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公开(公告)号：CN105828594B
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201610388903.0
申请日：2016-06-03
Applicant: 哈尔滨工业大学
Inventor： 潘东华 , 李立毅 , 孙芝茵 , 李吉 , 林生鑫 , 曹沁婕 , 刘添豪
IPC: H05K9/00
Abstract: 本发明涉及具有局部磁场补偿能力的主动屏蔽装置。主要解决了现有的技术方案造价昂贵，屏蔽效果不理想的问题。所述的高导磁屏蔽层(1)外侧在主动线圈范围内分布有补偿线圈(2)阵列，每个补偿线圈(2)独立设置，每个补偿线圈(2)中心分别设置有磁强计(3)，其中每个补偿线圈(2)与每个磁强计(3)分别连接中央控制器模块。具有成本低廉，磁场屏蔽、补偿效果好的特点。
