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公开(公告)号：CN102732921B
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201210246141.2
申请日：2012-07-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C25D5/10
Abstract: 一种制备三维有序大孔锗硅、锗铝异质薄膜材料的离子液体电沉积方法，它涉及一种制备薄膜材料的离子液体电沉积方法。本发明要解决现有异质薄膜材料制备困难的问题。本发明方法如下：选择在ITO导电玻璃上生长的合适粒径的聚苯乙烯胶体晶体模板，配制含有锗、铝和硅的离子液体电解液。首先沉积稳定性较好的锗层，然后在手套箱内吸去多余的离子液体、清洗沉积物。待首先沉积的锗层干燥后，再选择合适的沉积时间和沉积电位分别进行恒电势沉积铝层和硅层，最后将样品在进行清洗和干燥处理。除去聚苯乙烯胶体晶体模板，得到三维有序大孔异质薄膜。本发明方法工艺简单，操作方便。本发明应用于薄膜材料制备领域。
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公开(公告)号：CN102749371B
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201210248134.6
申请日：2012-07-18
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 具有快速光谱表征功能的电解池及光谱表征方法，涉及一种电解池及光谱表征方法，属于电化学和分析化学领域。目的是解决现有电解池无法在进行电化学沉积的同时表征沉积产物对光的作用变化情况的问题。本发明的电解池包括一个电解池底座、工作电极、电解槽、两组卡具、上侧探测器、下侧探测器、对电极、参比电极、工作电极引线、参比电极引线和对电极引线；本发明中光谱表征的实现过程为：在具有快速光谱表征功能的电解池里倒入电解液，在电沉积的同时实现对产物光谱性能的表征。
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公开(公告)号：CN102749371A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201210248134.6
申请日：2012-07-18
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 具有快速光谱表征功能的电解池及光谱表征方法，涉及一种电解池及光谱表征方法，属于电化学和分析化学领域。目的是解决现有电解池无法在进行电化学沉积的同时表征沉积产物对光的作用变化情况的问题。本发明的电解池包括一个电解池底座、工作电极、电解槽、两组卡具、上侧探测器、下侧探测器、对电极、参比电极、工作电极引线、参比电极引线和对电极引线；本发明中光谱表征的实现过程为：在具有快速光谱表征功能的电解池里倒入电解液，在电沉积的同时实现对产物光谱性能的表征。
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公开(公告)号：CN102732921A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210246141.2
申请日：2012-07-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C25D5/10
Abstract: 一种制备三维有序大孔锗硅、锗铝异质薄膜材料的离子液体电沉积方法，它涉及一种制备薄膜材料的离子液体电沉积方法。本发明要解决现有异质薄膜材料制备困难的问题。本发明方法如下：选择在ITO导电玻璃上生长的合适粒径的聚苯乙烯胶体晶体模板，配制含有锗、铝和硅的离子液体电解液。首先沉积稳定性较好的锗层，然后在手套箱内吸去多余的离子液体、清洗沉积物。待首先沉积的锗层干燥后，再选择合适的沉积时间和沉积电位分别进行恒电势沉积铝层和硅层，最后将样品在进行清洗和干燥处理。除去聚苯乙烯胶体晶体模板，得到三维有序大孔异质薄膜。本发明方法工艺简单，操作方便。本发明应用于薄膜材料制备领域。
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公开(公告)号：CN101435110A
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200810209609.4
申请日：2008-12-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 锗三维光子晶体的制备方法，它涉及一种锗光子晶体的制备方法。它解决了现有制备锗三维光子晶体的方法中锗无法完全填充模板的问题。本发明方法如下：倾斜沉积法在制备聚苯乙烯小球模板；配制电解液；三电极电沉积法在聚苯乙烯小球模板原位生长锗；化学刻蚀法去除聚苯乙烯小球模板，即得锗三维光子晶体。本发明方法制得的锗光子晶体填充率达100％，且具有完全光子带隙。本发明方法工艺简单，操作方便。
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