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公开(公告)号：CN101771098A
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN201010109509.1
申请日：2006-09-29
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 岸本克史
IPC: H01L31/075 , H01L31/20
CPC classification number: C23C16/24 , H01L21/0262 , H01L31/076 , H01L31/077 , H01L31/1824 , H01L31/202 , Y02E10/545 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 公开了一种硅基薄膜光电转换装置的制造方法，其特征在于：通过在同一等离子体CVD膜沉积室中，在形成于基板(1)上的透明导电膜(2)上顺序地形成第一p型半导体层(11)、i型非晶硅基光电转换层(12)、第一n型半导体层(13)、第二p型半导体层(21)、i型微晶硅基光电转换层(22)、和第二n型半导体层(23)而形成双pin结构堆叠体(30)，所述第一p型半导体层(11)、所述i型非晶硅基光电转换层(12)、和所述第一n型半导体层(13)在200-3000Pa的等离子体CVD膜沉积室中的膜形成压力和0.01-0.3W/cm2的单位电极面积的功率密度下形成。通过该方法，可以使用简化的生产设备以低成本和高效率制造具有好质量和高光电转换效率的硅基薄膜光电转换装置。
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公开(公告)号：CN101573782A
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200780048631.9
申请日：2007-12-05
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L31/04
CPC classification number: H01L21/02661 , C23C16/4408 , C23C16/45557 , H01L21/02532 , H01L21/02573 , H01L21/02592 , H01L21/02595 , H01L21/0262 , H01L31/0747 , H01L31/075 , H01L31/1804 , H01L31/1816 , H01L31/202 , Y02E10/547 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种半导体层的制造方法和半导体层制造装置以及使用它们制造的半导体器件。通过该半导体层的制造方法，能够缩短在形成半导体层之前用于降低反应室内存在的杂质浓度的处理时间，利用单室方式也能够形成优质的半导体层。本发明半导体层的制造方法在能够密闭的反应室(101)内部来形成半导体层，包括：使用置换气体来除去反应室(101)内部杂质的杂质除去工序、形成半导体层的半导体层形成工序，杂质除去工序是把由向反应室(101)内部导入置换气体的置换气体导入工序和把置换气体排出的排气工序构成的循环反复进行多次的工序，杂质除去工序至少在半导体层形成工序之前进行。
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公开(公告)号：CN101336467B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200680051801.4
申请日：2006-11-16
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/509
CPC classification number: H01J37/32541 , H01J37/32091 , H01J37/32568
Abstract: 一种等离子体加工装置，其中当阳极电极和阴极电极的面积增大时，尽管发生电极挠曲仍可以获得良好的膜沉积性质。等离子体加工装置(100)包括室(15)、气体引入部(28)、排气部分(29)和高频电源单元(30)。在室(15)中配置平面阳极电极(第一电极)(4)、平面阴极电极(第二电极)(12)，以及用于可滑动地将电极(4、12)彼此平行地支撑的第一支撑(6)和第二支撑(5)。阴极电极(12)相对于阳极电极(4)配置。阳极电极(4)和阴极电极(12)分别简单地安装在第一支撑(6)和第二支撑(5)上，而没有通过螺钉等固定。当阳极电极(4)和阴极电极(12)在其自身重量下自由挠曲时，它们的挠曲量彼此相等，而且电极(4、12)的最大挠曲量也彼此相等。
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公开(公告)号：CN101283455B
公开(公告)日：2010-04-21
申请号：CN200680036980.4
申请日：2006-09-29
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 岸本克史
IPC: H01L31/04 , C23C16/24 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/24 , H01L21/0262 , H01L31/076 , H01L31/077 , H01L31/1824 , H01L31/202 , Y02E10/545 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 公开了一种硅基薄膜光电转换装置的制造方法，其特征在于：通过在同一等离子体CVD膜沉积室中，在形成于基板(1)上的透明导电膜(2)上顺序地形成第一p型半导体层(11)、i型非晶硅基光电转换层(12)、第一n型半导体层(13)、第二p型半导体层(21)、i型微晶硅基光电转换层(22)、和第二n型半导体层(23)而形成双pin结构堆叠体(30)，所述第一p型半导体层(11)、所述i型非晶硅基光电转换层(12)、和所述第一n型半导体层(13)在200-3000Pa的等离子体CVD膜沉积室中的膜形成压力和0.01-0.3W/cm2的单位电极面积的功率密度下形成。通过该方法，可以使用简化的生产设备以低成本和高效率制造具有好质量和高光电转换效率的硅基薄膜光电转换装置。
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公开(公告)号：CN101283455A
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200680036980.4
申请日：2006-09-29
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 岸本克史
