域，并且第一量子阱具有比第二量子阱更大的带隙。
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公开(公告)号：CN102299481A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201110173888.5
申请日：2011-06-27
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/0014 , H01S5/0655 , H01S5/22 , H01S5/3063 , H01S5/3211 , H01S2301/176
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体激光器芯片及其制造方法，该氮化物半导体激光器芯片以降低的电功耗运行且有助于实现成本降低，且具有：有源层，由氮化物半导体形成；氮化物半导体层，形成在有源层之上；脊部，形成在氮化物半导体层的一部分中；以及导电膜，具有光吸收特性，并且在氮化物半导体层之上至少形成脊部的外侧区域中。脊部的脊宽度为2μm以上且6μm以下。
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公开(公告)号：CN100343997C
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：CN02823267.4
申请日：2002-12-10
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L31/0216
CPC classification number: H01L31/103 , H01L31/02161
Abstract: 一种光接收装置包括硅衬底100、在所述衬底100上的第一P型扩散层101、以及在所述第一P型扩散层101上的P型半导体层102。在所述P型半导体层102表面部分上，设置两个N型扩散层103和103作为光接收部分，并且设置第二P型扩散层104在所述两个N型扩散层103和103之间。在所述P型半导体层102上，设置由通过热氧化形成的第一氧化硅107以及通过CVD形成的第二氧化硅108组成的抗反射薄膜结构106。所述第一氧化硅107的薄膜厚度设定为大约15nm，因此防止在所述第一氧化硅107与所述P型半导体层102之间的界面上的缺陷。所述第二氧化硅108的薄膜厚度设定为大约100nm，因此当长时间施加电源电压时防止在阴极之间的漏电流。
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公开(公告)号：CN107924966B
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN201580046876.2
申请日：2015-08-31
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L33/32 , H01L21/205
Abstract: 氮化物半导体发光元件(1)至少具备n型氮化物半导体层(8)、发光层(14)、p型氮化物半导体层(16)。n型氮化物半导体层(8)和发光层(14)之间，设置有具有1组以上的第一半导体层(121)和第二半导体层(122)的层叠结构的多层结构体。第二半导体层(122)的带隙能量比第一半导体层(121)的带隙能量大。第一半导体层(121)和第二半导体层(122)的各自的厚度大于10nm而在30nm以下。或者，在重视室温下的发光效率的用途中，第一半导体层(121)的厚度大于10nm而在30nm以下，第二半导体层(122)的厚度大于10nm而在40nm以下，发光层上形成有在其剖视时为V字形的凹部。
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