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公开(公告)号：CN103451725A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201310216533.9
申请日：2013-06-03
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本发明提供一种气相生长装置及氮化物半导体发光元件的制造方法。该气相生长装置具有：用来在基板上形成膜的反应室；设置于反应室的内部，并且用来保持基板的基板保持部；顶板，其设置在被基板保持部保持的基板和与基板相向的反应室的内壁面之间，用来向基板上输送提供到反应室内部的原料气体；温度控制部，其通过控制在与顶板相向的反应室的内壁面与顶板之间流动的第一气体的流量，将在基板上形成膜时的顶板的温度保持为一定。
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公开(公告)号：CN102956769A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201210286901.2
申请日：2012-08-13
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 一种氮化物半导体发光器件，包括按以下顺序设置的n型氮化物半导体层、V表面坑产生层、中间层、多量子阱发光层和p型氮化物半导体层。该多量子阱发光层是通过交替堆叠势垒层和具有低于势垒层的带隙能量的阱层所形成的层。V表面坑部分地形成于多量子阱发光层中，且V表面坑的开始点的平均位置位于中间层中。
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公开(公告)号：CN102956769B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201210286901.2
申请日：2012-08-13
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 一种氮化物半导体发光器件，包括按以下顺序设置的n型氮化物半导体层、V表面坑产生层、中间层、多量子阱发光层和p型氮化物半导体层。该多量子阱发光层是通过交替堆叠势垒层和具有低于势垒层的带隙能量的阱层所形成的层。V表面坑部分地形成于多量子阱发光层中，且V表面坑的开始点的平均位置位于中间层中。
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公开(公告)号：CN103451725B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201310216533.9
申请日：2013-06-03
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本发明提供一种气相生长装置及氮化物半导体发光元件的制造方法。该气相生长装置具有：用来在基板上形成膜的反应室；设置于反应室的内部，并且用来保持基板的基板保持部；顶板，其设置在被基板保持部保持的基板和与基板相向的反应室的内壁面之间，用来向基板上输送提供到反应室内部的原料气体；温度控制部，其通过控制在与顶板相向的反应室的内壁面与顶板之间流动的第一气体的流量，将在基板上形成膜时的顶板的温度保持为一定。
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