公开(公告)号：CN101260507B

公开(公告)日：2010-12-15

申请号：CN200810036561.1

申请日：2008-04-24

Applicant: 复旦大学

Inventor： 张群 ,  施展 ,  杨铭 ,  王颖华

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/34

Abstract: 本发明属于半导体氧化物材料领域，具体为一种p型半导体掺镍氧化铜(Cu1-xNixO)靶材及其制备方法。本发明将氧化铜粉末和氧化镍粉末均匀混合，采用粉末压片机干压成型，用氮气作为保护气体，在管式电阻炉中烧结成致密的块体靶材。所制备的靶材具有p型导电的特征。该发明制作工艺简单、经济，制成的靶材成分均匀，性能稳定。本发明方法获得的靶材在磁控溅射技术和脉冲等离子体沉积技术等制备光电性能优良的p型导电透明掺镍氧化铜薄膜领域具有应用价值。

公开(公告)号：CN101260507A

公开(公告)日：2008-09-10

申请号：CN200810036561.1

申请日：2008-04-24

Applicant: 复旦大学

Inventor： 张群 ,  施展 ,  杨铭 ,  王颖华

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/34

Abstract: 本发明属于半导体氧化物材料领域，具体为一种P型半导体掺镍氧化铜(Cu1－xNixO)靶材及其制备方法。本发明将氧化铜粉末和氧化镍粉末均匀混合，采用粉末压片机干压成型，用氮气作为保护气体，在管式电阻炉中烧结成致密的块体靶材。所制备的靶材具有p型导电的特征。该发明制作工艺简单、经济，制成的靶材成分均匀，性能稳定。本发明方法获得的靶材在磁控溅射技术和脉冲等离子体沉积技术等制备光电性能优良的p型导电透明掺镍氧化铜薄膜领域具有应用价值。