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公开(公告)号：CN101299445B
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN200810039212.5
申请日：2008-06-19
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L31/111
CPC classification number: H01L31/035209 , H01L31/02327 , H01L31/112
Abstract: 本发明属于光探测技术领域，具体为一种半导体量子阱光子探测器。该探测器包括一半导体层，在该半导体层一侧表面附近有量子阱层，该量子阱层中具有一定的载流子浓度，并至少具有两个能级；一金属层，在半导体一侧表面上，该金属层中具有亚波长孔周期性结构；一入射光波，在垂直于半导体一侧表面和量子阱层的方向上，从金属层正面或半导体层的另一侧表面入射，并最终被量子阱层所吸收。本发明利用金属亚波长周期性结构进行光耦合，实现量子阱结构对垂直入射光的有效吸收；同时将半导体能带工程技术与金属周期性结构的表面等离子体技术相结合，实现耦合方式的方便调谐和在很宽波长范围内的半导体量子阱光波探测。
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公开(公告)号：CN101299445A
公开(公告)日：2008-11-05
申请号：CN200810039212.5
申请日：2008-06-19
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L31/111
CPC classification number: H01L31/035209 , H01L31/02327 , H01L31/112
Abstract: 本发明属于光探测技术领域，具体为一种半导体量子阱光子探测器。该探测器包括一半导体层，在该半导体层一侧表面附近有量子阱层，该量子阱层中具有一定的载流子浓度，并至少具有两个能级；一金属层，在半导体一侧表面上，该金属层中具有亚波长孔周期性结构；一入射光波，在垂直于半导体一侧表面和量子阱层的方向上，从金属层正面或半导体层的另一侧表面入射，并最终被量子阱层所吸收。本发明利用金属亚波长周期性结构进行光耦合，实现量子阱结构对垂直入射光的有效吸收；同时将半导体能带工程技术与金属周期性结构的表面等离子体技术相结合，实现耦合方式的方便调谐和在很宽波长范围内的半导体量子阱光波探测。
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公开(公告)号：CN102593201A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201110399778.0
申请日：2011-12-06
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L31/0232 , H01L31/0352 , H01L31/101 , B82Y20/00
Abstract: 本发明属于光探测技术领域，具体为一种基于表面等离子体微腔的多色量子阱光子探测器件。该探测器包括一层亚波长孔阵列结构的金属膜和一层完好的金属膜组成的微腔；微腔中填塞两种或两种以上量子阱层，分别对应探测波长，量子阱具有一定的载流子浓度，并至少具有两个能级；不同量子阱层中间存在内部电极供接入电路使用；一定频谱宽度入射光波垂直或倾斜于孔阵列金属膜入射，激发该孔阵列金属膜/量子阱界面的表面等离子体，表面等离子体被捕获于微腔中，被微腔中的量子阱吸收并发生子带跃迁过程，跃迁的电子在外加偏压下形成电流信号。本发明相对单层金属孔阵列耦合的光子探测器，探测效率提高数倍，并能够对多波长的多色同时探测。
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公开(公告)号：CN102593201B
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201110399778.0
申请日：2011-12-06
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L31/0232 , H01L31/0352 , H01L31/101 , B82Y20/00
Abstract: 本发明属于光探测技术领域，具体为一种基于表面等离子体微腔的多色量子阱光子探测器件。该探测器包括一层亚波长孔阵列结构的金属膜和一层完好的金属膜组成的微腔；微腔中填塞两种或两种以上量子阱层，分别对应探测波长，量子阱具有一定的载流子浓度，并至少具有两个能级；不同量子阱层中间存在内部电极供接入电路使用；一定频谱宽度入射光波垂直或倾斜于孔阵列金属膜入射，激发该孔阵列金属膜/量子阱界面的表面等离子体，表面等离子体被捕获于微腔中，被微腔中的量子阱吸收并发生子带跃迁过程，跃迁的电子在外加偏压下形成电流信号。本发明相对单层金属孔阵列耦合的光子探测器，探测效率提高数倍，并能够对多波长的多色同时探测。
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