公开(公告)号：CN103022343B

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201210487938.1

申请日：2012-11-27

Applicant: 复旦大学

Inventor： 安正华 ,  席付春 ,  周磊

IPC: H01L43/08

Abstract: 本发明属于自旋电子技术领域，具体为一种基于表面等离子体的自旋整流器件。该自旋整流器件结构包括：附在绝缘衬底上的金属结构，该金属结构包括两个背靠背的类似C字形结构组成，背靠背部形成金属条。两个类似C字形结构共有4个末端。当具有合适频率的入射光垂直或倾斜于金属结构所在的平面照射到金属结构上时，入射光与表面等离子体结构发生共振，此时在金属条周围产生增强的磁场，在4个末端所围的区域及邻近的上下两侧产生增强的电场。增强的电场主要是平行于金属条的；增强的磁场是环绕金属条的，而且离金属条越近磁场越强。因此在4个末端所围的区域及邻近的上下两侧，可以得到增强的电场和磁场。此增强的电磁场和外加恒定磁场H的共同作用下，在磁性薄膜（112）上得到增强的自旋整流效应。

公开(公告)号：CN103022343A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201210487938.1

申请日：2012-11-27

Applicant: 复旦大学

Inventor： 安正华 ,  席付春 ,  周磊

IPC: H01L43/08

Abstract: 本发明属于自旋电子技术领域，具体为一种基于表面等离子体的自旋整流器件。该自旋整流器件结构包括：附在绝缘衬底上的金属结构，该金属结构包括两个背靠背的类似C字形结构组成，背靠背部形成金属条。两个类似C字形结构共有4个末端。当具有合适频率的入射光垂直或倾斜于金属结构所在的平面照射到金属结构上时，入射光与表面等离子体结构发生共振，此时在金属条周围产生增强的磁场，在4个末端所围的区域及邻近的上下两侧产生增强的电场。增强的电场主要是平行于金属条的；增强的磁场是环绕金属条的，而且离金属条越近磁场越强。因此在4个末端所围的区域及邻近的上下两侧，可以得到增强的电场和磁场。此增强的电磁场和外加恒定磁场H的共同作用下，在磁性薄膜（112）上得到增强的自旋整流效应。