公开(公告)号：CN104409095A

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：CN201410742898.X

申请日：2014-12-09

Applicant: 复旦大学

Inventor： 温亮 ,  文海波 ,  周可基 ,  程旭 ,  曾晓洋

IPC: G11C11/413

Abstract: 本发明属于集成电路存储器技术领域，具体为一种具有位交叉功能的8管存储子阵列结构。其单元结构包括一个由传统的单端8管存储单元组成的mx1子阵列、一对分别受全局列选位线WBL及其互补位线WBLB控制的PMOS电源共享管和一对分别受全局列选位线WBL及其互补位线WBLB控制的NMOS放电共享管。本发明还包括由n列的mx1子阵列组成的8管存阵列，当阵列中某一个存储单元进行写操作时，其所在列的其中一条列选位线跳变为高电平，则由这条列选位线控制的PMOS电源共享管关断，而控制的NMOS放电共享管打开，数据通过局部位线和放电共享管形成的对地通路将数据写入8管存储单元。本发明既支持位交叉功能，又能消除半选择破坏。

公开(公告)号：CN104506183A

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：CN201410741741.5

申请日：2014-12-09

Applicant: 复旦大学

Inventor： 温亮 ,  文海波 ,  程旭 ,  曾晓洋

IPC: H03K19/0185

Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，具体为一种单电压亚阈值电平转换器。其结构包括两个串联的电平转换反相器。第一个反相器的输入与电路的输入相连，它的下拉网络由一个NMOS管组成，上拉网络由三个PMOS管构成，这三个PMOS管构成了一个带二极管的内部反馈环；第二个反相器的输入与电路的输出相连，它的下拉网络也由一个NMOS管组成，上拉网络由两个堆叠的PMOS构成。当电路输入一个低电压信号时，输出会产生一个全摆幅的高压输出信号。本发明结构简单，能够有效的实现一个信号从亚阈值电压到高电压的电平转换。并且整个电路只需要一个高电压电源，使得它的物理版图可以任意布局和摆放，具有很强的灵活性。