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公开(公告)号:CN108598011A
公开(公告)日:2018-09-28
申请号:CN201810444236.2
申请日:2018-05-10
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网公司 , 国网河北省电力公司
IPC: H01L21/603
Abstract: 本发明提供一种逆阻型IGBT的制造方法及逆阻型IGBT,在逆阻型IGBT的制造方法中,对支撑圆片进行背面键合后,对RB-IGBT芯片侧壁进行侧壁隔离加工。通过侧壁隔离加工,可实现高电压RB-IGBT芯片的反向耐压,进而可以实现高电压逆阻型IGBT的制造。同时,两次对支撑原片进行正面键合以及背面键合。通过两次的键合操作,可以实现直接侧壁扩散,从而大大缩短扩散隔离步骤中扩散所需要的时间,进而可以在较短时间内完成大厚度,高电压芯片的扩散操作,可实现高压(>1700V)逆阻型IGBT芯片,拓宽了现有技术的电压范围。
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公开(公告)号:CN107490707A
公开(公告)日:2017-12-19
申请号:CN201710760277.8
申请日:2017-08-30
Applicant: 国家电网公司 , 国网河北省电力公司沧州供电分公司 , 国网河北省电力公司
Abstract: 本发明公开了一种低压三相四线标准化一体式计量箱,包括箱体、固定在箱体背面外侧的固定基板、铰连在箱体正面的侧门、滑动装配在箱体内的快速连接板以及嵌置在快速连接板背面的布线块。电能表、断路器和三相电流互感器可在快速连接板进行快速装配,避免在箱体内安装时操作空间限制,安装不方便的问题,在快速连接板上装配完成后,直接从箱体顶部的顶门滑移到箱体内完成组装,在业扩时,实现现场接电,大大提高了工作效率,缩短接电时间。本发明设置在快速连接板背面的布线块,既能快速整齐的进行布线,又将走线与电能表、断路器和三相电流互感器隔绝到快速连接板两侧,增加了私接电线发生危险,也更好的杜绝窃电行为。
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公开(公告)号:CN106990002A
公开(公告)日:2017-07-28
申请号:CN201710097714.2
申请日:2017-02-22
Applicant: 国家电网公司 , 国网新源水电有限公司 , 国网新源水电有限公司新安江水力发电厂
IPC: G01N3/32
CPC classification number: G01N3/32 , G01N2203/0005 , G01N2203/0073
Abstract: 本发明公开一种混流式水轮机承重支架疲劳寿命测试分析方法,其特征是根据混流式水轮机机组结构形式确定主要承重支架,测量承重支架表面处应变,停机状态下,顶起机组转动部分,获取机架受机组转动部件重力时的应变值,求得机架实际受力情况,对启动、带负荷、甩负荷及停机过程进行应变测量,然后进行承重支架受力计算,利用循环计数法将每一种工况的载荷‑时间历程进行计数,同时统计各种工况运行时间,获得支架材料S‑N曲线,根据工况、载荷谱及S‑N曲线,按照线性累积损伤计算支架疲劳寿命。快速、准确地测得支架实际受力值,真实有效地对承重支架进行疲劳寿命评估,提高了承重支架疲劳寿命分析的准确度。
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公开(公告)号:CN106611797A
公开(公告)日:2017-05-03
申请号:CN201510695743.X
申请日:2015-10-23
IPC: H01L29/861 , H01L29/06 , H01L29/167 , H01L21/329 , H01L21/268
CPC classification number: H01L29/861 , H01L21/268 , H01L29/0684 , H01L29/167 , H01L29/6609
Abstract: 本发明涉及一种具有局域金属寿命控制的功率器件及其制作方法,功率器件包括衬底和其上形成的P+区共同构成的PN结,在所述衬底N-层上生长有氧化层;在P+区内设有深能级掺杂层;深能级杂质的扩散完全依赖于温度,温度决定其扩散速度及在硅中的固溶度。在对深能级杂质进行热扩散时,采用单面退火,如激光退火方式进行,利用激光退火的局域温度分布在芯片轴向范围内实现深能级杂质的限定深度推结,本发明提供的技术方案实现器件局域金属寿命控制。
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公开(公告)号:CN106300150A
公开(公告)日:2017-01-04
申请号:CN201610690488.4
申请日:2016-08-20
Applicant: 国网山东省电力公司荣成市供电公司 , 国家电网公司
IPC: H02G1/12
CPC classification number: H02G1/1224 , H02G1/1241
Abstract: 本发明涉及一种扳手。为解决目前电力控制电缆在剥皮过程中所存在的技术问题,本发明提供一种电力控制电缆剥皮装置,其特征在于:包括手柄,手柄顶端设有压头,压头的顶部设有咬合齿,在压头根部铰接一勾头,所述勾头位于压头内侧,勾头内部设有呈多边形的咬合平面,当压头与勾头发生相对转动时,压头与勾头之间的空隙逐渐减小;在压头外侧面设有切割刀片,所述切割刀片的刀刃高于咬合齿,刀刃具有与压头弧状一致的弧度。本发明的有益效果为:结构简单、操作方便,能够快速切断绝缘橡胶层及铁皮,保证切口平整。
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公开(公告)号:CN106054070A
公开(公告)日:2016-10-26
申请号:CN201610608577.X
申请日:2016-07-28
Applicant: 国网江苏省电力公司常州供电公司 , 国网江苏省电力公司 , 国家电网公司
