移位寄存器
    11.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102763167B

    公开(公告)日:2013-09-25

    申请号:CN201080064165.5

    申请日:2010-10-14

    Inventor: 小原将纪

    Abstract: 将包含补偿电路(21)的单位电路(11)多级连接,而构成移位寄存器。当从下下一级单位电路输出的第二复位信号(R2)变成高电平时,补偿电路(21)对追加输出端子(Z)施加比低电平电位更低的超射电位(Vos)(补偿用电位)。对TFT:T8(输出复位晶体管)的栅极端子提供从下一级单位电路中包含的追加输出端子(Z)输出的信号。对TFT:T8的栅极端子交替地施加高电平电位和极性与其相反的补偿用电位,由此,抑制TFT:T8的阈值电压移位,防止输出信号的复位时间随着时间的经过而变迟。

    移位寄存器
    12.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102763167A

    公开(公告)日:2012-10-31

    申请号:CN201080064165.5

    申请日:2010-10-14

    Inventor: 小原将纪

    Abstract: 将包含补偿电路(21)的单位电路(11)多级连接,而构成移位寄存器。当从下下一级单位电路输出的第二复位信号(R2)变成高电平时,补偿电路(21)对追加输出端子(Z)施加比低电平电位更低的超射电位(Vos)(补偿用电位)。对TFT:T8(输出复位晶体管)的栅极端子提供从下一级单位电路中包含的追加输出端子(Z)输出的信号。对TFT:T8的栅极端子交替地施加高电平电位和极性与其相反的补偿用电位,由此,抑制TFT:T8的阈值电压移位,防止输出信号的复位时间随着时间的经过而变迟。

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