公开(公告)号：CN115504778B

公开(公告)日：2023-09-26

申请号：CN202211188071.X

申请日：2022-09-28

Applicant: 复旦大学

Inventor： 车仁超 ,  赵彪 ,  李德鹏 ,  严智楷 ,  游文彬 ,  杨利廷

IPC: C04B35/34 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明涉及一种钴基高熵陶瓷及其制备方法与应用，所述钴基高熵陶瓷具有的化学式为(Fe0.2Co0.2Ni0.2Cu0.2Zn0.2)O/Co2O4，具有尖晶石型和岩盐型晶体结构，所述钴基高熵陶瓷以FeO、CoO、NiO、CuO、ZnO、Co2O3作为原料进行压制煅烧而成。与现有技术相比，本发明提供的一种钴基高熵陶瓷具有纯度高、吸波性能强、吸收频带宽等优点，经测试模拟表明制备得到的高熵陶瓷的最小反射损耗值为‑34.13dB，可广泛应用于电磁体吸波材料。

公开(公告)号：CN115504778A

公开(公告)日：2022-12-23

申请号：CN202211188071.X

申请日：2022-09-28

Applicant: 复旦大学

Inventor： 车仁超 ,  赵彪 ,  李德鹏 ,  严智楷 ,  游文彬 ,  杨利廷

IPC: C04B35/34 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明涉及一种钴基高熵陶瓷及其制备方法与应用，所述钴基高熵陶瓷具有的化学式为(Fe0.2Co0.2Ni0.2Cu0.2Zn0.2)O/Co2O4，具有尖晶石型和岩盐型晶体结构，所述钴基高熵陶瓷以FeO、CoO、NiO、CuO、ZnO、Co2O3作为原料进行压制煅烧而成。与现有技术相比，本发明提供的一种钴基高熵陶瓷具有纯度高、吸波性能强、吸收频带宽等优点，经测试模拟表明制备得到的高熵陶瓷的最小反射损耗值为‑34.13dB，可广泛应用于电磁体吸波材料。