公开(公告)号：CN104685639B

公开(公告)日：2016-11-30

申请号：CN201380049644.3

申请日：2013-09-19

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 原田真臣 ,  木本贤治 ,  小出直城 ,  山元良高 ,  中村京太郎

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0747

Abstract: 提供一种光电转换元件，包括第一导电型的半导体基板、设置在该半导体基板的一个表面上的第一导电型的第一半导体膜、在该表面上从该第一半导体膜独立地设置的第二导电型的第二半导体膜、以及设置在该半导体基板和该第一半导体膜之间和/或该半导体基板和该第二半导体膜之间的介质膜，在该第一半导体膜上以及该第二半导体膜上形成有金属间化合物层。

公开(公告)号：CN105981180A

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201580007656.9

申请日：2015-01-20

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 原田真臣 ,  神川刚 ,  辻埜和也 ,  小出直城 ,  浅野直城 ,  松本雄太

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0236

CPC classification number: H01L31/02363 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/0508 ,  H01L31/0516 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 光电转换元件具备n型单晶硅基板(1)。n型单晶硅基板(1)包括中心区域(11)和端部区域(12)。中心区域(11)是被具有与n型单晶硅基板(1)的中心点相同的中心点、并且将n型单晶硅基板(1)的四边中的最短的边的长度的40％的长度设为直径的圆包围的区域。并且，中心区域(11)具有厚度t1。端部区域(12)是从n型单晶硅基板(1)的端部起5mm以内的区域。并且，端部区域(12)配置于在n型单晶硅基板(1)的面内方向上比中心区域(11)更靠外侧的位置，具有比厚度t1薄的厚度t2。另外，端部区域(12)具有比中心区域(11)的平均面粗糙度小的平均面粗糙度。

公开(公告)号：CN105659389A

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201480058683.4

申请日：2014-10-24

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 木本贤治 ,  小出直城 ,  稗田健 ,  中村淳一

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0747

CPC classification number: H01L31/022441 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0747 ,  H02S10/00 ,  Y02E10/547

Abstract: 提供一种能够抑制包含杂质的非晶态半导体层与形成于该非晶态硅层上的电极的接触电阻变高，从而提高元件特性的光电转换元件。光电转换元件(10)具备半导体基板(12)、第1半导体层(20n)、第2半导体层(20p)、第1电极(22n)和第2电极(22p)。第1半导体层(20n)具有第1导电类型。第2半导体层(20p)具有与第1导电类型相反的第2导电类型。第1电极(22n)形成于第1半导体层(20n)上。第2电极(22p)形成于第2半导体层(20p)上。第1电极(22n)以及第2电极(22p)中的至少一方的电极包括多个金属晶粒。电极的面内方向上的金属晶粒的平均晶体粒径大于电极的厚度。

公开(公告)号：CN104685639A

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201380049644.3

申请日：2013-09-19

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 原田真臣 ,  木本贤治 ,  小出直城 ,  山元良高 ,  中村京太郎

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0747

CPC classification number: H01L31/022441 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/0747 ,  Y02E10/547

Abstract: 提供一种光电转换元件，包括第一导电型的半导体基板、设置在该半导体基板的一个表面上的第一导电型的第一半导体膜、在该表面上从该第一半导体膜独立地设置的第二导电型的第二半导体膜、以及设置在该半导体基板和该第一半导体膜之间和/或该半导体基板和该第二半导体膜之间的介质膜，在该第一半导体膜上以及该第二半导体膜上形成有金属间化合物层。

公开(公告)号：CN100588028C

公开(公告)日：2010-02-03

申请号：CN200680046410.3

申请日：2006-10-04

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 千叶恭男 ,  韩礼元 ,  小出直城 ,  城户政美

IPC: H01M14/00 ,  H01L31/04

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 本发明提供提高了光电转换效率的光电转换元件及使用该光电转换元件的太阳能电池。一种光电转换元件，其由吸附了染料的多孔半导体层(11)构成的光电转换层(31)、载流子输送层(4)和一对电极构成(3，7)，其中，所述光电转换层(31)的所述多孔半导体层(31)整体在近红外区的雾度为60%～95%。特别是当多孔半导体层(11)由多个层构成时，优选距光的入射侧最远的所述多孔半导体层在近红外区的雾度为60%～95%。