公开(公告)号：CN105523546A

公开(公告)日：2016-04-27

申请号：CN201610042947.8

申请日：2016-01-22

Applicant: 复旦大学

Inventor： 魏大程 ,  亓国强 ,  杨伟 ,  夏冬云 ,  李科 ,  李孟林 ,  刘冬华 ,  曹敏 ,  彭兰

IPC: C01B31/04

CPC classification number: C01B2204/20 ,  C01B2204/22 ,  C01B2204/32 ,  C01P2004/03

Abstract: 本发明属于石墨烯制备技术领域，具体公开了一种三维石墨烯的制备方法。本发明方法包括以下步骤：将氧化石墨烯分散获得氧化石墨烯水溶液；将三维金属泡沫浸入氧化石墨烯溶液，通过物理或化学方法获得孔内负载有石墨烯气凝胶的三维金属泡沫；以孔内负载有石墨烯气凝胶的三维金属泡沫为模板，利用化学气相沉积法，得到含基底的三维石墨烯；通过刻蚀清洗得到三维石墨烯。本发明工艺简单，能实现高质量、高密度三维石墨烯，为其在催化、储能、导热、吸附等领域的应用奠定了基础。

公开(公告)号：CN104556014A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201510010198.6

申请日：2015-01-08

Applicant: 复旦大学

Inventor： 魏大程 ,  彭兰 ,  李孟林 ,  蔡智 ,  曹敏

IPC: C01B31/04

Abstract: 本发明属于碳材料的技术领域，具体为一种临界条件下在非金属表面低温制备掺杂石墨烯的方法。该掺杂石墨烯是采用等离子体增强化学气相沉积法制备的，包括以下步骤：将干净衬底放入无氧的反应器中，使衬底的温度达到某种临界条件，然后向所述反应器中通入含有碳元素和掺杂元素物质经过等离子发生器处理得到的等离子体，最后在衬底表面得到掺杂石墨烯；其中，所述衬底为非金属衬底。本发明制备的掺杂石墨烯质量好，可以直接在非金属介电表面生长，反应温度低，制备方法操作方便，可用于大规模生产。