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公开(公告)号：CN117843040A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202311782336.3
申请日：2023-12-22
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明涉及一种基于Fe或Ni掺杂的花生状Co9S8材料及其制备和应用，该材料通过便捷的水热反应‑氢氩还原反应所得，首先水热后呈微米空心花生状，表面由明显鳞片状结构成。其次通过氢氩还原成功合成纯相Co9S8，表面片状进一步结晶变得紧密的同时花生状结构得到了完美的保留；进一步的，对前体硫化物进行阳离子掺杂，可以得到完整的花生状Fe和Ni掺杂Co9S8。由于不同阳离子对材料的介电、晶格畸变有显著影响，从而提高了花生状硫化物介电损耗能力；同时，本发明制备得到的Ni掺杂花生状Co9S8在1.6mm时的有效吸收带宽可以达到6GHz,Fe掺杂花生状Co9S8在1.5mm时最大反射损耗为‑46.2dB，均在Ku波段(12‑18GHz)频率范围内能实现微波全吸收，展现出优异的电磁波损耗能力。
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公开(公告)号：CN115520901B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202211057202.0
申请日：2022-08-30
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明涉及一种中空碳棒复合四氧化三铁核‑壳材料及其制备和应用。中空碳棒复合四氧化三铁核‑壳材料包括立方体状四氧化三铁内核和在内核的平面上垂直生长的中空碳棒外壳，且内核与外壳构成具有纳米天线形状的蛋黄‑壳结构。本发明采用立方体状的氧化铁为模板，通过界面作用调控其氧化铁表面能，在立方体的六个平面上选择生长不同数量(0根、1根、2‑3根、4‑5根、6根)的二氧化硅棒，经过反应得到具有中空结构的纳米天线状的材料。本发明采用新型的水‑油界面能调控法，控制材料的多支状形貌，从而调控介电、磁性能，在厚度为3mm时，能实现3.0‑6.0GHz频率范围内的吸收效率达到68.4％以上，在低频吸收领域具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN115520901A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202211057202.0
申请日：2022-08-30
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明涉及一种中空碳棒复合四氧化三铁核‑壳材料及其制备和应用。中空碳棒复合四氧化三铁核‑壳材料包括立方体状四氧化三铁内核和在内核的平面上垂直生长的中空碳棒外壳，且内核与外壳构成具有纳米天线形状的蛋黄‑壳结构。本发明采用立方体状的氧化铁为模板，通过界面作用调控其氧化铁表面能，在立方体的六个平面上选择生长不同数量(0根、1根、2‑3根、4‑5根、6根)的二氧化硅棒，经过反应得到具有中空结构的纳米天线状的材料。本发明采用新型的水‑油界面能调控法，控制材料的多支状形貌，从而调控介电、磁性能，在厚度为3mm时，能实现3.0‑6.0GHz频率范围内的吸收效率达到68.4％以上，在低频吸收领域具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN115504778A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202211188071.X
申请日：2022-09-28
Applicant: 复旦大学
IPC: C04B35/34 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种钴基高熵陶瓷及其制备方法与应用，所述钴基高熵陶瓷具有的化学式为(Fe0.2Co0.2Ni0.2Cu0.2Zn0.2)O/Co2O4，具有尖晶石型和岩盐型晶体结构，所述钴基高熵陶瓷以FeO、CoO、NiO、CuO、ZnO、Co2O3作为原料进行压制煅烧而成。与现有技术相比，本发明提供的一种钴基高熵陶瓷具有纯度高、吸波性能强、吸收频带宽等优点，经测试模拟表明制备得到的高熵陶瓷的最小反射损耗值为‑34.13dB，可广泛应用于电磁体吸波材料。
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公开(公告)号：CN115415522A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202211210454.2
申请日：2022-09-30
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明涉及一种多壳层多孔铁钴合金及其制备方法和应用，通过喷雾干燥与后续热处理的方式，以硝酸钴和硝酸铁作为原料制备得到多壳层多孔铁钴合金，该多壳层多孔铁钴合的粒径为1‑5μm，壳层间距为200nm，壳层数为1‑3层，壳表面具有孔径为6nm的介孔。与现有技术相比，本发明具优异的磁学特性和高频磁特性以及实际应用价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118758977A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410504144.4