IPC: G01R31/327 , G05B19/04
CPC classification number: G01R31/327 , G05B19/04
Abstract: 本发明提供一种GIS设备刀闸的振动在线修复系统,包括支承架、可活动地设置在支承架内的平衡板、设于支承架和平衡板间的弹簧、设于支承架上的2个气囊球以及吸合组件和电路装置;吸合组件包括磁铁、铁板、绝缘板和固定件;电路组件包括微型电路板、微型电机、振动加速度传感器、GIS设备电路检测模块和远程控制中心服务器;微型电路板和微型电机均设在支撑架内;微型电路板上设有主控制器、电机驱动控制执行模块、无线收发模块和电源模块;微型电机配设有与平衡板动配合的传动凸轮。本发明结构简单、成本不高、实施方便且使用时能够有效监测GIS设备的刀闸闭合状态且在出现刀闸闭合不到位、过位以及触点松动问题时能够自动进行修复。
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公开(公告)号:CN103378140B
公开(公告)日:2015-11-04
申请号:CN201210105487.0
申请日:2012-04-11
IPC: H01L29/739 , H01L29/40 , H01L29/417 , H01L23/367
Abstract: 本发明提供一种绝缘栅双极晶体管,绝缘栅双极晶体管包括单个元胞并联而成的元胞区、终端区和划片槽;元胞区包括多晶硅栅电极、发射极、与发射极连接的N+发射区和P+发射区、N阱区、P阱区、N-衬底、透明集电极区和集电极。多级场板中的氮氧化硅层有腐蚀阻挡层的作用,对工艺精度要求低;并且氮氧化硅层致密性好,提高晶体管的稳定性和可靠性。发射极采用挖槽式,并在挖槽后侧向腐蚀氧化层可以在降低欧姆接触电阻的同时增大金属接触面积,使散热更均匀,器件的高温特性更好。所述元胞采用Spacer结构,利用一套光刻版注入P和N型区,可以避免套刻误差,确保元胞沟道的一致性,改善动态特性;同时可以省一道光刻板,减少工艺步骤,节约成本。
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公开(公告)号:CN103413728B
公开(公告)日:2015-10-28
申请号:CN201310354698.2
申请日:2013-08-14
Applicant: 国家电网公司 , 国网山东省电力公司滨州供电公司 , 山东滨州东力电气有限责任公司
Inventor: 黄延举 , 吕永权 , 王金刚 , 商振 , 何向永 , 骆晓明 , 刘佳 , 任毅 , 曹伟龙 , 赵勇 , 李晓宁 , 于睿 , 焦敏 , 刘涛 , 杜伟 , 李建杰 , 周斌 , 刘江 , 张韶晶 , 曹原 , 闫志伟 , 孟波 , 盖鹏宇 , 刘玉华 , 郑晓阳 , 刘杰
IPC: H01H47/02
Abstract: 一种多功能电子型交流接触器,包括附加电子单元与传统交流接触器两部分,其中,传统交流接触器由动断触点、动合触点、动铁芯、静铁芯、复位弹簧、励磁线圈所组成,其特征在于:所述的附加电子单元包括第一输入端)、第二输入端、第一输出端、第二输出端以及公共端;其中,第一输入端连接压控开关电路的一端,压控开关电路的另一端连接第一输出端以及储能电路的一端,储能电路的另一端、第二输入端、第二输出端以及公共端共电位;其中,第一输入端、第二输入端还分别与AC电压的第一端、第二端连接,第一输出端口、第二输出端还分别与励磁线圈的第一端、第二端端连接。
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公开(公告)号:CN103178104B
公开(公告)日:2015-08-19
申请号:CN201310054020.2
申请日:2013-02-20
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/331
Abstract: 本发明涉及一种半导体器件多级场板终端结构及其制造方法。多级场板终端结构为阶梯结构,用于IGBT芯片和快恢复二极管FRD中,多级场板终端结构包括衬底区表面的栅极氧化膜和场氧化膜层、沉积在栅极氧化膜和场氧化膜层上的多晶硅栅极、沉积在场氧化膜层上的隔离氧化膜以及沉积在隔离氧化膜上的SiO2薄膜;在隔离氧化膜和SiO2薄膜之间设置SiOxNy层,SiOxNy层为腐蚀阻挡层。本发明提供的结构终端为五个台阶,终端面积小,对界面电荷不敏感,突破国外四台阶多级场板结构专利的封锁;多级场板场氧化膜层中间及SiO2薄膜下添加SiOxNy薄膜层作为腐蚀阻挡层,降低对工艺精度的要求,操作简单,由于SiOxNy具有良好的致密性,阻止外部杂质离子侵入的能力,提高器件的稳定性和可靠性。
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公开(公告)号:CN104701153A
公开(公告)日:2015-06-10
申请号:CN201410853925.0
申请日:2014-12-31
IPC: H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/67
CPC classification number: H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/28506
Abstract: 本发明提出了一种金属电极制造装置,装置包括由下至上依次设置的载片台(1)、盖板(4)和固定件(5),载片台(1)由在同一平面上的至少两块载片件组成,金属掩膜罩(2)跨放在其上;位于金属掩膜罩(2)上方的所述盖板(4)剖面为拉长的倒置凹槽,其两端的凸块支撑在所述载片件上;依据设于硅片上的芯片的电极形状敷设的金属掩膜罩(2)。使用该金属电极制造装置的金属电极制造方法在蒸镀过程中,金属通过金属掩膜罩的窗口到达硅片表面,在指定的区域淀积形成厚金属电极,减少了一次光刻和一次金属刻蚀工艺,缩短了加工周期,降低了生成成本。
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