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公开(公告)号：CN109920873A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201910287804.7
申请日：2019-04-11
Applicant: 青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司 , 黄河水电光伏产业技术有限公司
IPC: H01L31/05 , H01L31/0475
Abstract: 本发明涉及一种全旁路保护晶体硅太阳电池组件，N片串联的晶体硅太阳能电池片一，N≥2，每片晶体硅太阳能电池片一用于将吸收的太阳能转化为对外输出的电能，其特征在于，还包括N片晶体硅太阳能电池片二，N片晶体硅太阳能电池片二仅作为PN结分别并联在N片晶体硅太阳能电池片一上，仅当晶体硅太阳能电池片一被遮挡时，并联在当前晶体硅太阳能电池片一上的晶体硅太阳能电池片二导通，对当前晶体硅太阳能电池片一起到旁路保护作用。本发明极大减少了现有晶体硅太阳电池组件由于阴影遮挡造成的功率损失，提升了晶体硅组件在有阴影遮挡下的发电量。
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公开(公告)号：CN108666387A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201810713687.1
申请日：2018-07-03
Applicant: 黄河水电光伏产业技术有限公司 , 青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司 , 国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司 , 青海黄河上游水电开发有限责任公司
IPC: H01L31/0747 , H01L31/0216
Abstract: 本发明公开了一种背接触异质结N型单晶硅太阳电池，包括一N型单晶硅基体，N型单晶硅基体具有相对的一正面和一背面；依次设于N型单晶硅基体正面的本征非晶硅前钝化层、正面N型非晶硅层和减反层；依次沉积于N型单晶硅基体背面的掺杂N+层和本征非晶硅背钝化层；间隔设于本征非晶硅背钝化层上的背面N型非晶硅层和P型非晶硅层；设于背面N型非晶硅层和P型非晶硅层上的接触层；设于背面N型非晶硅层和P型非晶硅层之间的绝缘隔离层。本发明的背接触异质结N型单晶硅太阳电池，以提高N型单晶硅太阳电池的综合光电转换效率。
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公开(公告)号：CN108666387B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN201810713687.1
申请日：2018-07-03
Applicant: 黄河水电光伏产业技术有限公司 , 青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司 , 国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司 , 青海黄河上游水电开发有限责任公司
IPC: H01L31/0747 , H01L31/0216
Abstract: 本发明公开了一种背接触异质结N型单晶硅太阳电池，包括一N型单晶硅基体，N型单晶硅基体具有相对的一正面和一背面；依次设于N型单晶硅基体正面的本征非晶硅前钝化层、正面N型非晶硅层和减反层；依次沉积于N型单晶硅基体背面的掺杂N+层和本征非晶硅背钝化层；间隔设于本征非晶硅背钝化层上的背面N型非晶硅层和P型非晶硅层；设于背面N型非晶硅层和P型非晶硅层上的接触层；设于背面N型非晶硅层和P型非晶硅层之间的绝缘隔离层。本发明的背接触异质结N型单晶硅太阳电池，以提高N型单晶硅太阳电池的综合光电转换效率。
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公开(公告)号：CN108015096B
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN201711319482.7
申请日：2017-12-12
Applicant: 青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司
Abstract: 本发明公开了光伏组件的试剂辅助分解回收方法，上述试剂辅助分解回收方法先通过对光伏组件进行破碎处理，增大了各组分材料与试剂之间的接触面积，降低了反应的难度和耗时，提高了回收效率，节省了回收成本；再通过溶解光伏组件中用于连接各层结构的EVA材料或光伏组件中的其他组分材料，彻底地实现了光伏组件各组分材料的相互分离，克服了常规回收方法中回收产物纯度较低的缺点；而且上述光伏组件的试剂辅助分解回收方法还有着回收率高和操作可行性强的优点。
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公开(公告)号：CN110444636A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201910772518.X
申请日：2019-08-21
Applicant: 黄河水电光伏产业技术有限公司 , 青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司
IPC: H01L31/18 , H01L21/324
Abstract: 本发明公开了一种圆形温区布局的烧结炉，其特征在于，包括理料段、加热段、冷却区和进料驱动设备；理料段、加热段和冷却区呈圆周分布，圆周起始位置为理料段，沿圆周进料方向依次为加热段和冷却区；加热段包括温区和隔热区，温区和隔热区沿圆周交替分布；进料驱动设备驱动材料依次经过理料段、加热段、冷却区并最终回到理料段。本发明将温区设置为单独的加入空间，可大大降低单个温区的体积，极大的减小设备的体积。使用机械臂传送，并将温区独立，相互之间几乎无影响，升温时间短，降温速度快。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108787453A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810300834.2
