一种单发射上转换纳米荧光探针及其合成方法

    公开(公告)号:CN104804741B

    公开(公告)日:2017-04-12

    申请号:CN201510145213.8

    申请日:2015-03-31

    Applicant: 复旦大学

    Inventor: 张凡 周磊

    Abstract: 本发明属于纳米生物材料技术领域,具体为一种单发射上转换纳米荧光探针及其合成方法。本发明荧光探针是一种一核三壳层结构的纳米晶体,其包括上转换发光中心核层、惰性壳层、二氧化硅壳层和染料掺杂二氧化硅壳层四个部分;上转换发光中心为激活离子掺杂的稀土纳米晶体,惰性壳层完全包裹发光核心;二氧化硅壳层可以避免上转换发光中心和染料之间的荧光共振能量转移;染料掺杂二氧化硅壳层用于去除不需要的上转换发射峰,选择保留特定的上转换发射峰,实现单发射上转换荧光。本发明可以同时原位检测多个信号分子,进一步提高检测的灵敏度以及准确度。本发明的荧光探针在蛋白表达、生物样品高通量筛选、多通道生物学检测和疾病诊断等方面具有广阔的应用前景。

    超宽带全极化全角度旋转抛物梯度电磁隐身超表面及其设计方法

    公开(公告)号:CN106410425A

    公开(公告)日:2017-02-15

    申请号:CN201611110799.5

    申请日:2016-12-06

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本发明属于雷达散射横截面减缩隐身技术领域,具体为一种超宽带全极化全角度旋转抛物梯度电磁隐身超表面及其设计方法。本发明电磁隐身器件为有限尺寸的旋转抛物梯度数字超表面,由L×M个周期相同但相位不同的 种抛物梯度模块(子阵)按照某种随机序列排列构成,包括1位数字超表面,2位数字超表面,3位数字超表面,所述模块由基本单元组成,设计步骤包括:多位旋转抛物梯度数字超表面中各模块的拓扑结构与相位分布的设计,多位旋转抛物梯度数字超表面的超宽带单元结构设计,多位旋转抛物梯度数字超表面建模。本发明设计的电磁隐身超表面具有鲁棒性好,超宽工作带宽,厚度薄,易加工等优异特性。

    基于可调梯度超表面的反射电磁波调制器及其设计方法

    公开(公告)号:CN105305091A

    公开(公告)日:2016-02-03

    申请号:CN201510658064.5

    申请日:2015-10-13

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本发明属于反射体系技术领域,具体为一种基于宽带可调梯度超表面的反射电磁波调制器及其设计方法。本发明的反射电磁波调制器(宽带TGMS)由超单元在二维平面内周期延拓构成;超单元则由6个具有不同结构参数、相位的TGMS单元按尺寸大小顺序排列组成,具有宽带相位梯度;而TGMS单元主要由上层主谐振器和副谐振器、中间介质板和下层金属接地板三部分组成;本发明通过在梯度超表面单元中引入变容二极管和双谐振结构,实现了对相位色散的补偿和相位的连续调控;表面波转换到波束偏折功能的切换且波束偏折在很宽的频带范围内具有非常高的转换效率。

    一种表面等离子体天线耦合增强的自旋整流器件

    公开(公告)号:CN103022343B

    公开(公告)日:2015-05-13

    申请号:CN201210487938.1

    申请日:2012-11-27

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本发明属于自旋电子技术领域,具体为一种基于表面等离子体的自旋整流器件。该自旋整流器件结构包括:附在绝缘衬底上的金属结构,该金属结构包括两个背靠背的类似C字形结构组成,背靠背部形成金属条。两个类似C字形结构共有4个末端。当具有合适频率的入射光垂直或倾斜于金属结构所在的平面照射到金属结构上时,入射光与表面等离子体结构发生共振,此时在金属条周围产生增强的磁场,在4个末端所围的区域及邻近的上下两侧产生增强的电场。增强的电场主要是平行于金属条的;增强的磁场是环绕金属条的,而且离金属条越近磁场越强。因此在4个末端所围的区域及邻近的上下两侧,可以得到增强的电场和磁场。此增强的电磁场和外加恒定磁场H的共同作用下,在磁性薄膜(112)上得到增强的自旋整流效应。

    基于光子自旋霍尔效应的高效微波偏振检测装置

    公开(公告)号:CN104569622A

    公开(公告)日:2015-04-29

    申请号:CN201410813315.8

    申请日:2014-12-24

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本发明属于电磁波偏振检测技术领域,具体为一种基于光子自旋霍尔效应的高效微波偏振检测装置。本发明检测装置通过高效的“光子自旋霍尔效应”将待检测电磁波分解成左旋和右旋圆偏振光,然后分别测量其模值和相位,反推得到待检测电磁波的偏振。“光子自旋霍尔效应”是通过全反射式“旋转结构”电磁特异介质超表面的线性几何贝尔相位梯度实现。本发明相比传统的偏振检测方式(用正对着的线极化喇叭直接测量电磁波的 和分量)具有更方便快捷,而且误差更少,稳定性更好的优点。本发明工作频段在,通过等比列缩放或重新设计特异介质单元结构常数,可以推广到其他工作频段。

