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公开(公告)号：CN102643500B
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201210095565.3
申请日：2012-04-01
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C08L33/14 , C08L35/02 , C08L75/04 , C08L33/10 , C08K13/06 , C08K9/06 , C08K5/549 , C08K3/36 , C08K3/40 , C08K3/34 , C08K3/10 , C08F220/26 , C08F222/22 , C08F222/20 , C08G18/06 , C08F220/10 , A61K6/083 , A61K6/087
Abstract: 有机-无机纳米复合树脂及其制备方法，属于生物医用高分子材料技术领域。本发明的有机-无机纳米复合树脂在有机基质和无机填料的基础上还添加了多官能反应性纳米单体POSS，将POSS加入到树脂基质中，置于恒温烘箱中，使POSS完全溶于树脂基质中搅拌均匀；然后加入引发剂系统，搅拌均匀；再加入表面硅烷化处理过的无机填料，在真空搅拌机中充分搅拌均匀，消除气泡，即得到纳米复合树脂糊剂。将POSS加入到齿科复合树脂中，可以显著降低聚合收缩，全面提高复合树脂的机械性能，并且具有良好的微渗漏性以及生物相容性，在口腔修复领域有着广阔的应用前景。另外，其制备工艺简单，成本较低，具有重要的推广和应用价值。
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公开(公告)号：CN102562567A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210019115.6
申请日：2012-01-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: F04B51/00
Abstract: 柱塞泵中柱塞副泄漏量的测试装置，涉及柱塞副泄漏量的测试装置。本发明解决了柱塞泵工作时柱塞副的泄漏量不能被单独测量的问题。本发明所述的测试装置中，将主轴通过两个轴承座固定在直角U型支撑架上，主轴位于两个轴承座之间部分的中间固定设置偏心轴承，偏心轴承面向直角U型支撑架的U型开口侧通过隔垫与滑靴紧固，滑靴与柱塞的一端铰接，柱塞的另一端嵌入在缸套内，柱塞与缸套底部之间设置弹簧，缸套与阀块固定连接，柱塞的外环表面套接套筒，并且该套筒与缸套端口的端面固定连接，使柱塞与缸套之间的泄漏引入套筒的容腔，套筒的侧壁上设置导管，套筒的筒底与柱塞的接触面通过密封件密封。本发明应用于测试柱塞泵中柱塞副泄漏量。
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公开(公告)号：CN101806281B
公开(公告)日：2011-11-02
申请号：CN201010158477.4
申请日：2010-04-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: Y02E10/723
Abstract: 用于风力发电机组主轴制动的液压装置，属于风力发电设备制动领域，它解决了现有风力发电机组主轴制动系统采用盘式刹车，其刹车力矩小，并且系统结构复杂的问题。它的刹车块的中间环段在端圆环段和楔形面环段之间形成环状凹槽，端圆环段与中空油缸的大端面连接，活塞杆设于中空油缸的内部，活塞杆的环状突起与中空油缸的台肩结构内环表面相配合；活塞杆的底段内环表面与楔形面环段的外表面间隙配合；液压缸盖与中空油缸和活塞杆密封配合，液压缸盖和中空油缸的外环表面上设置衬套；活塞杆与液压缸盖和中空油缸之间设置导向套；液压控制系统的输油管路连接液压缸盖上的进油口，回油管路连接中空油缸上的回油口。本发明用于风力发电机组主轴的制动。
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公开(公告)号：CN101533580B
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN200910071823.2
申请日：2009-04-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明涉及一种双盘刚性转子动平衡实验装置，轴承座固定于弹性支架上，支臂下端部位与弹性支架固定连接，光电位移传感器安装在支臂上，由弹性支架、轴承座、支臂和光电位移传感器共同组合成一整体支座。转轴通过轴承座安装在弹性支架上，转轴一端由联轴器与电动机相连接，电动机安装在电机座上，转轴上装有对称的左、右平衡盘，左、右平衡盘的外部扣装有透明护罩，电机座、透明护罩和弹性支架均由螺栓固定在底座上，底座下端安装有减震支架。本发明由于弹性支架、轴承座、支臂和光电位移传感器共同组合成一整体支座，缩短了光电位移传感器与测试点之间的距离，连接刚性好，减少了振动干扰，提高了测量精度。
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公开(公告)号：CN108666415B
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN201810491166.6
申请日：2018-05-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L41/27 , C08J7/04 , C08J5/18 , C09D123/08 , C09D7/61
Abstract: 一种聚合物基压电双晶片的制备方法及应用，它涉及一种压电双晶片的制备方法及应用。本发明的目的是要解决利用压电聚合物实现薄膜基体的驱动变形的问题。制备方法：一、制备非极化PVDF基薄膜；二、柔性电极的制备与涂覆得到PVDF薄膜电极；三、极化得到PVDF压电膜；四、组装得到聚合物基压电双晶片。一种聚合物基压电双晶片用于制造可驱动的材料。优点：以压电聚合物为基础，构造出压电双晶片形式，既实现了平整的薄膜控制变形的能力，又增大了平整的薄膜控制变形的效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106420366B
