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公开(公告)号:CN1396801A
公开(公告)日:2003-02-12
申请号:CN02132456.5
申请日:2002-06-16
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明属在高压实验装置——金刚石对顶砧上集成金属电极的方法。经清洗(1)、溅射电极材料(2)、涂胶(3)、光刻(4)、腐蚀金属(5)、去胶(6)以及引线工艺过程制得钨或铬或钛的金属电极。电极材料(2)厚度为1000~2500A,溅射电极材料过程中衬底温度保持在240~400℃。光刻(4)过程是保留需要集成电极部位的光刻胶(9),而其余的地方光刻胶(9)被去掉。腐蚀金属(5)是指用光刻腐蚀剂去掉未被光刻胶(9)掩盖的电极材料。本发明能保证电极在砧面上有足够的附着力。电极厚度小,可消除由应力产生的电极崩裂现象。可避免高温对金刚石的损伤,延长使用寿命。
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公开(公告)号:CN112113991B
公开(公告)日:2021-08-31
申请号:CN202011028664.0
申请日:2020-09-25
Applicant: 吉林大学
IPC: G01N24/08
Abstract: 本发明的一种非局域电阻式核磁共振测量方法属于自旋电子学技术领域,主要步骤包括:将非局域测量用二维电子气霍尔条形样品置于带有试样旋转台的低温恒温器中,形成具有磁畴结构的量子霍尔铁磁态;针对量子霍尔铁磁态进行非局域电阻测量、据获得的量子霍尔铁磁态电阻峰与倾角关系图谱对该量子态进行电阻式核磁共振测量、依据所获核磁共振图谱对量子霍尔铁磁态进行核自旋弛豫时间T1和核自旋退相干时间T2测量。本发明通过非局域测量构型的引入,实现了小电流下的动态核极化,从而确保所测量子态始终处于平衡态,所测量子态非局域电阻比正常测量电阻小2个数量级,将电阻式核磁共振测量精度提高了1个数量级。
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公开(公告)号:CN1203558C
公开(公告)日:2005-05-25
申请号:CN02132902.8
申请日:2002-09-08
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L33/00
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明的透明的n-型氧化锌/p-型金刚石薄膜异质结及其制备属一种透明p-n结及其制备方法。以金刚石单晶为衬底(5),工艺过程包括衬底的清洗(10)、p-型金刚石单晶薄膜的沉积(11)、p-型金刚石单晶薄膜的化学处理(12)、金刚石薄膜的欧姆电极制作(13)、n-型氧化锌多晶薄膜(3)的选择性沉积(14)、氧化锌薄膜的欧姆电极的制作(15)。沉积p-型金刚石单晶薄膜(1)时放置硼源;金刚石薄膜的欧姆电极(2)是顺序沉积的钛、钼、金薄膜;氧化锌薄膜的欧姆电极(4)是金膜。本发明的制备工艺简单易于实现,而且本发明的异质结具有良好的伏-安特性、光学透明性和抗高温特性;电极的欧姆接触性能好并且牢固。
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