有机电光材料的反射干涉式纵向电场探测器

    公开(公告)号:CN1153067C

    公开(公告)日:2004-06-09

    申请号:CN01106219.3

    申请日:2001-02-27

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明是有机电光材料的电场探测器。有机电偶极分子的取向垂直于基板平面并在其外表面涂有选择反射膜。光束传播方向、有机分子极化方向和被测信号电场方向近似平行。由于激光在电光介质的前后两界面的反射分量的相干叠加,使反射光强受到被测电场的线性调制,成为电场信号探测器。本发明的有机电光材料的介电常数小并且电光系数高,因而这种电场传感器对被测电场的侵扰小,有利于提高电光探测系统的电压灵敏度、空间分辨率和时间分辨率。

    有机电光材料的反射干涉式纵向电场探测器

    公开(公告)号:CN1316771A

    公开(公告)日:2001-10-10

    申请号:CN01106219.3

    申请日:2001-02-27

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明是有机电光材料的电场探测器。有机电偶极分子的取向垂直于基板平面并在其外表面涂有选择反射膜。光束传播方向、有机分子极化方向和被测信号电场方向近似平行。由于激光在电光介质的前后两界面的反射分量的相干叠加,使反射光强受到被测电场的线性调制,成为电场信号探测器。本发明的有机电光材料的介电常数小并且电光系数高,因而这种电场传感器对被测电场的侵扰小,有利于提高电光探测系统的电压灵敏度、空间分辨率和时间分辨率。

    高速电路芯片电光采样分析仪

    公开(公告)号:CN1038784C

    公开(公告)日:1998-06-17

    申请号:CN94103062.8

    申请日:1994-02-28

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 高速电路芯片电光采样分析仪可用于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体为衬底的平面型高速器件和集成电路芯片内部各点上的动态特性的在片检测。一种内照明摄像体视显微镜被用于微波探针测量操作和采样光点的观察,通过微波探针台的微调位移实现高速电路芯片在高速运转状态下相对于采样光点的位置调节,利用电光采样光学组件提高光学系统的稳定性,利用大型工具显微镜的机架和工作台完成高速电路芯片电光采样分析仪各部件的组装。

    共面集成电路芯片微波探针

    公开(公告)号:CN1095483A

    公开(公告)日:1994-11-23

    申请号:CN94102728.7

    申请日:1994-03-15

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明是用于在片检测共面集成电路芯片电学特性的信号传输装置。其中,探针板下表面装有信号线15,正面地线16,导电触头19,上表面装有背面地线8,所有地线及导电金属模块2通过低温金属焊料和导电丝电接通。导电触头由软金属内包一硬金属球构成。绝缘介质柱7下端为一半柱面台阶状,其中的中心导线3与信号线15用低温金属焊料4电接通。本发明具有插入和反射损耗小、带宽增加、特征阻抗均匀连续、降低地回路中射频电感、导电触头耐用不损坏芯片等优点。

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