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公开(公告)号：CN108677155B
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201810503029.X
申请日：2018-05-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种室温下制备碘化亚铜P型透明半导体薄膜材料的方法，本发明涉及碘化亚铜P型透明半导体薄膜材料的制备方法。本发明要解决现有物理方法普遍存在着反应温度高、设备操作复杂、反应时间长的缺点，且传统的铜膜一次碘化成膜制备的碘化亚铜薄膜，存在电学性能和光学性能低的问题的问题。方法：一、靶材和衬底的清洗；二、Cu薄膜的制备；三、制备单层CuI薄膜；四、循环制备CuI复合薄膜，即完成室温下制备碘化亚铜P型透明半导体薄膜材料的方法。
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公开(公告)号：CN109182991A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201811313451.5
申请日：2018-11-06
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 适用于共形基底表面镀膜的磁控溅射镀膜装置相对运动机构及其镀膜方法，涉及一种磁控溅射镀膜装置相对运动机构及镀膜方法。目的是解决磁控溅射装置在共形结构表面均匀镀膜难度大的问题。机构由活动样品台和摆动靶头构成；摆动靶头中靶头轨道的槽底部由左端向右端上升的阶梯，相邻阶梯为弧形过渡面；靶头支架的行走轮设置在靶头轨道内。装置中靶头支架沿着靶头轨道的槽底部前后移动过程中会上下摆动，靶头支架同时会带动靶头前后移动和上下摆动，使靶头的朝向发生改变；实现共形基底表面镀膜。装置免去了掩膜板的使用，进而提高了沉积速率，解决共形表面的均匀镀膜问题。本发明适用于共形基底表面镀膜。
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公开(公告)号：CN108677155A
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201810503029.X
申请日：2018-05-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种室温下制备碘化亚铜P型透明半导体薄膜材料的方法，本发明涉及碘化亚铜P型透明半导体薄膜材料的制备方法。本发明要解决现有物理方法普遍存在着反应温度高、设备操作复杂、反应时间长的缺点，且传统的铜膜一次碘化成膜制备的碘化亚铜薄膜，存在电学性能和光学性能低的问题的问题。方法：一、靶材和衬底的清洗；二、Cu薄膜的制备；三、制备单层CuI薄膜；四、循环制备CuI复合薄膜，即完成室温下制备碘化亚铜P型透明半导体薄膜材料的方法。
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公开(公告)号：CN105112869B
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201510547036.6
申请日：2015-08-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种钇掺杂氧化铜红外透明导电薄膜的制备方法，本发明涉及红外透明导电薄膜的制备方法。本发明要解决现有的红外探测器的保护罩红外透过率低以及表面霜雾会对成像的质量产生影响的问题。方法：一、清洗；二、准备工作；三、镀膜；四、关机，即完成钇掺杂氧化铜红外透明导电薄膜的制备方法。本发明用于钇掺杂氧化铜红外透明导电薄膜的制备方法。
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公开(公告)号：CN105063565A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201510546952.8
申请日：2015-08-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种P型红外透明导电氧化物薄膜的制备方法，它涉及红外透明导电氧化物薄膜的制备方法，尤其涉及一种P型红外透明导电氧化物薄膜的制备方法。本发明要解决现有的被动式红外探测系统中红外透明导电薄膜不能同时兼顾屏蔽干扰电磁波信号和保持中、远红外波段高透过性的问题。本发明按以下步骤进行：一、焊接；二、清洗；三、镀膜前准备工作；四、在氧气氛中溅射镀膜；五、关机。本发明解决了红外透明导电薄膜不能同时兼顾屏蔽干扰电磁波信号和保持中、远红外波段高透过性的问题。本发明适用于红外透明导电氧化物薄膜的制备领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104928641A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201510415525.6