申请日：2018-04-04
Applicant: 青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司
Abstract: 本发明公开了一种分离装置，用于分离粉碎并筛分后的光伏组件的混合颗粒，包括具有一敞口端的收集箱、设于收集箱敞口端的鼓风装置及设于鼓风装置上端的储料斗，鼓风装置用于朝设有收集箱的方向产生气流，使得储料斗中的混合颗粒下落过程中经鼓风装置的气流被分离落在收集箱内的不同位置。本发明还公开了一种使用所述分离装置分离光伏组件混合颗粒的方法。本发明的分离装置及晶硅光伏组件的回收方法，其简单易操作，可以使粉碎后的光伏组件中的主要材料都得到有效分离，解决了物理分离法中粉体难回收的技术难题，有效提高光伏组件的回收率，且能耗低还不造成环境的二次污染。
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公开(公告)号：CN108493265A
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201810232993.3
申请日：2018-03-21
Applicant: 青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司 , 黄河水电光伏产业技术有限公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种背电极网版，包括多个用于制备背电极的印刷区。多个印刷区相互平行，所述印刷区均分为多个相互间隔设置的印刷分段，且所述印刷分段分为两个以上且相互间隔设置的区域。本发明还公开了一种无主栅太阳能电池片，包括基片、设置于所述基片正面上的无主栅的正面电极和设置于基片背面上的多个背电极。多个背电极相互平行，所述背电极均分为多个相互间隔设置的背电极分段，且背电极分段分为两个以上且相互间隔设置的区域。上述无主栅太阳能电池片的背电极和背电极网版制得的背电极，能与正面电极形成的图案相匹配，方便封装。而且，所述背电极相比于常规背电极节省了大量的电极浆料，大幅压缩了生产成本。
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公开(公告)号：CN108231916A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711287837.9
申请日：2017-12-07
Applicant: 青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司
IPC: H01L31/0216 , H01L31/048
Abstract: 本发明公开了一种抗电势诱导衰减的光伏组件，包括依次设置的背板、第一EVA层、太阳能电池片层、第二EVA层和玻璃。所述光伏组件封装于金属边框内，所述金属边框中设置有安装槽，所述光伏组件卡接在所述安装槽中。其中，所述玻璃上设置有塑料膜层，所述塑料膜层位于所述玻璃和所述安装槽的侧壁之间。所述光伏组件利用具有高体积电阻率的塑料膜层，与所述金属边框相互隔离，有效地减少了在所述金属边框产生的电场作用下迁移至所述太阳能电池片层上的游离金属离子，由此减弱了光伏组件发生的电势诱导衰减现象，进而提高了光伏组件的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN108091704A
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201711288949.6
申请日：2017-12-07
Applicant: 青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司
IPC: H01L31/0216 , H01L31/048
Abstract: 本发明公开了抗电势诱导衰减的光伏组件，通过在光伏组件的第二EVA层和玻璃之间设置氮化硅薄膜层或二氧化硅薄膜层，有效地阻挡了所述玻璃中钠离子和钙离子等游离的金属离子迁移至光伏组件的太阳能电池片层上，以此削弱了电势诱导衰减现象对光伏组件造成的影响，而且所述氮化硅薄膜层或二氧化硅薄膜层还可以作为减反射膜，减少所述光伏组件对太阳光的反射，提高入射光的吸收率，可起到提高光伏组件的光电转换效率的作用。
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公开(公告)号：CN107342333A
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201710592002.8
申请日：2017-07-19
Applicant: 青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司
IPC: H01L31/0216 , H01L31/068 , H01L31/20
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/0682 , H01L31/02167 , H01L31/202 , H01L31/208
Abstract: 本发明公开了一种HIBC电池及其制备方法，所述HIBC电池包括硅衬底、电极和依次设置在所述硅衬底的背表面上的第一本征非晶硅层以及掺杂非晶硅层，所述电极与所述掺杂非晶硅层连接，所述硅衬底与所述第一本征非晶硅层之间设置有氢化非晶氧化硅层。本发明通过在所述HIBC电池的硅衬底与第一本征非晶硅层之间设置上述氢化非晶氧化硅层，提高了所述HIBC电池的界面钝化效果，遏制了由于引入本征非晶硅层造成的所述HIBC电池的串联电阻增大以及填充因子降低，提高了所述HIBC电池的光电转换效率。
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