公开(公告)号：CN116065075A

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN202310042651.6

申请日：2023-01-28

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 孙恩伟 ,  郑华山 ,  杨逸逍 ,  吴云铮 ,  杨彬 ,  张锐 ,  曹文武

IPC: C22C29/12 ,  B22D19/00 ,  C23C14/34 ,  C23C14/18

Abstract: 一种具有微纳复合结构的金属‑弛豫铁电陶瓷及其制备方法，本发明属于功能陶瓷材料领域，具体涉及一种具有微纳复合结构的金属‑弛豫铁电陶瓷及其制备方法。本发明要解决现有BNT基陶瓷的退极化温度低的问题。本发明通过控制烧结温度与保温时间，制备出具有微纳复合结构的BNT‑BKT/Ag陶瓷，其中4～6μm大小的金属银颗粒作为复合体均匀分布于纳米尺度的陶瓷晶粒中形成微纳复合结构。Ag颗粒在陶瓷升温过程中对陶瓷晶粒产生较大的应力作用，从而抑制了BNT‑BKT陶瓷的退极化行为，得到了高退极化温度的钛酸铋钠‑钛酸铋钾压电陶瓷。

公开(公告)号：CN108585852B

公开(公告)日：2021-04-20

申请号：CN201810443144.2

申请日：2018-05-10

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 孙恩伟 ,  赵燕 ,  戚旭东 ,  祁旭昕 ,  孙晔 ,  吕伟明 ,  杨彬 ,  曹文武

IPC: C04B35/499 ,  C04B35/622 ,  C04B41/88 ,  H01L41/18 ,  H01L41/187

Abstract: 一种镨掺杂铌铟镁酸铅‑钛酸铅发光压电陶瓷、制备方法及其应用，本发明属于功能陶瓷材料领域，具体涉及一种镨掺杂铌铟镁酸铅‑钛酸铅发光压电陶瓷、制备方法及其应用。本发明要解决现有稀土元素掺杂压电陶瓷机电性能偏低的问题。压电陶瓷的化学式为0.24Pb(In1/2Nb1/2)O3‑0.42Pb(Mg1/3Nb2/3)O3‑0.34PbTiO3:xPr3+，其中x为摩尔分数，0＜x≤0.02。制备方法为先合成InNbO4和MgNb2O6前驱体，然后以InNbO4、MgNb2O6、PbO、TiO2和Pr6O11为原料制备，再镀金电极及极化处理，即得到压电陶瓷。本发明用于高灵敏度温度传感和电光调控。

公开(公告)号：CN110078508A

公开(公告)日：2019-08-02

申请号：CN201910376602.X

申请日：2019-05-07

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 孙恩伟 ,  祁旭昕 ,  边浪 ,  戚旭东 ,  杨逸逍 ,  郑华山 ,  杨彬 ,  曹文武

IPC: C04B35/499 ,  C04B35/622

Abstract: 一种锰掺杂铌铟锌酸铅-钛酸铅压电陶瓷、制备方法及其应用，本发明属于功能陶瓷材料领域，具体涉及一种锰掺杂铌铟锌酸铅-钛酸铅压电陶瓷、制备方法及其应用。本发明要解决现有压电陶瓷机械品质因数、居里温度偏低的问题。压电陶瓷的化学通式为0.49Pb(In1/2Nb1/2)O3-0.21Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-0.30PbTiO3:xMn2+，其中x为摩尔分数，0＜x≤0.05。首先合成铌酸铟和铌酸锌前驱体，然后以InNbO4，ZnNb2O6，PbO，TiO2和MnO2为原材料制备陶瓷片，最后进行抛光镀银以及热极化处理，得到锰掺杂铌铟锌酸铅-钛酸铅压电陶瓷。压电陶瓷用于压电径向振动系统。