公开(公告)号：CN114519314B

公开(公告)日：2025-04-29

申请号：CN202011312648.4

申请日：2020-11-20

Applicant: 复旦大学

Inventor： 严昌浩 ,  曾璇 ,  蔡伟

IPC: G06F30/32

Abstract: 本发明属集成电路计算机辅助设计/电子设计自动化领域，具体涉及集成电路寄生参数提取方向中一种提高边界积分方程和随机混合法求解导体或介质平面边界面电荷密度的精度的方法。本方法以边界上待求点为球心构造一个半球体，与区域边界相交为一个平面圆盘，应用球面Green函数的第二类边界积分方程进行求解，将待求点处的面电荷密度转化为由半球面和平面圆盘构成的封闭曲面上的积分。本发明属一种局部性解法，可高精度计算局部边界上的面电荷密度，无需对互连线和介质边界表面进行离散；并具有随机法天然并行性的优势，易于实现大规模并行计算。

公开(公告)号：CN105320782A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201410268380.7

申请日：2014-06-16

Applicant: 复旦大学

Inventor： 曾璇 ,  邵嗣烘 ,  严昌浩 ,  蔡伟 ,  王冬

IPC: G06F17/50

Abstract: 本发明属半导体可制造性设计领域，具体涉及一种考虑研磨液影响的特征尺寸级化学机械抛光工艺仿真方法，该方法采用微小粒子表征化学机械抛光中的工艺材料，用NS流体力学方程表述粒子间相互作用，通过光滑化粒子流体动力学方法进行计算获得抛光仿真结果。本发明不依赖经验模型，只需根据工艺材料参数即可完成仿真，具有普适性强的优点。同时，仿真过程模拟抛光垫、抛光液、抛光颗粒与硅片之间实际物理过程，精度高。本发明可以对各类工艺条件进行有效仿真，为化学机械抛光工艺流程优化提供有效参考。

公开(公告)号：CN102136449A

公开(公告)日：2011-07-27

申请号：CN201010100154.X

申请日：2010-01-22

Applicant: 复旦大学

Inventor： 曾璇 ,  蔡伟 ,  朱恒亮 ,  陶俊 ,  杨帆 ,  罗旭

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/82 ,  G06F17/50

Abstract: 本发明涉及一种基于嵌套式准二阶随机配置法的工艺偏差下互连线寄生电容提取方法。该方法使用一阶嵌套式稀疏网格点来计算寄生电容的二阶Hermite随机多项式展开系数，利用一种误差校正技术来消除部分二次项的计算误差，从而得到工艺偏差下寄生电容的准二阶Hermite随机正交多项式模型。本发明对于包含d维随机变量的问题，使用的配置点个数为(2d+1)，远远小于非嵌套式稀疏网格随机配置法中二阶Hermite随机多项式模型的配置点个数(2d2+2d+1)，但能保持与非嵌套式稀疏网格随机配置法二阶Hermite随机多项式模型相当的精度。

公开(公告)号：CN102136449B

公开(公告)日：2013-11-27

申请号：CN201010100154.X

申请日：2010-01-22

Applicant: 复旦大学

Inventor： 曾璇 ,  蔡伟 ,  朱恒亮 ,  陶俊 ,  杨帆 ,  罗旭

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/82 ,  G06F17/50

Abstract: 本发明涉及一种基于嵌套式准二阶随机配置法的工艺偏差下互连线寄生电容提取方法。该方法使用一阶嵌套式稀疏网格点来计算寄生电容的二阶Hermite随机多项式展开系数，利用一种误差校正技术来消除部分二次项的计算误差，从而得到工艺偏差下寄生电容的准二阶Hermite随机正交多项式模型。本发明对于包含d维随机变量的问题，使用的配置点个数为(2d+1)，远远小于非嵌套式稀疏网格随机配置法中二阶Hermite随机多项式模型的配置点个数(2d2+2d+1)，但能保持与非嵌套式稀疏网格随机配置法二阶Hermite随机多项式模型相当的精度。