公开(公告)号：CN103620748A

公开(公告)日：2014-03-05

申请号：CN201280022389.9

申请日：2012-02-24

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 叶俊呈 ,  郭德超 ,  蔡明 ,  P·库尔卡尼

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/823412 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02345 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823828 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7843

Abstract: 一种形成半导体结构的方法包括：在设置于衬底之上的一个或多个部分完成的场效应晶体管（FET）器件之上形成应力诱导层，所述一个或多个部分完成的FET器件包括牺牲伪栅极结构；对所述应力诱导层进行平面化并且去除所述牺牲伪栅极结构；以及在对所述应力诱导层进行平面化并且去除所述牺牲伪栅极结构之后，进行对所述应力诱导层的紫外（UV）固化，以增强由所述应力诱导层最初施加在所述一个或多个部分完成的FET器件的沟道区上的应力的值。

公开(公告)号：CN105810574B

公开(公告)日：2018-09-14

申请号：CN201610004901.7

申请日：2016-01-05

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 陈家佑 ,  刘作光 ,  山下典洪 ,  叶俊呈

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/04 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234

Abstract: 本发明涉及金属绝缘体半导体(MIS)接触及其形成方法以及晶体管。描述了一种用于形成金属绝缘体半导体(MIS)接触的方法、包括MIS的晶体管以及MIS接触。该方法包括：蚀刻用于形成接触的开口，所述开口延伸到半导体区域的上表面。该方法同样包括以选择的深度在半导体区域的上表面内注入金属离子；并且将半导体区域的上表面转换为金属氧化物绝缘层。该方法进一步包括在绝缘层上形成金属层。

公开(公告)号：CN104752229B

公开(公告)日：2018-08-24

申请号：CN201410708154.6

申请日：2014-11-28

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： V·S·巴斯克 ,  刘作光 ,  山下典洪 ,  叶俊呈

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7851 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785 ,  H01L2029/7858

Abstract: 本发明提供了包括改善的外延形貌的finFET。一种半导体器件包括半导体衬底，该半导体衬底具有形成于其上表面上的多个半导体鳍。外延材料被形成在所述半导体衬底的上表面上以及所述半导体鳍的外表面上。所述外延材料包括epi上表面，所述epi上表面具有接触所述半导体鳍的下部区域和形成于所述下部区域上方的上部区域。所述上部区域与所述半导体鳍的上表面平行地延伸。

公开(公告)号：CN104752507A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201410705030.2

申请日：2014-11-26

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： V·S·巴斯克 ,  刘作光 ,  山下典洪 ,  叶俊呈

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/0886 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823468 ,  H01L29/06 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66553 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7851

Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括：衬底，其沿着第一方向延伸以限定衬底长度，并沿着与所述第一方向垂直的第二方向延伸以限定衬底宽度。第一半导体鳍形成于所述衬底的上表面上。所述第一半导体鳍沿着所述第二方向延伸第一距离以限定第一鳍宽度。第一栅极沟道形成于在所述衬底中形成的第一源/漏结与在所述第一半导体鳍中形成的第二源/漏结之间。第一栅极叠层形成于所述第一栅极沟道的侧壁上。第一间隔物被设置在所述第一栅极叠层与所述第一源/漏结之间。

公开(公告)号：CN104752229A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201410708154.6

申请日：2014-11-28

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： V·S·巴斯克 ,  刘作光 ,  山下典洪 ,  叶俊呈

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7851 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785 ,  H01L2029/7858

Abstract: 本发明提供了包括改善的外延形貌的finFET。一种半导体器件包括半导体衬底，该半导体衬底具有形成于其上表面上的多个半导体鳍。外延材料被形成在所述半导体衬底的上表面上以及所述半导体鳍的外表面上。所述外延材料包括epi上表面，所述epi上表面具有接触所述半导体鳍的下部区域和形成于所述下部区域上方的上部区域。所述上部区域与所述半导体鳍的上表面平行地延伸。

