公开(公告)号：CN106772204A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201611055644.6

申请日：2016-11-25

Applicant: 国网冀北电力有限公司电力科学研究院 ,  哈尔滨工业大学 ,  华北电力科学研究院有限责任公司 ,  国家电网公司

Inventor： 李文文 ,  袁瑞铭 ,  丁恒春 ,  叶雪荣 ,  鲁观娜 ,  吕明东 ,  巨汉基 ,  钟侃 ,  牛皓 ,  翟国富 ,  刘影 ,  姜振宇 ,  吕言国 ,  杨东升

IPC: G01R35/04

CPC classification number: G01R35/04

Abstract: 本发明提出了一种电能表计量电路的仿真方法及装置，其中方法包括：获取电能表的原理图与A/D转换电路的参数；根据所述参数在Simulink软件中建立A/D转换电路的数字电路模型；根据所述电能表的原理图，在Saber软件中建立模拟电路模型；使用所述Saber软件中的SaberCosim模块对Simulink软件中的所述数字电路模型与Saber软件中所述模拟电路模型进行数据连接，所述数字电路模型与模拟电路模型共同组成联合仿真模型；运行所述Saber软件对所述联合仿真模型进行联合仿真，并计算所述电能表计量电路的仿真结果。本发明通过将Simulink与Saber的数据进行交换传递，实现了仿真软件之间的优势互补，使得对智能电表计量过程的模拟更加准确。

公开(公告)号：CN104849645A

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201510309286.6

申请日：2015-06-08

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 叶雪荣 ,  王一行 ,  陈岑 ,  孙博 ,  吕明东 ,  徐军忠 ,  翟国富

IPC: G01R31/27

Abstract: 基于米勒平台电压的MOSFET退化评估方法及采用该方法的MOSFET剩余寿命预测方法，涉及半导体退化评估及寿命预测领域。解决了无法实时在线评估MOSFET退化状态的问题，同时满足了对MOSFET的剩余寿命预测方法的需求。基于米勒平台电压的以MOSFET开通波形中的米勒平台电压作为敏感特征参数的评估方法：将MOSFET的米勒平台电压作为评估器件退化状态的参数。采用基于米勒平台电压的MOSFET退化评估方法获得MOSFET退化模型，再利用粒子滤波算法对MOSFET退化模型的参数进行修正与更新，并得到新的MOSFET退化模型，从而获得MOSFET当前状态距失效阈值的时间差，实现对MOSFET的剩余寿命预测。本发明适用于半导体的退化评估及寿命预测。

公开(公告)号：CN207318701U

公开(公告)日：2018-05-04

申请号：CN201721432564.8

申请日：2017-10-31

Applicant: 国网冀北电力有限公司电力科学研究院 ,  华北电力科学研究院有限责任公司 ,  哈尔滨工业大学 ,  威胜集团有限公司 ,  国家电网公司

Inventor： 李文文 ,  袁瑞铭 ,  丁恒春 ,  易忠林 ,  鲁观娜 ,  叶雪荣 ,  翟国富 ,  吕明东 ,  杨怀庄 ,  刘丽 ,  殷庆铎 ,  魏雄飞 ,  徐占河 ,  刘影 ,  吕言国 ,  姜振宇 ,  杨东升

IPC: G01R35/04

Abstract: 本实用新型提供了一种计量芯片基准电压的测量装置，采用计量芯片测量电路电连接SOP-DIP转换器，将待测计量芯片电连接于SOP-DIP转换器的表面，通过计量芯片测量电路及SOP-DIP转换器测试待测计量芯片，监测待测计量芯片的性能，实现对计量芯片的批量测试。本实用新型实现了对电能表的核心器件即计量芯片的批量测试，通过检测计量芯片的基准电压值监测计量芯片的性能，从而保证电能表的计量精度及维护用户和国家电网的切身利益。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利