IPC: H01L31/04 , C23C16/24 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/24 , H01L21/0262 , H01L31/076 , H01L31/077 , H01L31/1824 , H01L31/202 , Y02E10/545 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 公开了一种硅基薄膜光电转换装置的制造方法，其特征在于：通过在同一等离子体CVD膜沉积室中，在形成于基板(1)上的透明导电膜(2)上顺序地形成第一p型半导体层(11)、i型非晶硅基光电转换层(12)、第一n型半导体层(13)、第二p型半导体层(21)、i型微晶硅基光电转换层(22)、和第二n型半导体层(23)而形成双pin结构堆叠体(30)，所述第一p型半导体层(11)、所述i型非晶硅基光电转换层(12)、和所述第一n型半导体层(13)在200－3000Pa的等离子体CVD膜沉积室中的膜形成压力和0.01－0.3W/cm2的单位电极面积的功率密度下形成。通过该方法，可以使用简化的生产设备以低成本和高效率制造具有好质量和高光电转换效率的硅基薄膜光电转换装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101952935B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN200980105797.9
申请日：2009-01-29
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/02 , C23C14/56 , C23C16/44 , H01L21/205 , H01L21/3065 , H01L21/677
CPC classification number: H01L21/6719 , H01L21/67775
Abstract: 真空处理装置(1)包括：第1处理室(101)，容纳被处理物(107)而进行真空处理；第2处理室(102)，容纳进行真空处理之前的被处理物和进行真空处理之后的被处理物，且可进行真空排气；门部(103)，在第1处理室和第2处理室之间，以能够对第1处理室装卸的方式安装；搬送装置(202)，通过门部(103)，将进行真空处理之前的被处理物从搬入部(108)搬入真空处理部(104)，并将进行真空处理之后的被处理物从真空处理部(104)搬送到搬出部(119)；以及移动机构(200)，将第1处理室和第2处理室隔开。
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公开(公告)号：CN102656664A
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201080055541.4
申请日：2010-12-08
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/44 , C23C16/503
CPC classification number: C23C16/4405 , B08B7/0035
Abstract: 在第1条件下，使阴极电极（11）以及阳极电极（12）间产生等离子体。接下来，在与第1条件不同的第2条件下，使等离子体产生。第2条件与第1条件相比，是使等离子体在阴极电极（11）与阳极电极（12）间向外周方向扩散的条件。由此，除了电极上的附着物以外，还能够迅速地去除设置在电极的外周附近的部件上的附着物。
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公开(公告)号：CN101573782B
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN200780048631.9
申请日：2007-12-05
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L31/04
CPC classification number: H01L21/02661 , C23C16/4408 , C23C16/45557 , H01L21/02532 , H01L21/02573 , H01L21/02592 , H01L21/02595 , H01L21/0262 , H01L31/0747 , H01L31/075 , H01L31/1804 , H01L31/1816 , H01L31/202 , Y02E10/547 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种半导体层的制造方法和半导体层制造装置以及使用它们制造的半导体器件。通过该半导体层的制造方法，能够缩短在形成半导体层之前用于降低反应室内存在的杂质浓度的处理时间，利用单室方式也能够形成优质的半导体层。本发明半导体层的制造方法在能够密闭的反应室(101)内部来形成半导体层，包括：使用置换气体来除去反应室(101)内部杂质的杂质除去工序、形成半导体层的半导体层形成工序，杂质除去工序是把由向反应室(101)内部导入置换气体的置换气体导入工序和把置换气体排出的排气工序构成的循环反复进行多次的工序，杂质除去工序至少在半导体层形成工序之前进行。
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公开(公告)号：CN102037791A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN200980118537.5
申请日：2009-05-14
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H05H1/46 , C23C16/509 , H01L21/205 , H01L21/3065
CPC classification number: C23C16/5096 , H05H1/2406 , H05H2001/2418
Abstract: 一种等离子处理装置，包括：反应室；用于对反应室导入反应气体的气体导入部；用于从反应室排出反应气体的排气部；由在反应室内配置成相对状且在反应气体中等离子放电的第1电极和第2电极的组构成的3组以上的放电部；用于水平状或垂直状支撑各组的所述第1电极和所述第2电极且使它们并排的支撑部；以及对全部组的放电部提供电力的电源部，所述电源部包括高频发生器、以及用于放大来自该高频发生器的高频电力而提供给第1电极的放大器，所述放电部中，一个放电部的第1电极和与该放电部相邻的其他放电部的第1电极经由单独的放大器连接到同一个高频发生器，或者经由放大器连接到不同的高频发生器，各放电部中的第2电极分别接地。
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公开(公告)号：CN1977436A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200580021687.6
申请日：2005-04-22
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H02J3/383 , G06Q50/06 , H02J3/06 , H02J3/386 , Y02E10/563 , Y02E10/763 , Y04S10/54 , Y04S10/60
Abstract: 一种使用自然能源的发电设备管理系统。通过对电力产生和消耗提供对价来促进发电设备的引入。发电设备管理系统包括使用自然能源的发电设备和用于管理关于所述发电设备的电力信息的管理服务器，其特征在于所述发电设备包括用于获取自然能源的能源获取部分、用于从所获取的自然能源产生电力的电力产生部分、用于创建关于由所述电力产生部分所产生的电力的发电电力信息的信息控制部分、以及用于发送所述电力信息到所述管理服务器的通信部分，并且其特征还在于所述管理服务器包括信息管理部分，用于根据预定对价信息确定从所述发电设备发送的电力信息的对价。
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