申请日：2024-04-25
Applicant: 复旦大学
IPC: G01N23/04 , G01N23/20 , G01N23/20008 , G01N1/44
Abstract: 本发明涉及一种可实现原位直流电信号输入及原位热场的电学测试芯片，包括：硅基片；位于硅基片两侧表面的绝缘层；位于所述硅基片其中一侧表面的绝缘层上的两套金属电路，其中一套金属电路作为加电电路，其包括分别用于直流电信号输入和接地的两个金属电极，所述绝缘层上还设有中央观察窗口，两个金属电极的一侧还延伸至所述中央观察窗口处；另一套金属电路作为加热电路，其以蛇形走线布置，并用于将产生热量热传导至放置的样品上，实现对样品的原位加热。采用本发明的透射电镜原位测试芯片可以实现在给微纳尺度的样品通入直流电的过程当中，同时进行宽温区升温，升温区间范围为300K至1100K。
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公开(公告)号：CN114433860B
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202111576060.4
申请日：2021-12-22
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明涉及一种微米尺度多肉状多孔铁钴合金及其制备和应用，通过便捷的水热反应‑氢氩气还原的合成策略，成功构筑了微米尺度多肉状多孔铁钴合金。其稳定的涡旋畴结构能够提高磁存储能力，磁矩的剧烈运动有助于提高磁损耗能力，使材料具有较高的复磁导率。多孔结构增加了多重散射，优化了阻抗匹配。因此，与现有技术相比，本发明中的多肉状铁钴合金材料的有效吸收带宽达到5.7GHz，最大反射损耗为‑53.8dB，在2.0‑18.0GHz频率范围内展现出优异的电磁波损耗能力。
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公开(公告)号：CN117209835A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311229708.X
申请日：2023-09-22
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明涉及一种多功能吸波气凝胶及其制备方法和应用，该气凝胶通过便捷的高温交联所得，其表面呈多孔蜂窝状结构，通过结构与流程设计引入了磁性及导电组分：共混的磁性颗粒提供了磁损耗能力，MXene与EVA基底间存在氢键，两者以范德华力紧密结合，形成了3D导电网络，提高了气凝胶介电损耗能力。与现有技术相比，本发明制备得到的的MNPs‑EVA‑MXene复合气凝胶呈蜂窝状、轻质、高弹、疏水、具有良好力学性能，其最大反射损耗为‑39.21dB，在X波段(8.2‑12.4GHz)频率范围内能实现微波全吸收，展现出优异的电磁波损耗能力。
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公开(公告)号：CN114433860A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202111576060.4
申请日：2021-12-22
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明涉及一种微米尺度多肉状多孔铁钴合金及其制备和应用，通过便捷的水热反应‑氢氩气还原的合成策略，成功构筑了微米尺度多肉状多孔铁钴合金。其稳定的涡旋畴结构能够提高磁存储能力，磁矩的剧烈运动有助于提高磁损耗能力，使材料具有较高的复磁导率。多孔结构增加了多重散射，优化了阻抗匹配。因此，与现有技术相比，本发明中的多肉状铁钴合金材料的有效吸收带宽达到5.7GHz，最大反射损耗为‑53.8dB，在2.0‑18.0GHz频率范围内展现出优异的电磁波损耗能力。
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公开(公告)号：CN106477535B
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201610869499.9
申请日：2016-10-02
Applicant: 复旦大学
IPC: C01B19/04
Abstract: 本发明属于纳米功能材料技术领域，具体为二硒化铁微米管和二硒化铁纳米片两种不同形貌的制备方法。本发明选用氧化硒和氯化铁作为原料，以乙二醇为还原剂，聚乙烯吡咯烷酮为表面活性剂。以初步还原的硒微米棒为模板，形成中空管状二硒化铁多级结构。而如果将还原剂调整为二甲基亚酰胺，则得到的终产物又转变为二硒化铁纳米片。本发明具制备工艺简单，制备周期较短，比较适合于工业化大生产,具有广阔的应用前景。
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