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公开(公告)号：CN101529318B
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN200780038900.3
申请日：2007-09-07
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1335 , G02F1/1343
CPC classification number: G02F1/133553
Abstract: 本发明提供反射效率高的高画质的半透过型和反射型的液晶显示装置和液晶显示装置的制造方法。本发明的液晶显示装置包括使入射光向显示面反射的反射区域，上述反射区域包括金属层、在上述金属层上形成的绝缘层、在上述绝缘层上形成的半导体层、和在上述半导体层上形成的反射层，在上述金属层、上述绝缘层和上述半导体层中至少1个中形成有多个凹部，在上述反射区域的上述反射层中形成有与上述多个凹部相应的多个凹陷，上述多个凹部中的至少2个凹部的端部间的最短距离(a)为4μm以下。
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公开(公告)号：CN113924380B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN201980094712.5
申请日：2019-03-27
Applicant: 夏普株式会社
IPC: C23C14/04 , G09F9/30 , H05B33/04 , H05B33/10 , H05B33/12 , H05B33/22 , H10K50/844 , H10K71/16 , H10K71/00 , H10K59/122
Abstract: 蒸镀掩膜(10)包括框状的掩膜框架(12)和具有多个开口(4)的分割掩膜(2)，分割掩膜(2)被固定于掩膜框架(12)上，分割掩膜(2)的多个开口(4)为矩形状的开口(4)，开口(4)中，在与相对的顶点(P)分别对应的位置设置有切口部(4P)。
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公开(公告)号：CN102870163B
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201180021264.X
申请日：2011-01-28
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: G11C19/28 , G09G3/3677
Abstract: 本发明具有：第i电路部（1a、1b）（i为各个1≤i≤N（N为2以上的整数）的整数），其级联连接有多个移位寄存器级（SR1、SR2、…、SRn），通过上述第i电路部（1a、1b）各自专用的供给配线（10b、10c、10e、10f）被供给驱动各上述移位寄存器级（SR1、SR2、…、SRn）的驱动信号（CKA1、CKA2、CKB1、CKB2）；和上述供给配线（10b、10c、10e、10f）。
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公开(公告)号：CN102870220B
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201180021486.1
申请日：2011-02-23
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , G02F1/1345 , G02F1/1368 , H01L27/146
CPC classification number: H01L29/78663 , G02F1/13338 , G02F1/13624 , G06F3/0412 , H01L27/0207 , H01L27/0705 , H01L27/1222 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1251 , H01L29/78633 , H01L29/7869
Abstract: 氧化物TFT元件（3）的源漏电极层（3s、3d）由第一导电层形成，氧化物TFT元件（3）的栅极电极（3g）和a-SiTFT元件（5）的栅极电极（5g）由作为相同导电层的第二导电层形成，a-SiTFT元件（5）的源漏电极层（5s、5d）由第三导电层形成，在绝缘基板（2）叠层各导电层的厚度方向上，上述第三导电层形成于上述第二导电层的上层，上述第一导电层形成于上述第二导电层的下层。因此，能够实现能提高形成于绝缘基板上的晶体管元件的集成度的电路基板。
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公开(公告)号：CN101529317B
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN200780038782.6
申请日：2007-10-16
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1335 , G02F1/1368
CPC classification number: G02F1/133555 , G02F1/133553 , G02F1/136227 , G02F2201/34
Abstract: 本发明涉及液晶显示装置和液晶显示装置的制造方法。本发明提供一种反射效率高的高画质的半透过型和反射型液晶显示装置。本发明的液晶显示装置是具备反射区域的液晶显示装置，反射区域包括在具有多个凹部的金属层上形成的绝缘层、半导体层和反射层，在所述金属层的多个凹部之间，形成有多个分别具有底面、上表面和斜面的所述金属层的凸部，在设所述多个凸部各自的底面的宽度为a，底面与上表面之间的厚度为x，斜面相对于底面的倾斜角为θ，所述绝缘层、所述半导体层和所述反射层合计的厚度为y时，所述金属层的所述多个凸部的至少1个的底面的宽度a满足a≤2(x+y)/tanθ。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101688993A
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200880021979.3
申请日：2008-05-29
