公开(公告)号：CN105684131A

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201480057866.4

申请日：2014-03-03

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 玉川有理 ,  大田乡史 ,  矢吹朗 ,  服部聪

IPC: H01L21/301 ,  C09J7/02

CPC classification number: C09J133/00 ,  C08L2203/20 ,  C09J7/22 ,  C09J7/38 ,  C09J2201/122 ,  C09J2203/326 ,  C09J2433/00

Abstract: 本发明提供一种半导体加工用粘合带，其在使用支撑构件的半导体元件制造工序中，即使在用于清洗将支撑构件贴合于半导体晶片的粘接剂的残渣的清洗液淋到粘合剂的情况下，粘合剂亦不会溶解并污染半导体元件，且具备支撑构件的物理性、机械性剥离时所需的牢固的粘接性。本发明的半导体加工用粘合带为于基材树脂薄膜的至少一个面上形成有辐射线固化性的粘合剂层的半导体加工用粘合带，其特征在于，所述粘合剂层的紫外线照射前的凝胶百分数为65％以上且100％以下，且所述粘合剂层的紫外线照射前的探针粘性试验(probe tack test)的峰值为100～600kPa。

公开(公告)号：CN104272437B

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201480001126.9

申请日：2014-02-12

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 玉川有理 ,  矢吹朗 ,  服部聪

IPC: H01L21/301 ,  C09J7/02 ,  C09J11/06 ,  C09J11/08 ,  C09J201/00

CPC classification number: C09J7/20 ,  C09J2203/326

Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体加工用粘合胶带，其是具备在切割时仅能抑制芯片飞散的粘合力、在拾取(pick up)时的易剥离性的切割胶带，且在使用支撑部件的半导体元件的制造工序中，即使是粘合剂上沾有用来清洗将支撑部件贴合于半导体晶片时的粘接剂残渣的清洗液的情形之下，粘合剂也不会溶解而污染半导体元件。关于本发明的半导体加工用粘合胶带，其是在基材树脂膜的至少一个面上形成有放射线固化性粘合剂层的半导体加工用粘合胶带，其特征在于，所述粘合剂层在紫外线照射前相对于甲基异丁基酮的接触角为25.1°～60°。

公开(公告)号：CN104272437A

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：CN201480001126.9

申请日：2014-02-12

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 玉川有理 ,  矢吹朗 ,  服部聪

IPC: H01L21/301 ,  C09J7/02 ,  C09J11/06 ,  C09J11/08 ,  C09J201/00

CPC classification number: C09J7/20 ,  C09J2203/326 ,  H01L21/304 ,  C09J11/06 ,  C09J11/08 ,  C09J201/00

Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体加工用粘合胶带，其是具备在切割时仅能抑制芯片飞散的粘合力、在拾取(pick up)时的易剥离性的切割胶带，且在使用支撑部件的半导体元件的制造工序中，即使是粘合剂上沾有用来清洗将支撑部件贴合于半导体晶片时的粘接剂残渣的清洗液的情形之下，粘合剂也不会溶解而污染半导体元件。关于本发明的半导体加工用粘合胶带，其是在基材树脂膜的至少一个面上形成有放射线固化性粘合剂层的半导体加工用粘合胶带，其特征在于，所述粘合剂层在紫外线照射前相对于甲基异丁基酮的接触角为25.1°～60°。

公开(公告)号：CN103426743A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201310170774.4

申请日：2013-05-10

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 玉川有理 ,  大田乡史 ,  矢吹朗 ,  服部聪

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/683 ,  B28D5/04

Abstract: 本发明提供一种半导体晶片的切割方法以及半导体加工用切割带，所述切割方法包括：(a)通过接合剂将支撑部件贴合在半导体晶片的电路面侧的工序；(b)对与该晶片的电路面相反一侧的背面进行薄片化加工的工序；(c)在与该晶片的电路面相反一侧的背面上，贴合至少具有紫外线固化型粘合剂层的切割带的工序；(d)将该晶片从该接合剂层以及支撑部件上剥离的工序；(e)使用有机溶剂对该半导体晶片上的该接合剂的残渣进行清洗的工序；以及(f)对该半导体晶片进行切断和芯片化的工序，其中，在所述(e)工序之前，所述切割带上未贴合有所述半导体晶片的区域的粘合剂层经紫外线照射进行了固化。

公开(公告)号：CN101903983A

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：CN200880121494.1

申请日：2008-12-17

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 矢吹朗 ,  矢野正三 ,  大田乡史 ,  玉川有理

IPC: H01L21/301 ,  B32B27/00 ,  C09J7/02 ,  C09J133/04

Abstract: 本发明提供一种晶圆粘贴用粘合片及晶圆的加工方法，所述晶圆粘贴用粘合片由基材膜(1)和在该基材膜上形成的粘合剂层(2)构成，其特征在于，使用将该粘合片加工成宽7mm的试样、利用动态粘弹性测定装置测定的损失系数(23℃、频率1～100Hz)为0.15以上；所述晶圆的加工方法含有在该晶圆粘贴用粘合片上贴合晶圆的工序和该晶圆的切割工序，并且，在切割工序中不切入至晶圆粘贴用粘合片的基材膜。

公开(公告)号：CN1248293C

公开(公告)日：2006-03-29

申请号：CN02124672.6

申请日：2002-04-23

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 丸山弘光 ,  矢野正三 ,  森田彻 ,  玉川有理

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/68 ,  C09J7/02

Abstract: 本发明提供一种激光切割用粘结带，该粘结带是在激光器通过喷水引导的激光切割中使用的激光切割用粘结带，该激光切割用粘结带的基材能透过上述喷水的喷射水流，且该粘结带的基材结构是网格状或多孔质的，在与喷水一起用激光切割分离(切割)硅晶片、陶瓷、玻璃、金属等时不熔化，并且不断裂，没有元件的飞散，可伸展，在伸展时材料维持平直性。

公开(公告)号：CN1385881A

公开(公告)日：2002-12-18

申请号：CN02124672.6

申请日：2002-04-23

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 丸山弘光 ,  矢野正三 ,  森田彻 ,  玉川有理

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/68 ,  C09J7/02

Abstract: 一种在激光器通过喷水引导的激光切割中使用的激光切割用粘结带,该激光切割用粘结带的基材能透过上述喷水的喷射水流。