公开(公告)号：CN109787087A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201811246829.4

申请日：2018-10-24

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 驹田聪 ,  津田有三

IPC: H01S5/20

Abstract: 本发明的课题在于在使用由氮化物半导体构成的基板的半导体激光元件中，一面抑制裂缝的产生一面良好地限制光，从而减低远场图案的纹波。氮化物半导体激光元件1在氮化物半导体基板11和n侧包覆层13之间顺次包括：AlGaN层的第一氮化物半导体层121、Al组分比小于第一氮化物半导体层121的AlGaN层的第二氮化物半导体层122、GaN层的第三氮化物半导体层123、InGaN层的第四氮化物半导体层124、以及AlGaN层的第五氮化物半导体层。

公开(公告)号：CN100355161C

公开(公告)日：2007-12-12

申请号：CN200510072704.0

申请日：2005-05-17

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 津田有三 ,  花冈大介 ,  石田真也

IPC: H01S5/02 ,  H01S5/022

Abstract: 一种氮化物半导体激光器件(10)，包括：氮化物半导体激光元件(11)，其具有谐振腔端面且能够发射波长最长为420nm的光；连接到所述氮化物半导体激光元件(11)的散热器(12)；管座(14)，其上安装有散热器(12)；以及设置在所述管座(14)上的光探测元件(13)，用于探测来自所述氮化物半导体激光元件(11)的激光束。所述氮化物半导体激光元件(11)、散热器(12)和光探测元件(13)密封在连接到管座(14)的罩(15)中，且所述罩(15)之内的气氛具有最高为-30℃的露点和最高100ppm的氧浓度。