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1335 , G02F1/1333 , G02F1/1343 , G02F1/1368
CPC classification number: G02F1/133555 , G02F1/133553 , G02F1/13439 , G02F1/136286 , G02F2203/03
Abstract: 本发明以低成本提供反射光的利用效率优异、高画质的反射型或者半透过型的液晶显示装置和液晶显示装置的制造方法。本发明的液晶显示装置具有多个像素，在上述多个像素的各个中具有使入射光向显示面反射的反射部，上述反射部包括：具有多个开口部的金属层；和夹着绝缘层、形成在上述金属层上的反射层，上述反射层的表面具有根据上述金属层的截面形状形成的多个凹部和凸部，上述金属层的上述多个开口部中相邻的两个开口部之间的距离中，最短的距离为0.3μm以上3.0μm以下。
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公开(公告)号：CN101529317A
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200780038782.6
申请日：2007-10-16
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1335 , G02F1/1368
CPC classification number: G02F1/133555 , G02F1/133553 , G02F1/136227 , G02F2201/34
Abstract: 本发明涉及液晶显示装置和液晶显示装置的制造方法。本发明提供一种反射效率高的高画质的半透过型和反射型液晶显示装置。本发明的液晶显示装置是具备反射区域的液晶显示装置，反射区域包括在具有多个凹部的金属层上形成的绝缘层、半导体层和反射层，在所述金属层的多个凹部之间，形成有多个分别具有底面、上表面和斜面的所述金属层的凸部，在设所述多个凸部各自的底面的宽度为a，底面与上表面之间的厚度为x，斜面相对于底面的倾斜角为θ，所述绝缘层、所述半导体层和所述反射层合计的厚度为y时，所述金属层的所述多个凸部的至少1个的底面的宽度a满足a≤2(x+y)/tanθ。
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公开(公告)号：CN102834871B
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201180017672.8
申请日：2011-01-06
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: G11C19/184 , G09G3/3677 , G09G2310/0267 , G09G2310/0286 , G11C19/28
Abstract: 将单位电路(11)进行级联，以构成移位寄存器。单位电路(11)所包含的电容(Cap2)的一个电极与晶体管(T2)的栅极端子(节点(N1))相连接，其另一个电极与节点(N2)相连接。在节点(N1)的电位为低电平时，由晶体管(T3～T5)所构成的补偿电路对节点(N2)提供时钟信号(CKB)，在节点(N1)的电位为高电平时，由晶体管(T3～T5)所构成的补偿电路对节点(N2)施加低电平电位。由此，即使在晶体管(T2)的栅极电位随着时钟信号(CK)的变化而发生变化时，也会经由电容(Cap2)来提供抵消该变化的信号，从而使晶体管(T2)的栅极电位保持稳定。由此，来防止输出晶体管的控制端子电位随着时钟信号的变化而发生变化。
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公开(公告)号：CN102870220A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201180021486.1
申请日：2011-02-23
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , G02F1/1345 , G02F1/1368 , H01L27/146
CPC classification number: H01L29/78663 , G02F1/13338 , G02F1/13624 , G06F3/0412 , H01L27/0207 , H01L27/0705 , H01L27/1222 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1251 , H01L29/78633 , H01L29/7869
Abstract: 氧化物TFT元件（3）的源漏电极层（3s、3d）由第一导电层形成，氧化物TFT元件（3）的栅极电极（3g）和a-SiTFT元件（5）的栅极电极（5g）由作为相同导电层的第二导电层形成，a-SiTFT元件（5）的源漏电极层（5s、5d）由第三导电层形成，在绝缘基板（2）叠层各导电层的厚度方向上，上述第三导电层形成于上述第二导电层的上层，上述第一导电层形成于上述第二导电层的下层。因此，能够实现能提高形成于绝缘基板上的晶体管元件的集成度的电路基板。
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公开(公告)号：CN102870163A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201180021264.X
申请日：2011-01-28
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: G11C19/28 , G09G3/3677
Abstract: 本发明具有：第i电路部（1a、1b）（i为各个1≤i≤N（N为2以上的整数）的整数），其级联连接有多个移位寄存器级（SR1、SR2、…、SRn），通过上述第i电路部（1a、1b）各自专用的供给配线（10b、10c、10e、10f）被供给驱动各上述移位寄存器级（SR1、SR2、…、SRn）的驱动信号（CKA1、CKA2、CKB1、CKB2）；和上述供给配线（10b、10c、10e、10f）。
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