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201610788415.9
申请日：2016-08-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: A61K6/083 , A61K6/00 , C08F220/32 , C08F222/14 , C08F2/44
Abstract: 本发明公开了一种超低收缩复合树脂及其制备方法，所述超低收缩复合树脂由树脂基质和无机填料复合而成，其中：所述树脂基质包括可聚合的单体系统和引发剂系统，所述无机填料包括表面硅烷化处理过的无机填料和硅磷酸钙粉末。本发明将人工骨水泥—硅磷酸钙应用于齿科复合树脂材料中，硅磷酸钙粉末水化反应后发生体积膨胀，可以有效地补偿复合树脂的聚合体积收缩，改善复合树脂的体积稳定性，同时其力学指标能够满足临床齿科材料的要求。此外，其制备工艺简单，成本较低，具有重要的推广和应用价值。这些特性使得硅磷酸钙填料在口腔修复领域有着广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN108912561A
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201810792903.6
申请日：2018-07-18
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种改性钛酸钡杂化聚偏氟乙烯共聚物复合膜及其制备方法，本发明属于压电高分子杂化材料技术领域，它为了解决现有钛酸钡与聚偏氟乙烯共聚物的相容性较差的问题。本发明改性钛酸钡杂化聚偏氟乙烯共聚物复合膜是以聚偏氟乙烯共聚物为基质，其中含有质量百分含量为5％～20％的多巴胺改性钛酸钡；多巴胺改性钛酸钡的制备方法如下：先将多巴胺溶于水和DMF混合的有机溶剂中，然后加入钛酸钡，离心收集固相物，烘干后得到多巴胺改性钛酸钡。本发明通过多巴胺对钛酸钡进行表面改性，能够大幅提高改性钛酸钡和聚偏氟乙烯共聚物的相容性。同时所制备的复合膜材料具有良好的介电性能。
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公开(公告)号：CN108666415A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201810491166.6
申请日：2018-05-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L41/27 , C08J7/04 , C08J5/18 , C09D123/08 , C09D7/61
Abstract: 一种聚合物基压电双晶片的制备方法及应用，它涉及一种压电双晶片的制备方法及应用。本发明的目的是要解决利用压电聚合物实现薄膜基体的驱动变形的问题。制备方法：一、制备非极化PVDF基薄膜；二、柔性电极的制备与涂覆得到PVDF薄膜电极；三、极化得到PVDF压电膜；四、组装得到聚合物基压电双晶片。一种聚合物基压电双晶片用于制造可驱动的材料。优点：以压电聚合物为基础，构造出压电双晶片形式，既实现了平整的薄膜控制变形的能力，又增大了平整的薄膜控制变形的效果。
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公开(公告)号：CN103872105B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201410135478.5
申请日：2014-04-04
Applicant: 石家庄天林石无二电子有限公司 , 哈尔滨工业大学 , 中国空间技术研究院
IPC: H01L29/73 , H01L29/08 , H01L21/331
Abstract: 一种抗辐照加固双极型晶体管的制备方法，属于电子技术领域。它是为了解决现有双极型晶体管抗辐照能力低的问题。一种抗辐照加固双极型晶体管，发射区以基区的对角线为对称线呈左右对称的正方形对称梳状结构，该对称线两侧对称向外延伸出n对矩形齿结构，每对矩形齿结构之间的夹角均为90度；上述晶体管的制备方法，在掺杂元素扩散形成基区时，基区的扩散结深度在1μm至2.5μm之间；在基区的表面扩散一层硼；掺杂元素扩散形成发射区时，发射区的扩散结深度在0.5μm至2μm之间；在氧化时，保证干氧的厚度在1nm至10nm之间，湿氧的厚度在200nm至1μm之间。本发明适用于商业化抗辐照双极型晶体管的应用及生产。
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公开(公告)号：CN103872105A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201410135478.5
申请日：2014-04-04
Applicant: 石家庄天林石无二电子有限公司 , 哈尔滨工业大学 , 中国空间技术研究院
IPC: H01L29/73 , H01L29/08 , H01L21/331
CPC classification number: H01L29/73 , H01L29/0804 , H01L29/66234
Abstract: 一种抗辐照加固双极型晶体管及该晶体管的制备方法，属于电子技术领域。它是为了解决现有双极型晶体管抗辐照能力低的问题。一种抗辐照加固双极型晶体管，发射区以基区的对角线为对称线呈左右对称的正方形对称梳状结构，该对称线两侧对称向外延伸出n对矩形齿结构，每对矩形齿结构之间的夹角均为90度；上述晶体管的制备方法，在掺杂元素扩散形成基区时，基区的扩散结深度在1μm至2.5μm之间；在基区的表面扩散一层硼；掺杂元素扩散形成发射区时，发射区的扩散结深度在0.5μm至2μm之间；在氧化时，保证干氧的厚度在1nm至10nm之间，湿氧的厚度在200nm至1μm之间。本发明适用于商业化抗辐照双极型晶体管的应用及生产。
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