公开(公告)号：CN116475418B

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202310479246.0

申请日：2023-04-28

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 张伟伟 ,  范赛飞 ,  刘康 ,  刘本建 ,  朱嘉琦 ,  代兵

IPC: B22F3/24 ,  B23B51/00 ,  B22F5/00 ,  B22F7/06 ,  C23C14/34 ,  C23C14/10 ,  G01K7/02 ,  G01K1/14 ,  G01K1/143 ,  E21B10/46

Abstract: 带有嵌入式薄膜热电偶阵列聚晶金刚石刀具的制备方法，本发明的目的是为了解决针对聚晶金刚石刀具传统的接触式测温中热电偶距离刀尖太远难以获得精确瞬态温度值的问题。制备方法：一、在聚晶金刚石的碳化钨硬质合金层加工出多个浅槽；二、抛光；三、超声清洗；四、沉积第一SiO2绝缘层；五、采用掩膜或者光刻工艺暴露出阵列图案A；六、沉积热电偶材料A薄膜；七、采用掩膜或者光刻工艺暴露出阵列图案B；八、沉积热电偶材料B薄膜；九、胶连补偿线；十、沉积第二SiO2绝缘层；十一、焊接。本发明通过在聚晶金刚石刀具后刀面集成大量微型薄膜热电偶组成阵列，能够精准测量切削刃‑工件界面温度与热流分布，发现热应力集中点。

公开(公告)号：CN117711924A

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN202311730172.X

申请日：2023-12-15

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 刘康 ,  范赛飞 ,  朱嘉琦 ,  梁博 ,  张晓晖 ,  张文超 ,  王彪

IPC: H01L21/04

Abstract: 一种在金刚石上制备低阻欧姆接触的方法及欧姆接触电极结构，本发明是为了解决难以在金刚石尤其是氧终端本征金刚石上制备欧姆接触的问题。制备低阻欧姆接触的方法：一、清洗；二、采用光刻工艺或掩膜工艺对清洗后的金刚石进行电极图案化处理；三、采用真空镀膜工艺依次在图案化处理的金刚石基底上沉积第一接触层、第二接触层和第三接触层；四、在惰性气体氛围中对沉积有电极的金刚石进行高温退火，其中步骤三中第一接触层的材质为ⅢB族到VⅢ族的过渡金属或硅。本发明使用过渡金属作为接触材料通过高温长时间退火在金刚石表面制备了低阻欧姆接触，制备的金属/半导体接触电阻率与势垒极低，极大提高了电接触的导电性能。

公开(公告)号：CN116555907A

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202310479229.7

申请日：2023-04-28

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 刘康 ,  范赛飞 ,  张伟伟 ,  刘本建 ,  朱嘉琦 ,  代兵

IPC: C30B29/04 ,  C30B28/14 ,  C30B33/12 ,  B05D1/30

Abstract: 仿生自清洁多晶金刚石的制备方法，本发明的目的是为了解决多晶金刚石表面易吸附粉尘的问题。制备方法：一、超声清洗多晶金刚石；二、金刚石放入化学气相沉积设备中；三、通入反应气体H2与O2，使金刚石表面温度保持在500～900℃之间进行氧刻蚀1～3h；四、通入Ar、N2与CH4，进行纳米金刚石的外延生长0.5～3h；五、通入H2，使金刚石表面温度保持在500～900℃之间进行氢刻蚀1～3h；六、关闭设备；七、滴入氟硅烷进行表面化学修饰。本发明采用三步法分别对金刚石进行氧刻蚀、外延生长和氢刻蚀，在多晶金刚石表面形成高比表面积的双重微纳结构，实现了多晶金刚石表面的超疏水，并且具有优异的自清洁功能。