    薄层石墨烯荧光猝灭结合纳米金属阵列进行单分子荧光观测的方法

    公开(公告)号:CN104568876A

    公开(公告)日:2015-04-29

    申请号:CN201410813396.1

    申请日:2014-12-24

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本发明属于生物物理单分子观测表面处理技术领域,具体为一种薄层石墨烯荧光猝灭结合纳米金属阵列进行单分子荧光观测的方法。本发明具体步骤包括:单分子荧光观测区域表面的处理;在上述石墨烯衬底上制备纳米金属有序阵列。本发明利用薄层石墨烯可猝灭其表面一定区域内的荧光分子,同时拥有良好的透过性,使得激励光和荧光信号的损耗较小的性质;在薄层石墨烯上的金属纳米结构可正常结合荧光分子,而金属层纵向上拉开了荧光分子和石墨烯的距离,使得荧光分子不在石墨烯猝灭范围内而能够正常发出荧光。通过控制荧光分子浓度及结合条件即可实现单分子荧光观测。

    一种由电磁特异表面构成的宽频THz波片

    公开(公告)号:CN104538743A

    公开(公告)日:2015-04-22

    申请号:CN201410827358.1

    申请日:2014-12-27

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本发明属于电磁波偏振调控技术领域,具体为一种由电磁特异表面构成的宽频THz波片。整块波片制作在硅片衬底上,由底部背散射金属层、介质层以及表面各向异性特异介质层构成。本发明是基于“特异介质”“电磁特异表面”制作的反射型超宽带太赫兹波片,其工作频率为0.45THz到1.15THz。对于频率范围内特定极化角度φ入射的平面线偏振电磁波,其反射波可以以超过95%的效率产生90度极化偏转,且整体能量损耗很小(低于10%);此外,对于斜入射的不同θ角度(50°以下),其效果略有下降,但仍能在较宽频带范围内达到超高的极化偏转效率。用户可以根据自己的需要制作相应结构波片,另外,可以通过等比例放大缩放结构尺寸来改变波片工作频率。

    一种超薄微波波片
    18.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102176544B

    公开(公告)日:2013-10-16

    申请号:CN201110046869.6

    申请日:2011-02-28

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本发明属于光学材料技术领域,具体为一种微波波片。本发明是基于“特异介质”制作的超薄微波波片,工作频率为5GHz。即对于正入射的5GHz平面电磁波,在达到100%透射的前提下,透射波的两个分量的透射相位改变量相差90度,因此可以任意调控透射波的偏振模式(如线偏振至圆偏振,至椭圆偏振,或者旋转线偏振的方向),而整个波片的厚度只有3mm,仅为波长的二十分之一。整块波片由三块板组成,每块板都是各自单元结构的阵列,整个材料板是20×40的阵列。实际应用中,用户可以根据需要制作相应大小面积的波片,另外,等比例的放大缩小结构尺寸可以改变波片的工作频率。

    一种半导体量子阱光子探测器件

    公开(公告)号:CN101299445B

    公开(公告)日:2010-11-17

    申请号:CN200810039212.5

    申请日:2008-06-19

    Applicant: 复旦大学

    CPC classification number: H01L31/035209 H01L31/02327 H01L31/112

    Abstract: 本发明属于光探测技术领域,具体为一种半导体量子阱光子探测器。该探测器包括一半导体层,在该半导体层一侧表面附近有量子阱层,该量子阱层中具有一定的载流子浓度,并至少具有两个能级;一金属层,在半导体一侧表面上,该金属层中具有亚波长孔周期性结构;一入射光波,在垂直于半导体一侧表面和量子阱层的方向上,从金属层正面或半导体层的另一侧表面入射,并最终被量子阱层所吸收。本发明利用金属亚波长周期性结构进行光耦合,实现量子阱结构对垂直入射光的有效吸收;同时将半导体能带工程技术与金属周期性结构的表面等离子体技术相结合,实现耦合方式的方便调谐和在很宽波长范围内的半导体量子阱光波探测。

    超宽带全极化全角度旋转抛物梯度电磁隐身超表面及其设计方法

    公开(公告)号:CN106410425B

    公开(公告)日:2020-04-07

    申请号:CN201611110799.5

    申请日:2016-12-06

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本发明属于雷达散射横截面减缩隐身技术领域,具体为一种超宽带全极化全角度旋转抛物梯度电磁隐身超表面及其设计方法。本发明电磁隐身器件为有限尺寸的旋转抛物梯度数字超表面,由L×M个周期相同但相位不同的种抛物梯度模块(子阵)按照某种随机序列排列构成,包括1位数字超表面,2位数字超表面,3位数字超表面,所述模块由基本单元组成,设计步骤包括:多位旋转抛物梯度数字超表面中各模块的拓扑结构与相位分布的设计,多位旋转抛物梯度数字超表面的超宽带单元结构设计,多位旋转抛物梯度数字超表面建模。本发明设计的电磁隐身超表面具有鲁棒性好,超宽工作带宽,厚度薄,易加工等优异特性。

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