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公开(公告)号:CN102136449B
公开(公告)日:2013-11-27
申请号:CN201010100154.X
申请日:2010-01-22
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/768 , H01L21/82 , G06F17/50
Abstract: 本发明涉及一种基于嵌套式准二阶随机配置法的工艺偏差下互连线寄生电容提取方法。该方法使用一阶嵌套式稀疏网格点来计算寄生电容的二阶Hermite随机多项式展开系数,利用一种误差校正技术来消除部分二次项的计算误差,从而得到工艺偏差下寄生电容的准二阶Hermite随机正交多项式模型。本发明对于包含d维随机变量的问题,使用的配置点个数为(2d+1),远远小于非嵌套式稀疏网格随机配置法中二阶Hermite随机多项式模型的配置点个数(2d2+2d+1),但能保持与非嵌套式稀疏网格随机配置法二阶Hermite随机多项式模型相当的精度。