基于脉振磁动势抵消的三相两级集成九绕组电机充电系统

    公开(公告)号:CN114268235A

    公开(公告)日:2022-04-01

    申请号:CN202111628383.3

    申请日:2021-12-28

    Abstract: 基于脉振磁动势抵消的三相两级集成九绕组电机充电系统,涉及三相两级集成九绕组电机充电技术领域。本发明是为了解决现有400V电池充电背景下的两级集成充电系统需要配备额外的电力电子器件和直流储能电感的的问题。本发明当电动车工作于充电模式时,利用切换开关,改变九绕组的连接方式,将驱动拓扑变换为两级充电拓扑。两级充电拓扑中,将部分绕组复用为充电模式下的网侧等效滤波电感,此时前级的AC/DC变换器利用驱动逆变器九个桥臂中的六个桥臂进行组建,并将剩余的绕组和逆变桥组成后级双向DC/DC变换器,包括DC/DC变换器所需的功率模块以及直流储能电感。整个系统无需额外构成后级变换器的任何元器件。

    基于XRD实验数据调整衬底和薄膜初始结构模型的结构参数的方法

    公开(公告)号:CN108229010B

    公开(公告)日:2021-03-09

    申请号:CN201711483712.3

    申请日:2017-12-29

    Abstract: 一种基于XRD实验数据调整衬底和薄膜初始结构模型的结构参数的方法,它属于材料计算技术领域。本发明解决了衬底和薄膜结构模型预留距离过大影响几何优化过程的计算速度,以及可能无法模拟出最终能量最低的稳定结构的问题。本发明利用带有薄膜附件的X射线衍射仪对衬底和生长外延薄膜进行X射线小角衍射(SXRD)表征,得到衬底样品和薄膜样品的X射线小角衍射图谱,据此分别计算出衬底样品、薄膜样品、衬底样品与薄膜样品界面处原子层之间的晶面间距,然后利用上述晶面间距对利用Material Studio建立的初始结构模型的结构参数进行调整。本发明减少了几何优化步骤,大大缩短优化时间,同时有效避免计算过程陷入亚稳定结构陷阱,能够更准确地找到最终稳定结构。

    基于XRD实验数据调整衬底和薄膜初始结构模型的结构参数的方法

    公开(公告)号:CN108229010A

    公开(公告)日:2018-06-29

    申请号:CN201711483712.3

    申请日:2017-12-29

    Abstract: 一种基于XRD实验数据调整衬底和薄膜初始结构模型的结构参数的方法,它属于材料计算技术领域。本发明解决了衬底和薄膜结构模型预留距离过大影响几何优化过程的计算速度,以及可能无法模拟出最终能量最低的稳定结构的问题。本发明利用带有薄膜附件的X射线衍射仪对衬底和生长外延薄膜进行X射线小角衍射(SXRD)表征,得到衬底样品和薄膜样品的X射线小角衍射图谱,据此分别计算出衬底样品、薄膜样品、衬底样品与薄膜样品界面处原子层之间的晶面间距,然后利用上述晶面间距对利用Material Studio建立的初始结构模型的结构参数进行调整。本发明减少了几何优化步骤,大大缩短优化时间,同时有效避免计算过程陷入亚稳定结构陷阱,能够更准确地找到最终稳定结构。

    一种基于蒙特卡洛法的张拉整体结构找形方法

    公开(公告)号:CN105243185B

    公开(公告)日:2018-06-26

    申请号:CN201510573837.X

    申请日:2015-09-10

    Abstract: 一种基于蒙特卡洛法的张拉整体结构找形方法,属于张拉整体结构静力学分析领域。针对缺乏相对应的程序,计算速度较低且缺乏对于基本概念的定义和特殊情况的处理方法的问题,本发明采取如下方法:步骤一、设定初始条件;步骤二、随机生成初始构型;步骤三、随机生成新构型并判断是否接受;步骤四、校验系统是否平衡;步骤五、得到找形结果。本发明对于张拉整体结构的找形计算中的特殊情况和技术问题进行了解决,从而加快了找形计算的速度;利用MATLAB编程实现了蒙特卡洛法对张拉整体结构的找形计算过程,可以快速准确得到其自平衡构型,效果显著。

    一种制备金刚石微米棒阵列膜的方法

    公开(公告)号:CN104947069A

    公开(公告)日:2015-09-30

    申请号:CN201510394176.4

    申请日:2015-07-07

    Abstract: 一种制备金刚石微米棒阵列膜的方法,它涉及一种制备金刚石微米棒阵列膜的方法。本发明的目的是要解决目前金刚石微米棒阵列膜制备工艺复杂,制备成本较高,不能精确控制孔洞长径比的问题,本发明步骤为:硅片模板的制备、涂覆金刚石悬浮液、放置样品、金刚石微米棒阵列膜的生长、硅片模板的剥离,即完成。本发明利用多孔硅片模板代替AAO模板制备金刚石微米棒阵列膜,降低了薄膜的制备成本,简化了制备的工艺过程,通过调整硅片上孔洞的直径以及深度可以制备具有不同长径比的微米棒阵列,从而研究不同微米棒长径比对材料性能的影响。本发明应用于薄膜生长技术领域。

    一种同质外延生长单晶金刚石时控制表面温度的方法

    公开(公告)号:CN104775154A

    公开(公告)日:2015-07-15

    申请号:CN201510199722.9

    申请日:2015-04-25

    Abstract: 一种同质外延生长单晶金刚石时控制表面温度的方法,属于晶体生长技术领域。针对现有的MWCVD生长系统中籽晶表面温度难以有效调控的问题,本发明所述方法包括步骤如下:金刚石籽晶清洗→焊接→选择隔热丝→制作隔热丝→放置样品→生长前准备工作→金刚石生长。本发明通过制备隔热用隔热丝,确保了金刚石样品表面温度不会因为导热过快而过低,且根据不同工艺参数选择不同规格的隔热丝,实现金刚石样品表面温度可控,使金刚石在所需的温度等工艺参数下进行生长。由于隔热丝的特殊形态,保证了金刚石样片表面水平,与等离子体球均匀接触,保证了温度场及碳源密度的均匀性,使得生长效果更好。

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