公开(公告)号：CN104299996B

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：CN201410341729.5

申请日：2014-07-17

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： V·S·巴斯克 ,  山下典洪 ,  叶俊呈

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/66492 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明涉及非对称替代金属栅场效应晶体管及其制造方法。一种非对称场效应晶体管(FET)器件，包括：半导体衬底；被设置在所述半导体衬底上的掩埋氧化物层；被设置在所述掩埋氧化物层上的延伸的源极区；以及被设置在所述掩埋氧化物层上的漏极区。所述非对称FET器件也包括被设置在所述延伸的源极区与所述漏极区之间的绝缘体上硅区域以及被设置在所述延伸的源极区与所述绝缘体上硅区域上方的栅极区。

公开(公告)号：CN104247016B

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201280062604.8

申请日：2012-11-01

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： V·S·巴斯克 ,  卜惠明 ,  E·莱奥班顿 ,  T·E·斯坦德尔特 ,  山下典洪 ,  叶俊呈

IPC: H01L27/088

CPC classification number: H01L29/7843 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66795

Abstract: 鳍片FET和用于制造具有凹陷的应力衬里的鳍片FET的方法。一种方法包括提供具有鳍片的SOI衬底，在所述鳍片上形成栅极，在所述栅极上形成偏移隔离物，外延生长膜以合并所述鳍片，在所述栅极周围沉积虚设隔离物，以及使得合并的外延膜凹陷。然后在所述凹陷的合并外延膜上形成硅化物，之后在鳍片FET上沉积应力衬里。通过使用凹陷合并外延工艺，可以形成具有垂直(即，垂直于衬底)硅化物的MOSFET。所述垂直硅化物改善了扩展电阻。

公开(公告)号：CN103348481B

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201280006806.0

申请日：2012-01-23

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： A·布赖恩特 ,  卜惠明 ,  郭德超 ,  W·E·亨施 ,  叶俊呈

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/41791 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/76895 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/785

Abstract: 一种半导体器件，包括形成在半导体衬底上的半导体材料的鳍片以及形成在所述鳍片之上并与其接触的栅极电极。绝缘体层沉积在所述栅极电极和鳍片之上。然后在所述绝缘体层中蚀刻沟槽开口。所述沟槽开口暴露所述鳍片并且在所述鳍片之间延伸。然后通过所述沟槽开口硅化所述鳍片。之后，所述沟槽开口被与所述硅化的鳍片接触的金属填充以形成连接所述多个鳍片的局部互连。

公开(公告)号：CN103620748B

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201280022389.9

申请日：2012-02-24

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 叶俊呈 ,  郭德超 ,  蔡明 ,  P·库尔卡尼

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/823412 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02345 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823828 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7843

Abstract: 一种形成半导体结构的方法包括：在设置于衬底之上的一个或多个部分完成的场效应晶体管（FET）器件之上形成应力诱导层，所述一个或多个部分完成的FET器件包括牺牲伪栅极结构；对所述应力诱导层进行平面化并且去除所述牺牲伪栅极结构；以及在对所述应力诱导层进行平面化并且去除所述牺牲伪栅极结构之后，进行对所述应力诱导层的紫外（UV）固化，以增强由所述应力诱导层最初施加在所述一个或多个部分完成的FET器件的沟道区上的应力的值。

公开(公告)号：CN104956488A

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201380064097.6

申请日：2013-12-06

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： V.S.巴斯克 ,  E.利奥班邓格 ,  山下典洪 ,  叶俊呈

IPC: H01L29/772 ,  H01L21/033 ,  H01L21/308

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L29/66795

Abstract: 一种鳍型场效应晶体管结构，通过在衬底上形成硬掩模层形成，所述衬底包括位于绝缘层之上的含硅层；所述硬掩模层包括位于含硅层之上的第一层、第二层以及第三层；鳍阵列，由所述硬掩模层以及所述含硅层形成；栅极，所述栅极覆盖所述鳍阵列中每个鳍的部分而不是全部长度，所述部分覆盖所述阵列中的每个鳍，所述栅极在该栅极的两侧界定源极/漏极区域；间隔物，形成在所述栅极的每一侧，所述形成间隔物被实施以从位于所述源极/漏极区域中的鳍的部分移除所述第三层，从位于所述源极/漏极区域中的鳍的部分移除所述硬掩模层的第二层，并且合并位于所述源极/漏极区域中的鳍。