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公开(公告)号：CN222705516U
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202420748517.8
申请日：2024-04-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/544
Abstract: 本实用新型提供一种包括设置于半导体工件上的测试线结构的集成芯片。测试线结构包括设置于半导体工件内及/或半导体工件上的多个光学输入/输出(I/O)结构。测试线结构更包括位于半导体工件上的多个电性输入/输出结构。所述多个光学输入/输出结构与所述多个电性输入/输出结构沿着在第一方向上延伸的线在侧向上彼此隔开。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN222580281U
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202421291766.5
申请日：2024-06-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G02B6/124
Abstract: 本实用新型实施例提供一种光学模块，包括衬底；上覆在衬底的第一光栅耦合器；以及上覆在第一光栅耦合器的第二光栅耦合器，其中第二光栅耦合器被配置为接收输入光学讯号的第一横向模式，而将输入光学讯号的第二横向模式传递到第一光栅耦合器，并且其中第一光栅耦合器被配置为接收输入光学讯号的第二横向模式。
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公开(公告)号：CN222319166U
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202420725753.8
申请日：2024-04-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供一种光学模块。波导，包括肋且还包括分别位于所述肋的相对侧的第一凸起和第二凸起。此外，波导由第一半导体部分形成。光侦测器位于波导中并包括肋中的PN结。PN结的P型区延伸至第一凸起，PN结的N型区延伸至第二凸起。此外，第一凸起和第二凸起容置重掺杂P型和N型接触件区。半导体区位在PN结上。半导体区包括不同于第一半导体部分的第二半导体部分。本实用新型可以第二半导体部分可以具有比第一半导体部分更小的带隙以提高量子效率。
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公开(公告)号：CN222259753U
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202420788492.4
申请日：2024-04-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本实用新型实施例的各种实施例提供光学装置偏振旋转器和模态转换器。本实用新型实施例的光学装置包括偏振旋转器和模态转换器。偏振旋转器包括具有第一端和第二端的直波导段、从第二端延续的第一加宽波导段、从第一加宽波导段延续的第一渐缩波导段、设置在第一加宽波导段上方的第二加宽波导段以及从第二加宽波导段延续的第二渐缩波导段。模态转换器包括从第二渐缩波导段延续的第三渐缩波导段以及设置在第三渐缩波导段上方的第三加宽波导段。偏振旋转器的输出端耦合到模态转换器的输入端。
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公开(公告)号：CN222896284U
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202421605030.0
申请日：2024-07-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本实用新型的实施例提供一种半导体装置包括介电层、嵌置于介电层中的环形波导以及嵌置于介电层中且以垂直方式光学耦合至环形波导的输入/输出波导。介电层的材料、环形波导的材料与输入/输出波导的材料是不同的。通过在输入/输出波导与环形波导之间设置厚度合适的介电层来控制两个波导之间的间距，以提高光学装置的耦合效率。
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公开(公告)号：CN220400585U
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202321098493.8
申请日：2023-05-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/528 , H01L23/522 , H01L23/48
Abstract: 公开了一种半导体器件及一种半导体封装。在一个态样中，所述半导体器件包括半导体基底，具有沿第一方向延伸的多个第一沟渠及沿垂直于所述第一方向的第二方向延伸的多个第二沟渠；第一导电层，设置于所述半导体基底的所述多个第一沟渠及所述多个第二沟渠之上；第一介电层，设置于第一导电层之上；第二导电层，设置于第一介电层之上；多个内部导电结构，相邻于多个第一沟渠及多个第二沟渠设置；以及多个外部导电结构，相邻于多个内部导电结构设置且相较于多个内部导电结构更远离多个第一沟渠及多个第二沟渠。可对所述多个内部导电结构及多个外部导电结构的数目及位置做出改变，从而满足封装的设计要求。
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