申请日：2015-07-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种氧化硅红外增透氧化钒薄膜的制备方法，本发明涉及氧化硅红外增透氧化钒薄膜的制备方法。本发明要解决现有VO2薄膜红外透过率低和耐候性差的问题。方法：一、清洗；二、镀膜前准备工作；三、镀制VO2薄膜；四、退火；五、镀制SiO2薄膜；六、关机，即完成氧化硅红外增透氧化钒薄膜的制备方法。本发明用于氧化硅红外增透氧化钒薄膜的制备方法。
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公开(公告)号：CN118424424A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410568627.0
申请日：2024-05-09
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 国家能源集团宁夏煤业有限责任公司洗选中心 , 哈尔滨智兀科技有限公司
IPC: G01F23/292 , G01F22/00 , G01S17/89 , G01S7/481
Abstract: 一种基于3D激光扫描技术的料位监测系统，它涉及煤堆测量技术领域。本发明为了解决现有技术存在测量精度低、步骤繁琐和可靠性低的问题。本发明包括测量组件、数据处理组件、调试接线组件和设备保护组件，测量组件包括防爆激光雷达探头(A‑1)、鸭嘴机构(A‑2)、伸缩支撑杆(A‑3)和固定法兰盘(A‑4)，伸缩支撑杆(A‑3)的下部和防爆激光雷达探头(A‑1)的上部之间通过鸭嘴机构(A‑2)连接，伸缩支撑杆(A‑3)的上部与固定法兰盘(A‑4)连接并安装在煤仓顶部的中心墙体内孔处；测量组件、调试接线组件和设备保护组件均与数据处理组件连接。本发明用于对煤堆质量和体积数据采集和三维成像的3D料位监测。
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公开(公告)号：CN111276277B
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202010091737.4
申请日：2020-02-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种具有红外透明导电功能的窗口，属于红外光学材料领域及电子材料领域。本发明是要解决现有的红外透明导电功能的窗口无法兼顾电磁屏蔽和高红外透过率性能的技术问题。本发明的具有红外透明导电功能的窗口是由衬底和依次生长于所述衬底上的透明导电层和红外增透层组成。本发明所述的具有红外透明导电功能的窗口在0.78μm～2.5μm波长范围内透过率不低于80％，在2.5μm～5μm波长范围内透过率不低于75％，方块电阻不大于100Ω/sq，对1GHz～18GHz电磁波的屏蔽效率大于10dB。本发明应用于制备一种具有红外透明导电功能的窗口。
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公开(公告)号：CN108470782B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201810198862.8
申请日：2018-03-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/032 , C23C14/35 , C23C14/08 , C23C14/58
Abstract: 一种中红外透明导电P型氧化物薄膜材料，它涉及一种P型导电氧化物薄膜材料。本发明是要解决现有的P型透明氧化物薄膜导电性较差、载流子浓度较低以及中波红外透过率低的技术问题。本发明的中红外透明导电P型氧化物薄膜材料的化学式为La2SexOy，其中x为3～4，y为9～11。本发明的制备方法：一、靶材和衬底的清洗；二、La2O3薄膜的制备；三、掺杂Se。本发明制备的P型透明导电氧化物薄膜的光学带隙约为4.0eV，空穴有效质量小于电子的有效质量，具有较高的载流子浓度和电导率，中波红外光区的透过率约为70％，透过性能较为良好。
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公开(公告)号：CN110193590A
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201910510841.X
申请日：2019-06-13
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种非晶合金与晶态合金的液-固连接方法，涉及一种合金连接方法。本发明为了解决传统的合金连接方式存在制备条件要求苛刻和制备过程复杂的问题。方法：在非晶合金和晶态合金连接过程中，从非晶合金和晶态合金中选择熔点较低的合金制备成型芯，选择熔点较高的合金制备成合金熔液，将合金熔液浇筑到型芯的待连接面上，或在型芯的待连接面上铺设一层与熔点较低的合金材质相同的带孔合金箔片。本发明方法焊接对象尺寸和形状均可以灵活改变，不受限制，仅需要制备相应的合金熔体和固相型芯，浇筑后即实现连接，因此工艺简便，并且只需要保证合金熔体的温度，因此对制备条件没有过于苛刻的条件要求。本发明适用于非晶合金与晶态合金的连接。
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