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公开(公告)号:CN109437303A
公开(公告)日:2019-03-08
申请号:CN201811503365.0
申请日:2018-12-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01G31/02
CPC classification number: C01G31/02
Abstract: 基于VO2薄膜的热致变色智能热控器件及其制备方法,它属于智能材料微纳结构器件制备领域。本发明要解决现有VO2薄膜高温的反射较高,导致基于VO2的智能热控器件的高温发射率较低的问题。基于VO2薄膜的热致变色智能热控器件自下而上依次由高反射金属基底层、微纳结构VO2层和保护层组成;或基于VO2薄膜的热致变色智能热控器件自下而上依次由半导体基底层、红外高反射层、微纳结构VO2层和保护层组成。制备方法:一、清洗基片;二、VO2薄膜制备;三、微纳结构加工;四、保护层沉积。本发明用于基于VO2薄膜的热致变色智能热控器件及其制备。
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公开(公告)号:CN109365995A
公开(公告)日:2019-02-22
申请号:CN201811489271.2
申请日:2018-12-06
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B23K26/0622 , B23K26/082 , B23K26/046 , B23K26/70
Abstract: 一种高度均一的微锥阵列结构的制备方法,本发明涉及微锥阵列结构的制备方法领域。本发明要解决现有方法制备的微锥阵列结构存在的均匀性差,制备工艺繁琐,无法大面积加工,材料普适性差的问题。方法:一、将激光焦点中心聚焦在样品上表面;二、设置激光单脉冲能量;三、设置平面网格路径,然后采用激光扫描样品上表面;四、利用去离子水超声清洗处理后的样品。本发明可以通过调节激光脉冲能量、脉冲速率和振镜扫描参数,实现微锥的尺寸及形貌结构的精确调谐,有利于功能微结构的最优设计。本发明用于制备高度均一的微锥阵列结构。
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